Etude et modélisation d'un générateur photovoltaïque à forte concentration pour cellules au silicium PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Etude et modélisation d'un générateur photovoltaïque à forte concentration pour cellules au silicium PDF full book. Access full book title Etude et modélisation d'un générateur photovoltaïque à forte concentration pour cellules au silicium by Thierry Emeraud. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Thierry Emeraud
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 227
Get Book Here
Book Description
L'ETUDE REALISEE CONCERNE LE MARCHE DE LA PRODUCTION D'ELECTRICITE PHOTOVOLTAIQUE SUR DES INSTALLATIONS D'UNE PUISSANCE CRETE SUPERIEURES OU EGALE A 100 KW ET SUR DES SITES A FORT ENSOLEILLEMENT DIRECT. LES POSSIBILITES TECHNICO-ECONOMIQUES DE LA FILIERE HAUTE CONCENTRATION SUR SILICIUM SONT EVALUEES A COURT ET MOYEN TERMES PAR RAPPORT AUX MODULES PLANS AU SI MULTICRISTALLIN. LA NATURE DU DISPOSITIF OPTIQUE DE CONCENTRATION ET DU SYSTEME DE REFROIDISSEMENT EST DEFINIE POUR DES CELLULES AU SI DE SURFACE ACTIVE SUPERIEURE A 0,5 CM#2 ET UN TAUX DE CONCENTRATION SUPERIEUR A 200 X. CHAQUE COMPOSANTE EST OPTIMISEE A PARTIR DE MESURES EXPERIMENTALES ET DE MODELES ANALYTIQUES PROPRES. LES OPTIONS AINSI DEFINIES ONT ETE ADAPTEES A LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'UN BANC DE MESURES DE PHOTOPILES SOUS ECLAIREMENT NATUREL CONCENTRE PERMANENT. VISANT A GARANTIR FIABILITE ET POLYVALENCE MAXIMALES, CE DISPOSITIF PERMET LA CARACTERISATION DE CELLULES DE NATURE, GEOMETRIE ET TAILLE DIVERSES. LA MISE AU POINT DU BANC EST EFFECTUEE DANS LE CADRE DE L'EXPERIMENTATION DE DEUX CELLULES SI DE GEOMETRIE CARREE (SURFACE ACTIVE: 0,64 CM#2) ET A STRUCTURE DE CONTACTS INTERDIGITES SUR LA FACE ARRIERE (IBC). LE FONCTIONNEMENT DES CELLULES DANS DES CONDITIONS REPRESENTATIVES DE LEUR CONTEXTE D'UTILISATION EST ANALYSE AU TRAVERS DE L'OBTENTION DE SES PARAMETRES EXTERNES, ET DE L'ETUDE DE L'EVOLUTION DE CES PARAMETRES EN FONCTION DU NIVEAU DE FLUX LUMINEUX INCIDENT ET DE LA TEMPERATURE DE JONCTION
Author: Thierry Emeraud
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 227
Get Book Here
Book Description
L'ETUDE REALISEE CONCERNE LE MARCHE DE LA PRODUCTION D'ELECTRICITE PHOTOVOLTAIQUE SUR DES INSTALLATIONS D'UNE PUISSANCE CRETE SUPERIEURES OU EGALE A 100 KW ET SUR DES SITES A FORT ENSOLEILLEMENT DIRECT. LES POSSIBILITES TECHNICO-ECONOMIQUES DE LA FILIERE HAUTE CONCENTRATION SUR SILICIUM SONT EVALUEES A COURT ET MOYEN TERMES PAR RAPPORT AUX MODULES PLANS AU SI MULTICRISTALLIN. LA NATURE DU DISPOSITIF OPTIQUE DE CONCENTRATION ET DU SYSTEME DE REFROIDISSEMENT EST DEFINIE POUR DES CELLULES AU SI DE SURFACE ACTIVE SUPERIEURE A 0,5 CM#2 ET UN TAUX DE CONCENTRATION SUPERIEUR A 200 X. CHAQUE COMPOSANTE EST OPTIMISEE A PARTIR DE MESURES EXPERIMENTALES ET DE MODELES ANALYTIQUES PROPRES. LES OPTIONS AINSI DEFINIES ONT ETE ADAPTEES A LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'UN BANC DE MESURES DE PHOTOPILES SOUS