Etude du vieillissement de différentes structures de Transistors Bipolaires à Grille Isolée (IGBT) PDF Download
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Author: Cheick Oumar Maïga
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 130
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Book Description
Le travail présenté dans cette thèse porte sur l’étude du vieillissement de différentes technologies de Transistors Bipolaires à Grille Isolée (IGBT). Il s’agit de trouver une (des) signature(s) électrique(s) de l’effet du vieillissement des principaux types d’IGBT présents sur le marché des composants de puissance. Nous avons analysé les effets des stress thermoélectriques par polarisation inverse sous haute température (HTRB) et par polarisation de grille sous haute température (HTGB) sur des IGBT issus les deux principales technologies qui sont la technologie à grille enterrée (Trench-IGBT) et la technologie planar, ou à grille de surface, avec ses deux structures : la structure de type épitaxiée (Punch-Trough IGBT) et la structure de type homogène (Non-Punch-Through IGBT). L’étude du vieillissement de ces IGBT a mis en évidence une évolution plus ou moins significative de certains de leurs paramètres électriques qui pourraient être utilisés comme indicateurs de vieillissement. L’aspect système a été abordé sous l’angle de l’analyse des conséquences de l’évolution des temps de commutation des IGBT sur la sûreté de fonctionnement d’un onduleur de tension fonctionnant en modulation de largeur d’impulsion Dans certaines conditions de fonctionnement, ces vieillissement conduiraient à une modification des spectres harmoniques du courant et de la tension de sortie dans le cas des IGBT de technologie planar et à des courts-circuits de bras dans le cas des IGBT de technologie à grille isolée.
Author: Cheick Oumar Maïga
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Category :
Languages : fr
Pages : 130
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Le travail présenté dans cette thèse porte sur l’étude du vieillissement de différentes technologies de Transistors Bipolaires à Grille Isolée (IGBT). Il s’agit de trouver une (des) signature(s) électrique(s) de l’effet du vieillissement des principaux types d’IGBT présents sur le marché des composants de puissance. Nous avons analysé les effets des stress thermoélectriques par polarisation inverse sous haute température (HTRB) et par polarisation de grille sous haute température (HTGB) sur des IGBT issus les deux principales technologies qui sont la technologie à grille enterrée (Trench-IGBT) et la technologie planar, ou à grille de surface, avec ses deux structures : la structure de type épitaxiée (Punch-Trough IGBT) et la structure de type homogène (Non-Punch-Through IGBT). L’étude du vieillissement de ces IGBT a mis en évidence une évolution plus ou moins significative de certains de leurs paramètres électriques qui pourraient être utilisés comme indicateurs de vieillissement. L’aspect système a été abordé sous l’angle de l’analyse des conséquences de l’évolution des temps de commutation des IGBT sur la sûreté de fonctionnement d’un onduleur de tension fonctionnant en modulation de largeur d’impulsion Dans certaines conditions de fonctionnement, ces vieillissement conduiraient à une modification des spectres harmoniques du courant et de la tension de sortie dans le cas des IGBT de technologie planar et à des courts-circuits de bras dans le cas des IGBT de technologie à grille isolée.
Author: AREZKY.. BOUZOURENE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 143
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Book Description
LE VIEILLISSEMENT DES INTERRUPTEURS ELECTRONIQUES CONDUIT, A TERME, A LA DEGRADATION DE LEUR FONCTIONNEMENT ENTRAINANT DES REPERCUSSIONS GRAVES ET SOUVENT DESTRUCTIVES SUR LEUR ENVIRONNEMENT (SYSTEME). IL EST DONC IMPORTANT, AUSSI BIEN POUR LE CONCEPTEUR QUE POUR L'UTILISATEUR, DE CONNAITRE L'AVOLUTION DE CE PHENOMENE DANS LE TEMPS AFIN DE PARER AUX DEFAILLANCES QU'IL GENERE. EN PARTANT DE LA STRUCTURE PHYSIQUE DU TRANSISTOR DE PUISSANCE IGBT, NOUS AVONS MIS AU POINT TROIS BANCS D'ESSAIS QUI ACCELERENT LE VIEILLISSEMENT DE CE TRANSISTOR PARTICULIER A TECHNOLOGIE D'INTEGRATION HYBRIDE. APRES ETUDE, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, DANS UNE PREMIERE ETAPE, LA POSSIBILITE DE SUIVRE L'ETAT DE VIEILLISSEMENT DU COMPOSANT A TRAVERS L'EVOLUTION DE SES PARAMETRES ELECTRIQUES ; PUIS, DANS UNE SECONDE ETAPE, NOUS AVONS ANALYSE L'INFLUENCE D'UN IGBT VIEILLI SUR UN CONVERTISSEUR UNICELLULAIRE OU LA PRESENCE DE DECALAGE DES INSTANTS DE COMMUTATION A ETE DETECTEE. CE RESULTAT PEUT SERVIR DE CRITERE A PARTIR DUQUEL UN RISQUE DE DEFAILLANCE PEUT SURGIR DANS LES SYSTEMES MULTICELLULAIRES DE TYPE ONDULEUR. QUANT A LA TROISIEME ETAPE, ELLE EST CONSACREE A LA MODELISATION DE L'EVOLUTION DES PRINCIPAUX INDICATEURS DE VIEILLISSEMENT EN FONCTION DES CONDITIONS ET DU TEMPS D'UTILISATION DES TRANSISTORS. UN PREMIER MODELE MATHEMATIQUE, BASE A LA FOIS SUR LA THEORIE ET LES RESULTATS EXPERIMENTAUX, DONNANT LA CROISSANCE DE LA TENSION DE SEUIL EN FONCTION DE L'ETAT DE VIEILLISSEMENT DES IGBT EST PRESENTE ET UNE DISCUSSION SUR LE DIAGNOSTIC ET LA SURVEILLANCE DE CE PHENOMENE POUR CE TYPE DE TRANSISTOR PARTICULIER EST RAPPORTEE DANS CE MEMOIRE.
