Implantation ionique d'oxygène à haute énergie dans le silicium PDF Download
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Author: Kamel Touhouche
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 376
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Author: Kamel Touhouche
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 376
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Author: Philippe Thevenin
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 134
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CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE
Author: Baudrant
Publisher: Lavoisier
ISBN: 2746241552
Category :
Languages : fr
Pages : 371
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Author: DANIEL.. BERTRAND
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 86
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ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE
![Implantation ionique à haute énergie du silicium dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/snioSgAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Abdellah Azelmad
Publisher: Bibliothèque nationale du Canada
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 248
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Author: PIERRE.. ROHR
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 162
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L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ETUDIER LES MECANISMES DU PIEGEAGE D'IMPURETES DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE. CETTE PROCEDURE A POUR BUT D'OPTIMISER LE FONCTIONNEMENT DES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS, EN DEBARRASSANT LA ZONE ACTIVE DES IMPURETES INDESIRABLES. CES IMPURETES SONT ALORS REGROUPEES DANS UNE COUCHE ENTERREE ENDOMMAGEE ET STABLE SITUEE SOUS UNE COUCHE SUPERIEURE D'EXCELLENTE QUALITE CRISTALLINE. L'IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE EST ADAPTEE A CE GENRE D'APPLICATION, PUISQUE QUE LA PLUPART DES DOMMAGES CRISTALLOGRAPHIQUES RESIDUELS SONT LOCALISES EN PROFONDEUR. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE LE PIEGEAGE PAR IMPLANTATION D'ARGON OU DE CARBONE DANS DES SUBSTRATS DE SILICIUM INTENTIONNELLEMENT CONTAMINES A L'OR OU AU PLATINE. LA NATURE ET LA STABILITE DES DEFAUTS CREES ONT ETE DETERMINEES PAR LA CANALISATION DES PARTICULES ET LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE PAR TRANSMISSION. LES CINETIQUES D'ACCUMULATION DE L'OR OU DU PLATINE SUR CES DEFAUTS ONT ETE MESUREES PAR DES ANALYSES PAR RETRODIFFUSION RUTHERFORD EN FONCTION DE DIFFERENTS PARAMETRES. DANS LE CAS D'UN PIEGEAGE PAR IMPLANTATION D'ARGON LES DEFAUTS CREES SONT DES BULLES ET DES DISLOCATIONS, MAIS SEULES CES DERNIERES SONT DES CENTRES DE PIEGEAGE. SI LE PIEGEAGE S'EFFECTUE PAR IMPLANTATION DE CARBONE, LES CENTRES DE PIEGEAGE, TRES STABLES, SONT DES COMPLEXES D'ATOMES DE CARBONE ET DE SILICIUM ET DES BOUCLES EXTRINSEQUES POUR LES FORTES DOSES D'IMPLANTATION. LES RESULTATS ONT ETE INTERPRETES PAR UN MODELE PRENANT EN COMPTE UNE REACTION DE PIEGEAGE-DEPIEGEAGE AINSI QUE LA GUERISON DES CENTRES DE PIEGEAGE AU COURS DES RECUITS. CE TRAVAIL MONTRE QU'UNE IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE DE CARBONE EST IDEALE POUR CETTE OPERATION DE PIEGEAGE DE PROXIMITE
Author:
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Category : Government reports announcements & index
Languages : en
Pages : 1836
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Author:
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Category : Science
Languages : en
Pages : 686
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Author:
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Category : Dissertations, Academic
Languages : en
Pages : 870
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Author:
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Category : Dissertation abstracts
Languages : en
Pages : 796
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