ECLAIREMENT NATUREL CONCENTRE PERMANENT. VISANT A GARANTIR FIABILITE ET POLYVALENCE MAXIMALES, CE DISPOSITIF PERMET LA CARACTERISATION DE CELLULES DE NATURE, GEOMETRIE ET TAILLE DIVERSES. LA MISE AU POINT DU BANC EST EFFECTUEE DANS LE CADRE DE L'EXPERIMENTATION DE DEUX CELLULES SI DE GEOMETRIE CARREE (SURFACE ACTIVE: 0,64 CM#2) ET A STRUCTURE DE CONTACTS INTERDIGITES SUR LA FACE ARRIERE (IBC). LE FONCTIONNEMENT DES CELLULES DANS DES CONDITIONS REPRESENTATIVES DE LEUR CONTEXTE D'UTILISATION EST ANALYSE AU TRAVERS DE L'OBTENTION DE SES PARAMETRES EXTERNES, ET DE L'ETUDE DE L'EVOLUTION DE CES PARAMETRES EN FONCTION DU NIVEAU DE FLUX LUMINEUX INCIDENT ET DE LA TEMPERATURE DE JONCTION
Author: Xavier Blot
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
La production d'énergie photovoltaïque est une option d'avenir pour répondre au développement économique de notre société tout en réduisant notre impact sur l'environnement. Mais pour devenir compétitive, cette filière doit améliorer le rendement des cellules solaires. Une technologie d'avenir consiste à combiner différents matériaux via une croissance par épitaxie et l'usage du collage direct. Cette thèse, financée par SOITEC, vise au développement du collage d'arseniure de gallium (GaAs) sur le phosphure d'indium (InP) pour la cellule SmartCell. L'objectif est d'optimiser son comportement électrique via un modèle numérique prenant en compte son état physico-chimique. Nous présentons d'abord un ensemble d'outils de caractérisations électriques pour réaliser une mesure I(V) précises de l'interface de collage. En fonction des cas, nous détaillons des contacts métalliques adaptés pour améliorer cette caractérisation. Une étude détaillée de l'hétérostructure GaAs/InP et des homostructures GaAs/GaAs et InP/InP amène ensuite à une compréhension de leur mécanisme de collage. Après recuit thermique, le procédé de collage hydrophile engendre des oxydes d'interfaces qui se résorbent dans le cas de l'InP et se fragmentent pour le GaAs. A paramètres constants, les empilements obtenus sont meilleurs que ceux de l'état de l'art au niveau électrique et mécanique. Nous poursuivons avec des propositions de procédés innovants pour maitriser l'oxyde d'interface et optimiser l'hétérostructure. Parmi ces options nous validons l'approche avec exposition ozone qui vise à générer sélectivement un oxyde avant mise en contact. L'empilement obtenu affiche une résistance proche de nos mesures de référence et a un fort potentiel. Enfin l'étude se conclue sur la présentation d'un modèle numérique inédit reliant procédé de collage, état d'interface et comportement électrique. A recuit donné, l'interface est hétérogène avec une zone reconstruite (conduction thermo-électronique) et une zone avec oxyde (conduction tunnel). Ces régions s'activent préférentiellement en fonction de la température de fonctionnement. Elles sont pondérés par un critère qui détermine le niveau de reconstruction du collage et qui sera utile pour de futurs développements de l'application.
