MODELISATION DU TRANSISTOR MESFET GAAS UTILISE EN REGIME DE FORTS SIGNAUX. APPLICATION A LA CONCEPTION D'UN LIMITEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE A DISTORSION DE PHASE MINIMALE PDF Download
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Author: Thierry Parra
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NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE L'ANALYSE DE LA DISTORSION DE PHASE QUI APPARAIT LORS DU FONCTIONNEMENT FORT SIGNAL DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP SUR ARSENIURE DE GALLIUM (TEC GAAS), AINSI QUE LA MODELISATION NON LINEAIRE MISE EN UVRE DANS LE BUT DE CONCEVOIR UN LIMITEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE A DISTORSION DE PHASE MINIMALE. POUR MENER CETTE ETUDE, NOUS AVONS EFFECTUE D'ABORD UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE APPROFONDIE D'UN LOT DE TEC (CARACTERISATIONS CONTINUES, HYPERFREQUENCE PETIT SIGNAL ET HYPERFREQUENCE FORT SIGNAL). CE TRAVAIL NOUS A PERMIS DE DEGAGER LES PRINCIPALES ORIGINES DU PHENOMENE ET D'ENONCER UN CRITERE DE TRI DES COMPOSANTES SUSCEPTIBLES, A L'INTERIEUR D'UN LOT, D'INTRODUIRE UNE DISTORSION DE PHASE MINIMALE. NOUS AVONS DE PLUS ELABORE UN MODELE PHENOMENOLOGIQUE NON LINEAIRE DU MESFET PERMETTANT DE RENDRE COMPTE DE LA DISTORSION DE PHASE AU PLAN THEORIQUE, DANS L'OBJECTIF D'OBTENIR DES RESULTATS DE SIMULATION SUFFISAMMENT FIABLES ET PRECIS POUR AUTORISER LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES MICRO-ONDES MONOLITHIQUES (MMIC). L'UTILISATION DE CES OUTILS DE SIMULATION NOUS A CONDUIT A PROPOSER UNE TOPOLOGIE ORIGINALE DES CIRCUITS D'ADAPTATION ET DE POLARISATION DU COMPOSANT PERMETTANT UNE MINIMISATION DE LA DISTORSION DE PHASE. CETTE TOPOLOGIE A ETE UTILISEE ENSUITE POUR LA CONCEPTION D'UN LIMITEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE QUI A ETE PAR LA SUITE REALISE ET DONT NOUS PRESENTONS LES PERFORMANCES MESUREES. ENFIN NOUS AVONS VALIDE NOTRE ETUDE POUR D'AUTRES APPLICATIONS DU TEC GAAS, TELLES LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR A PUISSANCE VARIABLE (REALISE EN TECHNOLOGIE HYBRIDE) ET LA SIMULATION D'UN LINEARISEUR PAR PRE-DISTORSION
Author: Thierry Parra
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NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE L'ANALYSE DE LA DISTORSION DE PHASE QUI APPARAIT LORS DU FONCTIONNEMENT FORT SIGNAL DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP SUR ARSENIURE DE GALLIUM (TEC GAAS), AINSI QUE LA MODELISATION NON LINEAIRE MISE EN UVRE DANS LE BUT DE CONCEVOIR UN LIMITEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE A DISTORSION DE PHASE MINIMALE. POUR MENER CETTE ETUDE, NOUS AVONS EFFECTUE D'ABORD UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE APPROFONDIE D'UN LOT DE TEC (CARACTERISATIONS CONTINUES, HYPERFREQUENCE PETIT SIGNAL ET HYPERFREQUENCE FORT SIGNAL). CE TRAVAIL NOUS A PERMIS DE DEGAGER LES PRINCIPALES ORIGINES DU PHENOMENE ET D'ENONCER UN CRITERE DE TRI DES COMPOSANTES SUSCEPTIBLES, A L'INTERIEUR D'UN LOT, D'INTRODUIRE UNE DISTORSION DE PHASE MINIMALE. NOUS AVONS DE PLUS ELABORE UN MODELE PHENOMENOLOGIQUE NON LINEAIRE DU MESFET PERMETTANT DE RENDRE COMPTE DE LA DISTORSION DE PHASE AU PLAN THEORIQUE, DANS L'OBJECTIF