ETUDE PAR LA METHODE SIMS DE LA NITRURATION THERMIQUE SOUS AMMONIAC DE COUCHES EPAISSES D'OXYDE DE SILICIUM PDF Download
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Author: ERIC.. BREELLE
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Languages : fr
Pages : 96
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Book Description
CE TRAVAIL FAIT LA SYNTHESE D'EXPERIENCES SUR LA NITRURATION THERMIQUE SOUS AMMONIAC DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM EPAISSES. CETTE ETUDE A ETE MENEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA DUREE DU TRAITEMENT DES RECUITS AINSI QU'EN FONCTION DE LA PRESSION PARTIELLE DE L'AMMNONIAC. LES PROFILS D'AZOTE DANS L'EPAISSEUR DES COUCHES NITRUREES ONT ETE DETERMINES PAR LA METHODE SIMS. SUR LE PLAN THEORIQUE, LE MECANISME DE LA NITRURATION EST INTERPRETE COMME ETANT LE RESULTAT DE LA DIFFUSION INTERSTITIELLE DES MOLECULES D'AMMONIAC ET DE LEURS REACTIONS CHIMIQUES AVEC LE RESEAU DE SILICE
Author: ERIC.. BREELLE
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Languages : fr
Pages : 96
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Book Description
CE TRAVAIL FAIT LA SYNTHESE D'EXPERIENCES SUR LA NITRURATION THERMIQUE SOUS AMMONIAC DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM EPAISSES. CETTE ETUDE A ETE MENEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA DUREE DU TRAITEMENT DES RECUITS AINSI QU'EN FONCTION DE LA PRESSION PARTIELLE DE L'AMMNONIAC. LES PROFILS D'AZOTE DANS L'EPAISSEUR DES COUCHES NITRUREES ONT ETE DETERMINES PAR LA METHODE SIMS. SUR LE PLAN THEORIQUE, LE MECANISME DE LA NITRURATION EST INTERPRETE COMME ETANT LE RESULTAT DE LA DIFFUSION INTERSTITIELLE DES MOLECULES D'AMMONIAC ET DE LEURS REACTIONS CHIMIQUES AVEC LE RESEAU DE SILICE
Author: Allal Serrari
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Languages : fr
Pages : 194
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Book Description
Le silicium et l'oxyde de silicium nitrurés présentent de meilleures propriétés diélectriques que l'oxyde de silicium utilisé dans la technologie M.O.S. (métal-oxyde-silicium), d'où l'intérêt de les étudier.La nitruration a été effectuée à pression atmosphérique sous NH3 à haute température (900°C-1100°C) et pendant une durée variant de quelques secondes à 1 ou 2 heures.Pour comprendre le mécanisme de nitruration, nous avons étudié l'influence de plusieurs paramètres de nitruration sur la composition chimique des couches réalisées.La caractérisation physico-chimique a été effectuée par plusieurs technique d'analyse complémentaires telles que : l'analyse par réaction nucléaire, les spectrométries d'électrons Auger et de photoélectrons, la spectroscopie de masse d'ions secondaires et l'ellipsométrie.Nous avons montré que la nitruration du silicium conduit à des couches contenant de l'oxygène. L'épaisseur de ces dernières augmente avec le temps et la température de nitruration mais saturent après une heure (80 A à 1100°C).L'oxyde de silicium nitruré (oxynitrure) présente une surface riche en azote par rapport au volume avec l'existence d’un pic d'azote près de l'inter- face avec le silicium.Nous avons observé ce pic dès 30 secondes pour un oxyde de 450 A, ce qui signifie un coefficient de diffusion de 3.10-13 cm2/s. Le coefficient de diffusion diminue rapidement, atteint 10-15 cm2/s dès 10 minutes de nitruration. L'incorporation de l'azote dans la couche d'oxyde s'accompagne d'une diminution de la quantité d'oxygène. Le mécanisme de transport atomique de l'oxygène pendant la nitruration a été étudié en utilisant des oxydes isotopiques.Un modèle du mécanisme de nitruration a été proposé.Les mesures capacité-tension à 1 MHZ ont permis de déterminer l'évolution de la tension de bande plate et de la quantité de charges dans la couche.Nous avons mis en évidence les propriétés de barrière à l'oxydation des oxynitrures réalisés.
Author: AHMAD.. BENAMAR
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Languages : fr
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LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES TRES MINCES (130 A) DE SIO#2 EST EFFECTUEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES (BT, HT, RTN). LA NITRURATION A BASSE PRESSION (BT OU HT) PERMET DE SITUER LA REACTION DE NITRURATION A LA SURFACE DE LA SILICE, EMPECHANT AINSI LA DIFFUSION DES ESPECES NITRURANTES. DE MEME, LA RTN EVITE LA MIGRATION DE L'AZOTE DANS LA MASSE DE LA SILICE ET LA REDISTRIBUTION DES DOPANTS. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SIMS, AES, IRS, RS) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA SILICE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI-SIO2 ET A REVELE LES DIFFERENTES LIAISONS CHIMIQUES (SI-N,SI-H,O-H,N-H) SUSCEPTIBLE D'ETRE A L'ORIGINE D'UN PIEGEAGE-DEPIEGEAGE DES PORTEURS. L'ANALYSE A PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DE VFB DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE ET DES HAUTEURS DE BARRIERE INTERFACIALES EN FONCTION DE LA NITRURATION. DIFFERENTS TYPES DE PIEGES CREES LORS DE LA NITRURATION ONT ETE DETECTES ET CARACTERISES (CONCENTRATION, SECTION EFFICACE, BARYCENTRE). LA QUALITE DE L'INTERFACE (DENSITE D'ETATS) DEPEND DES CONDITIONS ET PARAMETRES DE LA NITRURATION, DE LA QUALITE DE L'OXYDE: SI LE DESORDRE INTERFACIAL EST INITIALEMENT ELEVE, IL EST AUGMENTE APRES NITRURATION, L'AMPLITUDE DE CETTE VARIATION DEPEND DU MODE DE NITRURATION (CONTINU, SEQUENTIEL). EN RTN LA DENSITE N#I#T DIMINUE QUAND LE TEMPS DE NITRURATION AUGMENTE. GLOBALEMENT, LA NITRURATION PERMET D'AVOIR DES ISOLANTS DE BONNES QUALITES ET PEUT ETRE UN PROCEDE DE PASSIVATION EFFICACE. SI LES CONDITIONS DE NITRURATION SONT OPTIMISEES LES ISOLANTS PEUVENT DEVENIR MEILLEURS QUE LES OXYDES
Author: Michel Plantard
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Languages : fr
Pages : 162
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PREPARATION DES COUCHES NITRUREES A 1100**(O)C SOUS AMMONIAC ET ANALYSE PAR ELLIPSOMETRIE, SPECTROMETRIE ESCA. AUGER ET REACTION NUCLEAIRE. PRESENCE A LA FOIS D'AZOTE ET D'OXYGENE DANS LES COUCHES DE NITRURE. DISTRIBUTION DE L'AZOTE EN FONCTION DU TEMPS DE NITRURATION. CARACTERISATION ELECTRIQUE
Author: Allal Serrari
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Languages : fr
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Author: Mohamed Benyahya
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