Etude sous champ magnétique intense de nanostructures semi-conductrices à cascade quantique

Etude sous champ magnétique intense de nanostructures semi-conductrices à cascade quantique PDF Author: François-Régis Jasnot
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 159

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Book Description
Ce travail de thèse a porté sur l’étude de structures à cascade quantique dans le régime de l’effet Hall quantique. Deux types d’hétérostructures semi-conductrices ont été étudiés : une structure émettrice térahertz et une structure détectrice moyen infrarouge. Dans le premier cas, une mise en évidence claire de l’émission cyclotron a pu être démontrée grâce à la quantification de Landau résultant de l’application d’un champ magnétique perpendiculaire aux couches d’une structure à multi-puits quantiques. Cette étude a permis de réaliser un composant électroluminescent accordable en champ magnétique et émettant directement par le surface. Le mécanisme de diffusion responsable de cette émission est l’interaction électron-électron, un mécanisme de type Auger à N-corps. Le champ magnétique sert dans ce cas de paramètre extérieur pour créer de nouveaux états électroniques permettant d’observer de l’émission lumineuse non-conventionnelle. L’étude d’un détecteur à cascade quantique à 8 μm a été réalisée dans l’obscurité et sous illumination. Les chemins électroniques ont pu être identifiés dans les deux cas. Un modèle de photocourant ainsi que le calcul du temps de vie en fonction du champ magnétique de l’interaction électron-impuretés ionisées ont été développés. Ils ont permis d’identifier les améliorations à réaliser pour la mise en œuvre de futures caméras basées sur des détecteurs à cascade quantique : importance de la place des impuretés ionisées dans la région active et rôle crucial du dessin de la cascade. Le champ magnétique a montré dans cette deuxième étude son formidable pouvoir d’outil spectroscopique

Etude sous champ magnétique intense de nanostructures semi-conductrices à cascade quantique

Etude sous champ magnétique intense de nanostructures semi-conductrices à cascade quantique PDF Author: François-Régis Jasnot
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Pages : 159

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Ce travail de thèse a porté sur l’étude de structures à cascade quantique dans le régime de l’effet Hall quantique. Deux types d’hétérostructures semi-conductrices ont été étudiés : une structure émettrice térahertz et une structure détectrice moyen infrarouge. Dans le premier cas, une mise en évidence claire de l’émission cyclotron a pu être démontrée grâce à la quantification de Landau résultant de l’application d’un champ magnétique perpendiculaire aux couches d’une structure à multi-puits quantiques. Cette étude a permis de réaliser un composant électroluminescent accordable en champ magnétique et émettant directement par le surface. Le mécanisme de diffusion responsable de cette émission est l’interaction électron-électron, un mécanisme de type Auger à N-corps. Le champ magnétique sert dans ce cas de paramètre extérieur pour créer de nouveaux états électroniques permettant d’observer de l’émission lumineuse non-conventionnelle. L’étude d’un détecteur à cascade quantique à 8 μm a été réalisée dans l’obscurité et sous illumination. Les chemins électroniques ont pu être identifiés dans les deux cas. Un modèle de photocourant ainsi que le calcul du temps de vie en fonction du champ magnétique de l’interaction électron-impuretés ionisées ont été développés. Ils ont permis d’identifier les améliorations à réaliser pour la mise en œuvre de futures caméras basées sur des détecteurs à cascade quantique : importance de la place des impuretés ionisées dans la région active et rôle crucial du dessin de la cascade. Le champ magnétique a montré dans cette deuxième étude son formidable pouvoir d’outil spectroscopique

Etude Des Structures À Cascade Quantique Sous Champ Magnétique

Etude Des Structures À Cascade Quantique Sous Champ Magnétique PDF Author: Nicolas Péré-Laperne
Publisher: Omniscriptum
ISBN: 9786131545986
Category :
Languages : fr
Pages : 156