D'OBTENIR DES RESULTATS DE SIMULATION SUFFISAMMENT FIABLES ET PRECIS POUR AUTORISER LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES MICRO-ONDES MONOLITHIQUES (MMIC). L'UTILISATION DE CES OUTILS DE SIMULATION NOUS A CONDUIT A PROPOSER UNE TOPOLOGIE ORIGINALE DES CIRCUITS D'ADAPTATION ET DE POLARISATION DU COMPOSANT PERMETTANT UNE MINIMISATION DE LA DISTORSION DE PHASE. CETTE TOPOLOGIE A ETE UTILISEE ENSUITE POUR LA CONCEPTION D'UN LIMITEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE QUI A ETE PAR LA SUITE REALISE ET DONT NOUS PRESENTONS LES PERFORMANCES MESUREES. ENFIN NOUS AVONS VALIDE NOTRE ETUDE POUR D'AUTRES APPLICATIONS DU TEC GAAS, TELLES LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR A PUISSANCE VARIABLE (REALISE EN TECHNOLOGIE HYBRIDE) ET LA SIMULATION D'UN LINEARISEUR PAR PRE-DISTORSION
Author: Thierry Parra
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Pages : 0
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Book Description
Author: Jean-Marc Diénot
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Languages : fr
Pages : 170
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CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION FORT SIGNAL DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SUR ARSENIURE DE GALLIUM (TBH GAALAS/GAAS), COMPOSANT POTENTIEL POUR LES APPLICATIONS MICROONDES ACTUELLES ET FUTURES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS RAPPELONS LES DIFFERENTS MODELES ELECTRIQUES NON-LINEAIRES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE, CE QUI NOUS PERMET DE PROPOSER UN MODELE SIMILAIRE POUR LE TBH, BASE SUR UNE ANALYSE DE SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. LA DEUXIEME PARTIE DECRIT LES METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES SPECIFIQUES AU TBH DANS LES DIFFERENTS REGIMES DE FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. NOUS AVONS ETE AMENES A DEVELOPPER UNE CARACTERISATION EN REGIME IMPULSIONNEL POUR S'AFFRANCHIR DES EFFETS THERMIQUES, QUI SONT CRITIQUES DANS CES STRUCTURES A BASE DE GAAS. LA MISE EN UVRE D'UN BANC AUTOMATISE REALISANT CETTE OPERATION AUTORISE UNE CARACTERISATION NON LINEAIRE APPROPRIEE DU TBH. ASSOCIEE A UNE METHODOLOGIE D'EXTRACTION DES PARAMETRES, ELLE PERMET D'ABOUTIR A UN MODELE PRECIS DE CE COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE PERMET DE VALIDER L'ENSEMBLE DE LA PROCEDURE MODELISATION-CARACTERISATION PAR UNE COMPARAISON SIMULATIONS-MESURES DU TBH EN REGIME FAIBLE ET FORT NIVEAUX. CE MODELE EST ALORS UTILISE LORS DE LA CONCEPTION D'UN OSCILLATEUR ACCORDABLE ELECTRONIQUEMENT (VCO) A LA FREQUENCE DE 1.8 GHZ, ET PERMET DE PRESENTER LES PERFORMANCES OBTENUES EN SIMULATION A PARTIR DE CE CIRCUIT
Author: ANDRE.. LOEMBE
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ETUDE COMPARATIVE DES METHODES DE CARACTERISATION D'UN MESFET GAAS HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. DESCRIPTION ET VALIDATION DU PROGRAMME DE SIMULATION. ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INTERMODULATION D'ORDRE 3 EN FONCTION DE LA POLARISATION. CARACTERISATION DES TRANSISTORS A L'AIDE D'UN BANC DE MESURE AUTOMATIQUE. APPLICATION A LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE A MESFET GAAS.
