Etude du vieillissement de transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique PDF Download
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Author: Béatrice Cabon
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Languages : fr
Pages : 110
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Book Description
LA DEGRADATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES STATIQUES DE TRANSISTOR MOS SBMICRONIQUES EST ETUDIEE APRES UNE CONTRAINTE ELECTRIQUE DE LONGUE DUREE DU TRANSISTOR POLARISE EN SATURATION. DE NOUVELLES METHODES DE CARACTERISATION DU TRANSISTOR SONT PROPOSEES. UN MODELE ANALYTIQUE UNIDIMENSIONNEL DE DEGRADATION DES PRINCIPAUX PARAMETRES EST PRESENTE, ET PERMET DE CORRELER CES DIFFERENTS PARAMETRES DE DEGRADATION
Author: Béatrice Cabon
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Languages : fr
Pages : 110
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LA DEGRADATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES STATIQUES DE TRANSISTOR MOS SBMICRONIQUES EST ETUDIEE APRES UNE CONTRAINTE ELECTRIQUE DE LONGUE DUREE DU TRANSISTOR POLARISE EN SATURATION. DE NOUVELLES METHODES DE CARACTERISATION DU TRANSISTOR SONT PROPOSEES. UN MODELE ANALYTIQUE UNIDIMENSIONNEL DE DEGRADATION DES PRINCIPAUX PARAMETRES EST PRESENTE, ET PERMET DE CORRELER CES DIFFERENTS PARAMETRES DE DEGRADATION
Author: Chiên Nguyen-Duc
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Languages : fr
Pages : 162
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POUR CETTE ETUDE, EN PREMIERE PARTIE, DEUX MODELES SONT PROPOSES POUR PRENDRE EN COMPTE LES ASPECTS PARTICULIERS AUX DISPOSITIFS A CANAL TRES COURT (SUBMICRON). ON PROPOSE AUSSI UNE METHODE POUR DETERMINER LA LONGUEUR ELECTRIQUE DES TMOS. LA SECONDE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION PAR LES PORTEURS CHAUDS ET DU VIEILLISSEMENT A 77K DE TRANSISTOR MOS FABRIQUES PAR DIFFERENTES TECHNOLOGIES. ON MONTRE QUE LE PIEGEAGE DES ELECTRONS ET LA GENERATION DES ETATS D'INTERFACE VARIENT SELON LES CONDITIONS DE CONTRAINTE, LA TEMPERATURE ET LA LONGUEUR DES TRANSISTORS
Author: Bertrand Szelag
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Languages : fr
Pages : 161
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LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES TRANSISTORS MOS FAIT APPARAITRE DES EFFETS NEFASTES AU BON FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL DE THESE EST D'ETUDIER LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES DES MOSFETS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LES LONGUEURS DE GRILLE MINIMUM UTILISEES AU COURS DE CETTE ETUDE SONT DE 75NM. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS LES PRINCIPES DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS EN INTRODUISANT LES EFFETS LIES A LA REDUCTION DES DIMENSIONS. LE SECOND CHAPITRE EST ENTIEREMENT DEDIE AUX EFFETS DE CANAUX COURTS. LA TENSION DE SEUIL EST ETUDIEE EN FONCTION DE NOMBREUX PARAMETRES. NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE FINE DE L'EFFET DE CANAL COURT INVERSE A PARTIR DE MESURES EFFECTUEES A BASSE TEMPERATURE ET EN DETERMINONS L'ORIGINE. ENFIN, NOUS PRESENTONS UN PHENOMENE ORIGINAL D'AUGMENTATION DE LA TRANSCONDUCTANCE AVEC LA POLARISATION DE SUBSTRAT. LE TROISIEME CHAPITRE TRAITE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS. NOUS ANALYSONS EN DETAIL LES COURANTS DE GRILLE ET DE SUBSTRAT ET PRESENTONS DES RESULTATS RELATIFS AU VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS. ENFIN, LE PHENOMENE D'EMISSION DE PHOTONS EST ANALYSE. LE QUATRIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ETUDE COMPARATIVE DES METHODES D'EXTRACTION DE LA LONGUEUR EFFECTIVE DE CANAL ET DES RESISTANCES SERIE. NOUS PROPOSONS CERTAINES AMELIORATIONS PERMETTANT D'UTILISER CES METHODES POUR LES COMPOSANTS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LE CINQUIEME CHAPITRE EST UN TRAVAIL DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS AVANCES REALISES AVEC DIFFERENTES ARCHITECTURES. NOUS COMPARONS UN DOPAGE CONVENTIONNEL OBTENU PAR IMPLANTATION DE BORE A UN DOPAGE RETROGRADE REALISE PAR IMPLANTATION D'INDIUM.