Author: Benoit Guillo Lohan
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 126
Get Book Here
Book Description
Les performances électriques des cellules photovoltaïques à base de silicium sont fortement dégradées lorsque leur température augmente. Cette problématique, pourtant bien connue, n'est pas suffisamment prise en considération dans l'industrie du photovoltaïque. Pour parer à cette dégradation, deux voies d'améliorations peuvent être explorées : diminuer la température de fonctionnement des cellules ou réduire leurs coefficients de dégradation en température. Cette étude est d'autant plus importante pour les applications sous concentrations, un éclairement élevé favorisant l'échauffement des cellules. Pour les facteurs de concentration élevés, l'utilisation de systèmes de refroidissement actifs réduit drastiquement la température de fonctionnement. Pour les faibles éclairements, le refroidissement passif est préféré, bien moins coûteux en énergie. Ce travail de thèse est focalisé sur l'étude du comportement thermo-électrique des cellules sous faible concentration du rayonnement incident. Un banc de caractérisation innovant développé dans cette thèse a rendu possible la quantification des variations de la température de la cellule avec la tension de polarisation sous différents facteurs de concentration. Avec l'augmentation de la polarisation, une évolution du facteur d'émission thermique est observée du fait des variations de la concentration de porteurs de charge minoritaires. Le refroidissement radiatif est minimal au courant de court-circuit et est maximal à la tension de circuit ouvert : la température atteinte au point de court-circuit est supérieure à celle atteinte en circuit ouvert. Pour une cellule donnée, sous un éclairement de 3 soleils, un écart de température de 6.2 °C a pu être mesuré entre ces deux points. La fabrication de cellules avec des propriétés différentes nous a permis de confirmer l'importance du dopage de la base et de l'architecture sur l'augmentation du refroidissement radiatif avec la polarisation. De plus, la comparaison du comportement thermo-électrique des cellules de type de dopages différents a mis en avant de plus faibles coefficients de dégradation en température de la tension en circuit ouvert pour les cellules ayant un substrat de type n. Par exemple, pour une température de et sous un éclairement de 1 soleil, un coefficient de dégradation en température du Voc de -0.45% %·°C-1 a été mesuré sur une cellule de type n contre -0.49%·°C-1 pour une cellule de type p.
Author: Francis Therez
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 204
Get Book Here
Book Description
ETUDES THEORIQUES ET EXPERIMENTALES SUR LES CELLULES SOLAIRES MONOCRISTALLINES DESTINEES A ETRE UTILISEES DANS LES SYSTEMES A CONCENTRATION. PRESENTATION DES CELLULES EN LIAISON AVEC LEUR INSERTION DANS LES SYSTEMES. MODELES THEORIQUES SIMPLIFIES ET METHODES DE CALCUL AVANCEES. PRESENTATION D'UN PROGRAMME NUMERIQUE GENERAL BASE SUR LA RESOLUTION DU SYSTEME D'EQUATIONS DES SEMICONDUCTEURS. UTILISATION DE CE MODELE POUR TRAITER DES CELLULES SOLAIRES AU SI ET AU GAAS SOUS RAYONNEMENT NON CONCENTRE. PROBLEMES POSES PAR LA CONCENTRATION, PERFORMANCES DU GENERATEUR SOPHOCLE CONCU DANS LES LABORATOIRES
Author: Raphaël Lachaume
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
La technologie des cellules photovoltaïques silicium à hétérojonction (HET) a montré un intérêt croissant ces dernières années. En alliant les avantages des technologies couches minces et silicium cristallin (c-Si), elle permet un meilleur compromis coûts-performances que les cellules purement c-Si. Cette thèse a pour but d'améliorer la compréhension des mécanismes physiques qui régissent les performances de ces cellules, en mettant à profit des compétences spécifiques de caractérisation et de simulation issues de la microélectronique. Nos travaux se focalisent sur l'étude de la face avant de la cellule HET de type n, composée d'un empilement de couches minces d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) et de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Nous commençons par une