Les matériaux semi-conducteurs PDF Download
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Author: M. Rodot
Publisher:
ISBN:
Category : Semiconductors
Languages : fr
Pages : 316
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Book Description
Author: M. Rodot
Publisher:
ISBN:
Category : Semiconductors
Languages : fr
Pages : 316
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Author: Michel Rodot
Publisher:
ISBN:
Category : Semiconductors
Languages : en
Pages : 288
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Author: Jean-Louis Teyssier
Publisher:
ISBN: 9782100011261
Category :
Languages : fr
Pages : 316
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Author: Christian Ngô
Publisher: Dunod
ISBN: 2100583433
Category : Technology & Engineering
Languages : fr
Pages : 248
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Ce livre s’adresse aux étudiants des masters EEA et aux élèves des écoles d’ingénieurs. Les composants électroniques sont partout (montre, téléphone portable, automobile, etc.). Ils simplifient la vie, améliorent le confort et permettent aux systèmes qui les contiennent des performances nouvelles ou exceptionnelles. Ces composants sont pour la plupart réalisés à partir de semi-conducteurs cristallins, en majorité du silicium. Cet ouvrage donne les bases nécessaires pour comprendre le fonctionnement microscopique des composants électroniques élémentaires après avoir introduit des notions en physique statistique et quantique. Les semi-conducteurs utilisés en micro-électronique sont des cristaux et cette caractéristique leur confère des propriétés spéciales qui sont étudiées en détail. Cela permet de comprendre le principe de fonctionnement des principaux composants élémentaires (jonctions, diodes, transistors, etc.) et leurs propriétés optiques. Enfin, l’ouvrage aborde de manière simple la nano-électronique, un domaine en pleine expansion. Des exercices corrigés complètent le cours à la fin de chaque chapitre.
Author: Basil Salamé
Publisher: Editions Universitaires Europeennes
ISBN: 9783841678546
Category :
Languages : fr
Pages : 152
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Les materiaux semi-conducteurs sont tres utilises, notamment dans le domaine de l'electronique. Pourtant leur fonctionnement intime reste mal connu du fait du manque de techniques de mesures directes de leur distributions de charges. Les distributions de charges, qui sont a la base des proprietes electriques du materiau, sont en effet encore determinees a l'aide de modeles et de mesures electriques globales ou destructives. Ainsi les nouveaux materiaux, sans modele eprouve, sont difficiles a analyser. L'utilisation d'un couplage elasto-electrique local permettrait de palier a ce probleme et ainsi de faciliter l'analyse des nouveaux materiaux pour la micro-electronique. Ce couplage agit en effet directement sur les charges a mesurer de maniere non destructive. Dans ce livre le couplage elasto-electrique est modelise dans des structures a semi-conducteurs et des metaux. Le signal induit par la propagation d'une onde elastique est calcule analytiquement ou numeriquement selon la situation de la structure testee. Les resultats analytiques et numeriques sont valides par des mesures experimentales appliquees a differentes structures en variant les parametres de mesure."
Author: Etienne Ménard
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 139
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Author:
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 228
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Author:
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 64
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Author: Nathanae͏̈l Moreaud
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 221
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CE TRAVAIL DE RECHERCHE S'ARTICULE AUTOUR DE DEUX THEMES. LE PREMIER PORTE SUR L'ETUDE DE SEMI-CONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE. LES MATERIAUX ETUDIES SONT LE SIC, LE GAN, LE GAALN AINSI QUE DES HETEROSTRUCTURES GAALN/GAN/GAALN. LE DEUXIEME PORTE SUR DES MATERIAUX HYBRIDES ORGANIQUES-INORGANIQUES. LES INVESTIGATIONS MENEES SUR LES COUCHES MINCES DE CARBURE DE SILICIUM (POLYTYPE 3C) DEPOSEES SUR SUBSTRATS SILICIUM PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ONT MONTRE LA QUALITE MONOCRISTALLINE DES ECHANTILLONS, AINSI QUE LA FAIBLE DENSITE DE DISLOCATIONS DES COUCHES TRES PEU CONTRAINTES. L'ANALYSE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE DES MATERIAUX CONSTITUANT LES PUITS QUANTIQUES A MIS EN EVIDENCE L'EXCELLENTE QUALITE DES ECHANTILLONS DE GAN ET DE GAALN ELABORES PAR MOCVD SUR SUBSTRAT D'ALUMINE. L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES HETEROSTRUCTURES DE GAALN/GAN/GAALN A CONDUIT A LA VERIFICATION DE LA PRESENCE DE FORTS CHAMPS ELECTRIQUES DANS LES PUITS QUANTIQUES ENGENDRES PAR LES EFFETS DE POLARISATION SPONTANEE ET PIEZOELECTRIQUE. IL A ETE MONTRE QUE CES PHENOMENES ONT POUR CONSEQUENCES DE DECALER VERS LE ROUGE LA TRANSITION DE LUMINESCENCE CORRESPONDANT AUX PUITS QUANTIQUES POUR LES EPAISSEURS SUPERIEURES A 40 ANGSTROMS. LA DERNIERE PARTIE DE CE TRAVAIL PORTE SUR LES RESULTATS COLLECTES LORS DE L'ETUDE DE MATERIAUX HYBRIDES ORGANIQUES-INORGANIQUES. LE PROCEDE SOL-GEL PERMET L'OBTENTION EN UNE SEULE ETAPE CHIMIQUE, A TEMPERATURE AMBIANTE, D'UN SOLIDE COMPOSE D'UN LIGAND ORGANIQUE COMPLEXE A UN ION LANTHANIDE PERMETTANT AINSI, PAR TRANSFERT D'ENERGIE DU LIGAND VERS L'ION METALLIQUE, D'EXALTER LES PROPRIETES DE LUMINESCENCE DE CES MATERIAUX.
Author: M. Rodot
Publisher:
ISBN:
Category : Semiconductors
Languages : fr
Pages : 288
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