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Book Description
Le travail de thèse a porté de façon générale sur l'étude des transitions électroniques dans les hétérostructures à cascade quantique. Deux types de structures ont été étudiés, le laser émettant dans la gamme des THz et le détecteur moyen infrarouge. Cette étude a été menée en champ magnétique appliqué perpendiculairement ou parallèlement aux couches des hétérostructures. Dans la première configuration, nous avons observé des oscillations de courant dans les deux types de structures. Ces oscillations sont la signature de différents processus de relaxation élastiques et inélastiques. Par la quantification de Landau, les temps de vie des électrons sur les niveaux mis en jeu dans les transitions sont modifiés menant à une modulation du courant en fonction du champ magnétique. Un modèle a été développé pour en comprendre l'origine. Enfin, dans la seconde configuration, en champ magnétique appliqué de façon parallèle aux couches des lasers à cascade, nous avons pu mettre en évidence un déplacement relatif des sousbandes de la transition radiative.

Étude des rayures dans un double puits quantique en champ magnétique intense [microforme]

Étude des rayures dans un double puits quantique en champ magnétique intense [microforme] PDF Author: Dorra Bouchiha
Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612866379
Category :
Languages : fr
Pages : 170

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Structure de bandes et transport électronique dans les nanotubes de carbone sous champ magnétique intense

Structure de bandes et transport électronique dans les nanotubes de carbone sous champ magnétique intense PDF Author: Sébastien Nanot
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 160

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Des mesures de transport électronique dans des nanotubes de carbone multiparois individuels sous champ magnétique pulsé (60T) sont présentées dans cette thèse. L'objectif est d'observer les modifications de la dispersion électronique par le champ magnétique. Des nanotubes de très bonne qualité cristalline sont connectés sur des distances courtes entre contacts, permettant d'atteindre des régimes de transport quasi-balistiques ou faiblement diffusifs, la paroi externe contribuant principalement. La configuration transistor permet de moduler l'énergie des porteurs (niveau de Fermi) sur plusieurs sous-bandes via un potentiel électrostatique (dit de grille). Afin de préciser la contribution des parois plus internes, une étude en spectroscopie Raman est présentée dans un premier temps. Nous constatons que l'intensité du transfert de charges entre parois successives varie fortement d'un feuillet à l'autre. L'étude sous champ magnétiques de nanotubes de parois externes semiconductrices et métalliques est ensuite présentée. Lorsque le champ magnétique est appliqué perpendiculairement à l'axe du nanotube, la formation de niveaux de Landau propagatifs est mise en évidence. Celle-ci se traduit par des modulations des conditions de résonance dans un régime de type Fabry-Pérot électronique, par la fermeture du gap électronique d'une paroi semiconductrice ainsi que la réintroduction de la rétrodiffusion dans une paroi métallique. Ce dernier effet s'accompagne d'un ancrage du niveau de Fermi vers celui de Landau se formant à énergie nulle à très fort champ. L'ensemble de ces résultats est en accord avec des modèles théoriques prenant en compte un désordre homogène. Enfin, l'effet Aharonov-Bohm sur plusieurs périodes et plusieurs sous-bandes est observé sous un champ parallèle à l'axe du nanotube. La métallicité de la paroi externe et la correspondance entre la tension de grille et l'énergie des porteurs sont obtenues en comparant les oscillations de conductance expérimentales à un modèle obtenu pour un cas parfait. Afin de décrire en détail la signature magnétique, les diminutions des transmissions aux contacts et la contribution de défauts sont qualitativement étudiées.

ICREEC 2019

ICREEC 2019 PDF Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659

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Book Description
This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Optical Properties Of Graphene

Optical Properties Of Graphene PDF Author: Rolf Binder
Publisher: World Scientific
ISBN: 9813148764
Category : Science
Languages : en
Pages : 517

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Book Description
This book provides a comprehensive state-of-the-art overview of the optical properties of graphene. During the past decade, graphene, the most ideal and thinnest of all two-dimensional materials, has become one of the most widely studied materials. Its unique properties hold great promise to revolutionize many electronic, optical and opto-electronic devices. The book contains an introductory tutorial and 13 chapters written by experts in areas ranging from fundamental quantum mechanical properties to opto-electronic device applications of graphene.