étude théorique et expérimentale de la conduction des couches d'a-Si:H en fonction de la température, du dopage et des défauts qu'elles contiennent. Prendre en compte l'équilibre dopant/défaut de ces couches est primordial mais nous montrons aussi que le travail de sortie des électrodes en contact, comme l'ITO, peut influer fortement sur la position du niveau de Fermi dans les films nanométriques d'a-Si:H. Nous présentons ensuite une évaluation de sept techniques de caractérisation du travail de sortie afin d'identifier les plus adaptées à l'étude de semiconducteurs dégénérés tels que l'ITO. Nous montrons notamment l'intérêt de techniques originales de la microélectronique comme les mesures de capacité C(V), de courant de fuite I(V) et de photoémission interne (IPE) sur des empilements ITO/biseau d'oxyde/silicium. Nous mettons clairement en évidence que les propriétés volumiques de l'ITO peuvent être optimisées, mais que les interfaces ont un effet prépondérant sur les valeurs de travaux de sortie effectifs (EWF) extraits. Une bonne cohérence globale a été obtenue pour les techniques C(V), I(V) et IPE sur biseau de silice (SiO2) ; les valeurs extraites ont notamment permis d'expliquer des résultats expérimentaux d'optimisation des cellules. Nous montrons que la tension de circuit ouvert (Voc) des cellules est finalement peu sensible au travail de sortie, contrairement au Facteur de Forme (FF), grâce à la couche d'a-Si:H. Plus cette dernière est dopée, défectueuse et épaisse, plus elle est capable d'écranter les variations électrostatiques d'EWF. Aussi, le travail de sortie doit être suffisamment élevé pour pouvoir réduire les épaisseurs de couche p d'a-Si:H et ainsi gagner en courant de court-circuit (Jsc) sans perdre en FF ni Voc. Enfin, il nous a été possible d'appliquer cette méthodologie à d'autres oxydes transparents conducteurs (TCO) que l'ITO. Le meilleur candidat de remplacement de l'ITO doit non seulement présenter une transparence optique élevée, être un bon conducteur et avoir un fort travail de sortie effectif, mais il faut également prêter une attention particulière à la dégradation éventuelle des interfaces causée par les techniques de dépôt.
Author: Nicolas Richet
Publisher: EDP Sciences
ISBN: 2759820068
Category : Science
Languages : fr
Pages : 222
Get Book Here
Book Description
L’énergie photovoltaïque est aujourd’hui en plein essor. La part issue des panneaux solaires dans la production d’électricité est de plus en plus importante et connaître le fonctionnement physique et les moyens de production d’une cellule solaire en silicium devient inévitable dans ce domaine. Ce livre présente le mécanisme élec...
Author: Ho-Sun Chung
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 159
Get Book Here
Book Description
Rappel des principes de base de l'effet photovoltai͏̈que et paramètres physiques utilisés dans les programmes de calcul. Analyse des divers facteurs de perte qui limitent le RDT de la cellule solaire. Modèle de simulation sur ordinateur des cellules solaires en tenant compte des paramètres physiques et géométriques pour SI monocristallin et polycristallin. Modèle mathématique de la jonction N**(+)P Polycristalline. Procédés technologiques utilisés pour la réalisation des études (capacités MOS, cellules solaires). Etudes des cellules en SI polycristallin (étude de caractérisation électrique et optique, ce qui nous permet de connaître QQ paramètres physiques tels que durée de vie dans le substrat et rendement de conversion énergétique)
Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
Get Book Here
Book Description
This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: SOUMANA.. HAMMA
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 178
Get Book Here
Book Description
CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE IN SITU DE LA CROISSANCE ET DES PROPRIETES DU SILICIUM MICROCRISTALLIN C-SI : H) AINSI QUE DES INTERFACES INTERVENANT DANS LES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE C-SI : H ET DE SILICIUM AMORPHE (A-SI:H). LA COMBINAISON DES MESURES IN SITU D'ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE AVEC DES MESURES DE CONDUCTIVITE ET DE SONDE DE KELVIN NOUS A PERMIS DE CORRELER LES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES ET STRUCTURALES DES COUCHES PENDANT LEUR CROISSANCE. CECI PERMET UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES MECANISMES CARACTERISANT LA TRANSITION AMORPHE / MICROCRISTALLIN ET LA FORMATION DES INTERFACES DANS LES DISPOSITIFS. EN UTILISANT LA TECHNIQUE DE DEPOT PAR PLASMAS ALTERNES (DITE DE LAYER-BY-LAYER) NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUATRE ETAPES PENDANT LA FORMATION DU C-SI:H SUR SUBSTRAT AMORPHE. L'HYDROGENE EST LE MOTEUR PRINCIPAL DE LA TRANSITION AMORPHE / MICROCRISTALLIN ET SON ROLE PARTICULIER AUX DIFFERENTES ETAPES DE LA CROISSANCE A ETE ANALYSE. LA ZONE (SURFACE OU VOLUME) OU SE DEROULE LA GERMINATION SEMBLE ETROITEMENT LIE A LA PRESENCE OU NON D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE. LES PROPRIETES DU C-SI:H (CONDUCTIVITE, POTENTIEL DE CONTACT, STABILITE) SONT ETROITEMENT LIEES A LA FRACTION CRISTALLINE, LA FRACTION DE VIDE, LA TAILLE DES GRAINS ET L'EPAISSEUR DE LA COUCHE. CES QUANTITES DEPENDENT DE LA TEMPERATURE ET DE LA PRESSION DE DEPOT QUI CONSTITUENT PAR AILLEURS DES PARAMETRES ESSENTIELS POUR L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE ET DE LA VITESSE DE DEPOT DU C-SI : H. DES COUCHES MICROCRISTALLINES DOPEES N ET P TRES MINCES ( 10 NM) ONT ETE OBTENUES. L'APPLICATION DE CES COUCHES DANS LES PHOTOPILES NOUS A CONDUIT A ABORDER LE PROBLEME DE L'INTERFACE C-SI : H/A-SI : H. LE DEPOT DU C-SI : H SUR A-SI:H PEUT ENTRAINER DANS CERTAINES CONDITIONS (TEMPERATURE, DOPAGE, CHAMP ELECTRIQUE) LA FORMATION D'UNE COUCHE POREUSE D'INTERFACE AVEC LE A-SI:H. PAR AILLEURS, LES MESURES DE POTENTIEL DE CONTACT (SONDE DE KELVIN) NOUS ONT PERMIS DE DETERMINER LE GAP DE MOBILITE DU C-SI : H AINSI QUE LES DISCONTINUITES DE LA BANDE DE CONDUCTION ET DE LA BANDE VALENCE A L'INTERFACE C-SI : H/A-SI : H. L'ETUDE DES PROFILS DE POTENTIEL AUX INTERFACES P/I NOUS A PERMIS DE MONTRER QUE LA LONGUEUR D'ECRANTAGE DANS LE C-SI : H EST D'AU MOINS UN FACTEUR TROIS SUPERIEURE A CELLE MESUREE DANS LE A-SI:H ; CONFIRMANT AINSI LE GRAND INTERET DU C-SI : H DANS LES APPLICATIONS A BASE DE A-SI : H. AUSSI, NOUS AVONS DEMONTRE QU'UNE EXCELLENTE CARACTERISTIQUE I(V) PEUT ETRE OBTENUE MEME POUR DES CELLULES SOLAIRES MICROCRISTALLINES DEPOSEES A 100\C.
Author: Pierre Bellanger (Spécialiste en matériaux).)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 140
Get Book Here
Book Description
Aujourd'hui dans le domaine du photovoltaïque, les différentes étapes de fabrication de plaquettes de silicium restent trop chères, principalement en raison d'une forte consommation d'énergie et de matière première. En effet, environ 50 % de silicium est perdu durant l'étape de sciage des lingots et parmi les différentes voies explorées qui permettent d'éviter cette étape, le frittage de poudre de silicium est très prometteur pour la production de plaquettes de grande surface. L'entreprise S'tile située à Poitiers développe un nouveau procédé de fabrication de plaquettes composé de deux étapes : une étape de frittage basée sur la compression de poudre de silicium à haute température et une étape de recristallisation qui est nécessaire pour obtenir une structure cristalline adaptée à la réalisation de cellules photovoltaïque. Dans ce travail de thèse, l'échantillon est recristallisé par ZMR (Zone metting recristallisation) ou par FWR (Full Wafer Recristallisation). Dans un premier temps, une caractérisation structurale et chimique du matériau est réalisée. Les caractérisation électriques du matériau sont alors mesurées et la mobilité atteint des valeurs de 150 et 250 cm^(2).V^(-1 ).s^(-1) respectivement sur les échantillons recristallisés par FWR et par ZMR. Le dopage de type p est compris entre 5*10^(16) et 3*10^(17) at/cm3. La durée de vie atteint des valeurs de l'ordre de la microseconde. Après fabrication de cellules, un rendement de 8,9 % est obtenu en utilisant un procédé simplifié sans texturation. D'autres caractérisations comme la réponse spectrale, la thermographie infrarouge et la mesure de Suns-Voc sont aussi réalisées.