Author: Marc Faurichon de la Bardonnie
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CE TRAVAIL PROPOSE UNE METHODE NOUVELLE POUR L'ETUDE DES PROPRIETES DES TRANSISTORS REALISES POUR LES COMPOSANTS DE TRES HAUTE INTEGRATION. ELLE EST APPLIQUEE A L'ETUDE DES DEGRADATIONS DE LEURS PROPRIETES PRODUITS PAR DES PORTEURS CHAUDS PRODUISANT UN VIEILLISSEMENT RAPIDE DES TRANSISTORS MICRONIQUES. CETTE METHODE CONSISTE EN L'ANALYSE DU FONCTIONNEMENT DE LA JONCTION SUBSTRAT-DRAIN PAR LA DETERMINATION DES COURANTS DE RECOMBINAISON ET DE DIFFUSION. LA DESCRIPTION DE SES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION PERMET D'EXTRAIRE DES PARAMETRES LIES A SA STRUCTURE. L'ETUDE EXPERIMENTALE A ETE FAITE EN UTILISANT DES PLAQUETTES DE TEST REALISEES EN TECHNOLOGIE CMOS AVEC DES TRANSISTORS DE LARGEURS ET LONGUEURS DE GRILLE COMPRISES ENTRE 25M ET 0.8M. CES PARAMETRES ONT ETE OBTENUS DEPENDANTS DES DIMENSIONS ET DE VALEURS SENSIBLES AUX CONTRAINTES ELECTRIQUES APPLIQUEES. CETTE ETUDE A PERMIS DE MONTRER QUE LES DEFAUTS INDUITS SONT LOCALISES AU NIVEAU DU DRAIN ET RELIES AUX IMPERFECTIONS DE STRUCTURE APPARAISSANT SUR LES POURTOURS DES ZONES ACTIVES. CES RESULTATS PERMETTENT D'ENVISAGER LE DEVELOPPEMENT D'UNE METHODE DE TEST DES COMPOSANTS PAR UNE ANALYSE INITIALE A DES FINS DE SELECTION POUR DES APPLICATIONS SPECIFIQUES
Author: FARID.. DJAHLI
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APRES QUELQUES RAPPELS SUR LES DIFFERENTES TECHNIQUES DES MESURES ET DE CARACTERISATION DES TRANSISTORS MOS VIEILLIS, EN PARTICULIER LA TECHNIQUE DE POMPAGE DE CHARGE QUE NOUS AVONS ADAPTEE A NOTRE DISPOSITIF EXPERIMENTAL, NOUS EFFECTUONS UNE ETUDE CRITIQUE DES DIFFERENTS MODELES DE DEGRADATION DES TMOS QUI NOUS ONT PERMIS D'EXPLIQUER NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX. NOUS DECRIVONS ENSUITE LES DETAILS DE REALISATION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL QUE NOUS AVONS MIS AU POINT. CE DISPOSITIF, PREVU POUR L'ETUDE DES TMOS, PERMET LA CARACTERISATION DE N'IMPORTE QUELLE STRUCTURE MOS DANS UNE TRES LARGE GAMME DE TEMPERATURE (77K-400K). NOUS PRESENTONS ENFIN LA METHODE D'EXTRACTION DES PARAMETRES DU TMOS VIEILLI, AINSI QUE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX DE VIEILLISSEMENT OBTENUS SUR DEUX SERIES DIFFERENTES DE TMOS MICRONIQUES A CANAL N, SOUMIS A DIFFERENTS TYPES DE CONTRAINTES ELECTRIQUES. CES RESULTATS ONT PERMIS D'OBSERVER UN COMPORTEMENT INHABITUEL DE LA TRANSCONDUCTANCE APRES UN VIEILLISSEMENT DE COURTE DUREE SOUS FORTE TENSION DE DRAIN. DE MEME, POUR DES DUREES DE CONTRAINTES PLUS LONGUES, LA TENSION DE SEUIL PRESENTE UN COMPORTEMENT PARTICULIER. LES MESURES DE POMPAGE DE CHARGE NOUS ONT PERMIS DE MONTRER LE CARACTERE NON UNIFORME ET TRES LOCALISE DES DEGRADATIONS ENGENDREES PAR L'INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE. NOUS MONTRONS QUE LE PHENOMENE DE PIEGEAGE D'ELECTRONS ET LA GENERATION D'ETATS D'INTERFACE DEPENDENT DES CONDITIONS DES CONTRAINTES ET DES DIMENSIONS DES TRANSISTORS
![Etude des mécanismes de viellissement [i.e. vieillissement] sous contrainte électrique des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/lynKOwAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Marie Ruat
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Languages : fr
Pages : 204
