Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium

Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium PDF Author: Philippe Vendange (auteur en microélectronique).)
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Languages : fr
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Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat

Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium

Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium PDF Author: Philippe Vendange (auteur en microélectronique).)
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Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat

Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium

Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium PDF Author: Philippe Vendange
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Languages : fr
Pages : 220

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MISE EN EVIDENCE D'UN NOUVEL ENSEMBLE DE RAIES DANS LE SPECTRE DE PHOTOLUMINESCENCE DU SILICIUM RECUIT A 600**(O)C PENDANT UNE CENTAINE D'HEURES. OBSERVATION D'ENERGIE DE LOCALISATION FAIBLE ET D'UNE RAIE A ZERO PHONON. PROPOSITION D'UN MODELE PRENANT EN COMPTE LES VARIATIONS DE POTENTIEL AUX INTERFACES ENTRE LES PRECIPITES D'OXYGENE GENERES PAR LE RECUIT ET LE SUBSTRAT

Etude par photoluminescence des centres associés à l'oxygène et au carbone dans le silicium

Etude par photoluminescence des centres associés à l'oxygène et au carbone dans le silicium PDF Author: Azzedine Lazrak
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Languages : fr
Pages : 98

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LES DEFAUTS ASSOCIES A LA PRECIPITATION DU CARBONE ET DE L'OXYGENE QUI S'INCORPORENT LORS DE LA CROISSANCE DU SILICIUM PAR LA METHODE DE CZOCHRALSKIJ ONT EGALEMENT ETE ETUDIES. LES EFFETS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ET DE L'IRRADIATION ELECTRONIQUE ONT ETE EGALEMENT ETUDIES

Étude des défauts liés à l'oxygène dans le silicium Czochralski destiné aux cellules solaires photovoltaïques – Influence des impuretés isovalentes

Étude des défauts liés à l'oxygène dans le silicium Czochralski destiné aux cellules solaires photovoltaïques – Influence des impuretés isovalentes PDF Author: Florent Tanay
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Languages : fr
Pages : 228

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Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.

Études sur les défauts étendus dans le silicium

Études sur les défauts étendus dans le silicium PDF Author: Bernard Leroy (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
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Lake Pavin

Lake Pavin PDF Author: Télesphore Sime-Ngando
Publisher: Springer
ISBN: 3319399616
Category : Science
Languages : en
Pages : 422

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This book represents the first multidisciplinary scientific work on a deep volcanic maar lake in comparison with other similar temperate lakes. The syntheses of the main characteristics of Lake Pavin are, for the first time, set in a firmer footing comparative approach, encompassing regional, national, European and international aquatic science contexts. It is a unique lake because of its permanently anoxic monimolimnion, and furthermore, because of its small surface area, its substantially low human influence, and by the fact that it does not have a river inflow. The book reflects the scientific research done on the general limnology, history, origin, volcanology and geological environment as well as on the geochemistry and biogeochemical cycles. Other chapters focus on the biology and microbial ecology whereas the sedimentology and paleolimnology are also given attention. This volume will be of special interest to researchers and advanced students, primarily in the fields of limnology, biogeochemistry, and aquatic ecology.

Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène

Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène PDF Author: Colonel Chomard (manager des Forbans).)
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Languages : fr
Pages : 0

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Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène

Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène PDF Author: Colonel Chomard
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Languages : fr
Pages : 132

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Origine et influence de l'activité électrique des dislocations dans le silicium cristallin

Origine et influence de l'activité électrique des dislocations dans le silicium cristallin PDF Author: Jean-Jacques Simon
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 159

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L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES DISLOCATIONS A ETE ETUDIEE DANS DES PLAQUETTES DE SILICIUM MONOCRISTALLINES OBTENUES PAR FUSION DE ZONE (FZ) ET PAR TIRAGE CZOCHRALSKI (CZ). LES TECHNIQUES EXPERIMENTALES UTILISEES LORS DE CETTE ETUDE SONT PRINCIPALEMENT LA TECHNIQUE LBIC (LIGHT BEAM INDUCED CURRENT) ET LA TECHNIQUE DLTS (DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY). DES ANALYSES DE CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION ET DES TOPOGRAPHIES X ONT COMPLETE CES MESURES. LES RESULTATS MONTRENT QUE LES DISLOCATIONS SONT PLUS RECOMBINANTES DANS LE SILICIUM CZ RICHE EN OXYGENE ET QUE, DANS LE SILICIUM FZ CETTE ACTIVITE ELECTRIQUE VARIE AVEC L'ORIENTATION CRISTALLINE. DANS LE SILICIUM FZ, UNE DIFFUSION SUPERFICIELLE DE PHOSPHORE PERMET DE DECONTAMINER LES DISLOCATIONS PAR EFFET GETTER EXTERNE ET DE FAIRE DISPARAITRE, A TEMPERATURE AMBIANTE, LE CONTRASTE LBIC ASSOCIE A CES DEFAUTS. PARALLELEMENT, LES NIVEAUX PIEGES PROFONDS LIES AUX DISLOCATIONS NE SONT PLUS DECELABLES EN DLTS APRES UNE DIFFUSION DE PHOSPHORE A 900C PENDANT 4 HEURES. LE COMPORTEMENT DU SILICIUM CZ S'AVERE PLUS COMPLEXE EN RAISON DE SA SURSATURATION EN OXYGENE. IL EST EN EFFET NECESSAIRE D'APPLIQUER UN TRAITEMENT PREALABLE AU PHOSPHORE AFIN DE SUPPRIMER LE CONTRASTE LBIC EN ANNEAUX, CARACTERISTIQUE DE MICRO-DEFAUTS REPARTIS RADIALEMENT ET LIES A LA PRECIPITATION DE L'OXYGENE, AFIN DE POUVOIR ALORS DISCERNER CELUI ASSOCIE AUX DISLOCATIONS. CES RESULTATS TENDENT A DEMONTRER QUE L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES DISLOCATIONS A TEMPERATURE AMBIANTE EST ESSENTIELLEMENT D'ORIGINE EXTRINSEQUE ET QU'IL EST POSSIBLE DE PASSIVER CES DEFAUTS DES LORS QU'ILS NE SONT PAS DECORES PAR DE L'OXYGENE

Dictionary of Building and Civil Engineering

Dictionary of Building and Civil Engineering PDF Author: Don Montague
Publisher: Taylor & Francis
ISBN: 9780419199106
Category : Architecture
Languages : en
Pages : 472

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This dual-language dictionary lists over 20,000 specialist terms in both French and English, covering architecture, building, engineering and property terms. It meets the needs of all building professionals working on projects overseas. It has been comprehensively researched and compiled to provide an invaluable reference source in an increasingly European marketplace.