Organic Solid-State Lasers

Organic Solid-State Lasers PDF Author: Sébastien Forget
Publisher: Springer
ISBN: 3642367054
Category : Science
Languages : en
Pages : 179

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Book Description
Organic lasers are broadly tunable coherent sources, potentially compact, convenient and manufactured at low-costs. Appeared in the mid 60’s as solid-state alternatives for liquid dye lasers, they recently gained a new dimension after the demonstration of organic semiconductor lasers in the 90's. More recently, new perspectives appeared at the nanoscale, with organic polariton and surface plasmon lasers. After a brief reminder to laser physics, a first chapter exposes what makes organic solid-state organic lasers specific. The laser architectures used in organic lasers are then reviewed, with a state-of-the-art review of the performances of devices with regard to output power, threshold, lifetime, beam quality etc. A survey of the recent trends in the field is given, highlighting the latest developments with a special focus on the challenges remaining for achieving direct electrical pumping of organic semiconductor lasers. A last chapter covers the applications of organic solid-state lasers.

Flexoelectricity in Liquid Crystals

Flexoelectricity in Liquid Crystals PDF Author: Agnes Buka
Publisher: World Scientific
ISBN: 1848167997
Category : Science
Languages : en
Pages : 299

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Book Description
The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.

X-Ray and Neutron Reflectivity: Principles and Applications

X-Ray and Neutron Reflectivity: Principles and Applications PDF Author: Jean Daillant
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 3540486968
Category : Science
Languages : en
Pages : 347

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Book Description
The reflection of and neutrons from surfaces has existed as an x-rays exp- imental for almost it is in the last technique fifty Nevertheless, only years. decade that these methods have become as of enormously popular probes This the surfaces and interfaces. to be due to of several appears convergence of intense different circumstances. These include the more n- availability be measured orders tron and sources that can over (so reflectivity x-ray many of and the much weaker surface diffuse can now also be magnitude scattering of thin films and studied in some the detail); growing importance multil- basic the realization of the ers in both and technology research; important which in the of surfaces and and role roughness plays properties interfaces; the of statistical models to characterize the of finally development topology its and its characterization from on roughness, dependence growth processes The of and to surface scattering experiments. ability x-rays neutro4s study four five orders of in scale of surfaces over to magnitude length regardless their and also their to ability probe environment, temperature, pressure, etc. , makes these the choice for buried interfaces often probes preferred obtaining information about the microstructure of often in statistical a global surfaces, the local This is manner to complementary imaging microscopy techniques, of such studies in the literature witnessed the veritable by explosion published the last few Thus these lectures will useful for over a resource years.

III-Nitride Semiconductors

III-Nitride Semiconductors PDF Author: M.O. Manasreh
Publisher: Elsevier
ISBN: 0080534449
Category : Science
Languages : en
Pages : 463

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Book Description
Research advances in III-nitride semiconductor materials and device have led to an exponential increase in activity directed towards electronic and optoelectronic applications. There is also great scientific interest in this class of materials because they appear to form the first semiconductor system in which extended defects do not severely affect the optical properties of devices. The volume consists of chapters written by a number of leading researchers in nitride materials and device technology with the emphasis on the dopants incorporations, impurities identifications, defects engineering, defects characterization, ion implantation, irradiation-induced defects, residual stress, structural defects and phonon confinement. This unique volume provides a comprehensive review and introduction of defects and structural properties of GaN and related compounds for newcomers to the field and stimulus to further advances for experienced researchers. Given the current level of interest and research activity directed towards nitride materials and devices, the publication of the volume is particularly timely. Early pioneering work by Pankove and co-workers in the 1970s yielded a metal-insulator-semiconductor GaN light-emitting diode (LED), but the difficulty of producing p-type GaN precluded much further effort. The current level of activity in nitride semiconductors was inspired largely by the results of Akasaki and co-workers and of Nakamura and co-workers in the late 1980s and early 1990s in the development of p-type doping in GaN and the demonstration of nitride-based LEDs at visible wavelengths. These advances were followed by the successful fabrication and commercialization of nitride blue laser diodes by Nakamura et al at Nichia. The chapters contained in this volume constitutes a mere sampling of the broad range of research on nitride semiconductor materials and defect issues currently being pursued in academic, government, and industrial laboratories worldwide.