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Le vieillissement de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées a été étudié, et ce pour les trois modes de dégradation connus du transistor bipolaire, correspondant à une polarisation du transistor en inverse, en direct et en «mixed-mode». L'effet de ces contraintes sur les caractéristiques électriques du transistor bipolaire, et en particulier sur le courant base, est unique quel que soit le mode de dégradation déclenché, avec l'apparition d'un courant base de génération-recombinaison issu de défauts d'interface Si/Si02 créés par des porteurs chauds au cours de la contrainte. L'extraction des facteurs d'accélération du vieillissement en fonction des nombreux paramètres de contrainte a permis la construction de modèles empiriques pour l'étude de chacun des modes de dégradation. Des mesures de bruit basse fréquence, et des simulations physiques TCAD ont également été utilisées pour la compréhension des mécanismes physiques à l'origine du vieillissement des transistors bipolaires. Enfin, une discussion sur l'unicité de comportement constatée quel que soit le mode de dégradation déclenché conclut ce manuscrit.
Author: ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
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Languages : fr
Pages : 150
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LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Author: Abdelkader Hassein-Bey
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Languages : fr
Pages : 164
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Author: Bertrand Marchand
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Languages : fr
Pages : 110
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L'ETUDE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS POUVANT INDUIRE UNE DEGRADATION ELECTRIQUE DES CIRCUITS INTEGRES EST D'UNE GRANDE IMPORTANCE POUR LES COMPOSANTS AVANCES. DANS LES TRANSISTORS FORTEMENT SUBMICRONIQUES, LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION A TEMPERATURE AMBIANTE ET A BASSES TEMPERATURES DE L'IONISATION SECONDAIRE PAR IMPACT ET DU COURANT DE GRILLE QUI EN RESULTE, COMPLETEE PAR L'ETUDE DE L'EMISSION LUMINEUSE LIEE A CE MECANISME, ONT ETE MENEES A BIEN, APPORTANT UNE MEILLEURE COMPREHENSION DE LA GENERATION DE PORTEURS CHAUDS DONT L'ENERGIE EST RESPONSABLE DE LA CREATION D'ETATS D'INTERFACE ET DE LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES COMPOSANTS. TIRANT PROFIT DE L'ACCELERATION DU VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE PAR L'INTENSIFICATION DE L'IONISATION SECONDAIRE, UNE NOUVELLE METHODE DE PREDICTION DE LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS DANS LEURS CONDITIONS NOMINALES DE POLARISATION EST PROPOSEE. ENFIN, L'IMPACT DU TYPE DE CONTRAINTE ELECTRIQUE ET DE L'ARCHITECTURE TECHNOLOGIQUE SUR LA FIABILITE DES COMPOSANTS SONT ETUDIES.
Author: Carlos Galup
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Languages : fr
Pages : 95
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ETUDE EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS MOS MICRONIQUES SOUMIS A UNE CONTRAINTE ELECTRIQUE DE LONGUE DUREE (1000 HEURES) AU VOISINAGE DU POINT DE SATURATION. UN MODELE DES TRANSISTORS AYANT SUBI UNE CONTRAINTE EST PROPOSE. UN PROFIL DE DEFAUTS ENTRE SOURCE ET DRAIN, NOTAMMENT UN PROFIL D'ETATS D'INTERFACE, PERMET DE RENDRE COMPTE DE LA PLUPART DES CARACTERISTIUQES DU MOS DEGRADE
