ETUDE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU A PARTIR DE SILICIUM AMORPHE DEPOSE PAR PULVERISATION RADIO-FREQUENCE MAGNETRON. APPLICATION A LA REALISATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES PDF Download
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Author: ERIC.. BARDET
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Languages : fr
Pages : 166
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST D'ELABORER DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES EN COUCHE MINCE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN, A PARTIR DE COUCHES AMORPHES DEPOSEES DANS UN REACTEUR DE PULVERISATION R. F. MAGNETRON ET CRISTALLISEES THERMIQUEMENT EN PHASE SOLIDE. LES PROPRIETES DES COUCHES AMORPHES EN FONCTION DES PARAMETRES DE DEPOT SONT DISCUTEES. LA TECHNIQUE DE DEPOT PAR PULVERISATION PERMET DE FAIRE VARIER LA VITESSE DE DEPOT ET LE GAP OPTIQUE DANS DES GAMMES TRES ETENDUES. LA CRISTALLISATION DES COUCHES INTRINSEQUES EN PHASE SOLIDE EST ENSUITE ETUDIEE DANS LE BUT D'OBTENIR DE GRANDES TAILLES DE CRISTALLITES FAVORABLES AUX PHENOMENES DE TRANSPORT. NOUS DETERMINONS UNE METHODE DE MESURE DE LA TAILLE DES CRISTALLITES PAR DIFFRACTION DES RAYONS X, CORRELEE PAR DES MESURES DE REFLECTIVITE ET D'AFM, QUI CORRESPOND A LA TAILLE PERTINENTE POUR LES PROPRIETES DE TRANSPORT. NOUS MONTRONS QUE LE DESORDRE DE LA COUCHE AMORPHE DETERMINE PAR DIFFRACTION DES RAYONS X ET PAR PROFILOMETRIE, AINSI QUE SON CONTENU EN HYDROGENE, JOUENT UN ROLE IMPORTANT DANS LES PROCESSUS DE CRISTALLISATION. PLUS LE DESORDRE EST IMPORTANT ET/OU MOINS LE CONTENU EN HYDROGENE EST ELEVE, PLUS LA TAILLE DES CRISTALLITES APRES RECUIT EST GRANDE. PUIS NOUS ETUDIONS LE DOPAGE DES COUCHES AMORPHE ET POLYCRISTALLINE. LA CONCENTRATION DE DOPANTS INTRODUIT DANS LES COUCHES DIMINUE AVEC LE TAUX D'HYDROGENE PRESENT DANS LE PLASMA LORS DU DEPOT. L'EFFICACITE DE DOPAGE DE TYPE P CHUTE AVEC LA TEMPERATURE DE RECUIT LORS DE LA CRISTALLISATION MAIS RESTE TRES SUPERIEURE A CELLE DE TYPE N. ENFIN DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES SONT REALISES ET LEURS CARACTERISTIQUES DISCUTEES.
Author: ERIC.. BARDET
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Languages : fr
Pages : 166
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST D'ELABORER DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES EN COUCHE MINCE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN, A PARTIR DE COUCHES AMORPHES DEPOSEES DANS UN REACTEUR DE PULVERISATION R. F. MAGNETRON ET CRISTALLISEES THERMIQUEMENT EN PHASE SOLIDE. LES PROPRIETES DES COUCHES AMORPHES EN FONCTION DES PARAMETRES DE DEPOT SONT DISCUTEES. LA TECHNIQUE DE DEPOT PAR PULVERISATION PERMET DE FAIRE VARIER LA VITESSE DE DEPOT ET LE GAP OPTIQUE DANS DES GAMMES TRES ETENDUES. LA CRISTALLISATION DES COUCHES INTRINSEQUES EN PHASE SOLIDE EST ENSUITE ETUDIEE DANS LE BUT D'OBTENIR DE GRANDES TAILLES DE CRISTALLITES FAVORABLES AUX PHENOMENES DE TRANSPORT. NOUS DETERMINONS UNE METHODE DE MESURE DE LA TAILLE DES CRISTALLITES PAR DIFFRACTION DES RAYONS X, CORRELEE PAR DES MESURES DE REFLECTIVITE ET D'AFM, QUI CORRESPOND A LA TAILLE PERTINENTE POUR LES PROPRIETES DE TRANSPORT. NOUS MONTRONS QUE LE DESORDRE DE LA COUCHE AMORPHE DETERMINE PAR DIFFRACTION DES RAYONS X ET PAR PROFILOMETRIE, AINSI QUE SON CONTENU EN HYDROGENE, JOUENT UN ROLE IMPORTANT DANS LES PROCESSUS DE CRISTALLISATION. PLUS LE DESORDRE EST IMPORTANT ET/OU MOINS LE CONTENU EN HYDROGENE EST ELEVE, PLUS LA TAILLE DES CRISTALLITES APRES RECUIT EST GRANDE. PUIS NOUS ETUDIONS LE DOPAGE DES COUCHES AMORPHE ET POLYCRISTALLINE. LA CONCENTRATION DE DOPANTS INTRODUIT DANS LES COUCHES DIMINUE AVEC LE TAUX D'HYDROGENE PRESENT DANS LE PLASMA LORS DU DEPOT. L'EFFICACITE DE DOPAGE DE TYPE P CHUTE AVEC LA TEMPERATURE DE RECUIT LORS DE LA CRISTALLISATION MAIS RESTE TRES SUPERIEURE A CELLE DE TYPE N. ENFIN DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES SONT REALISES ET LEURS CARACTERISTIQUES DISCUTEES.
Author: YAHYA.. LAGHLA
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Languages : fr
Pages : 177
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COMME L'UTILISATIONS DE L'ENERGIE SOLAIRE EST NOUVELLE PAR RAPPORT AUX ENERGIES TRADITIONNELLES (SURTOUT LES COMBUSTIBLES FOSSILES), SA RECHERCHE ET SON DEVELOPPEMENT SONT GUIDES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES PHYSIQUES ET PAR LES ASPECTS ECONOMIQUES, POLITIQUES ET SOCIAUX. LE DEVELOPPEMENT EST UNE RENCONTRE D'UN PRODUIT ET D'UN MARCHE. NOTRE TRAVAIL EST AINSI SEPARE EN 3 PARTIES : UNE PARTIE DITE DE RECHERCHE HORIZONTALE CONCERNANT L'ETUDE PHYSIQUE DU MATERIAU TELLES LES CARACTERISTIQUES OPTIQUES, DONT NOUS AVONS ETUDIE LES PRINCIPALES METHODES DE DETERMINATION DES CONSTANTES OPTIQUES. DANS CETTE PARTIE, NOUS AVONS DETAILLE LES DEUX METHODES D'OBTENTION DE L'EPAISSEUR, DE L'INDICE DE REFRACTION ET DU COEFFICIENT D'ABSORPTION EN FONCTION DES LONGUEURS D'ONDES A PARTIR DU SPECTRE DE TRANSMISSION SEUL METHODE DE FRANGE D'INTERFERENCE ; OU A PARTIR DE LA COMBINAISON DES SPECTRES DE TRANSMISSION ET DE REFLEXION METHODE DITE OCS. APRES LA COMPARAISON DES AVANTAGES ET DES INCONVENIENTS DES DEUX METHODES, NOUS AVONS ABOUTI A UNE NOUVELLE METHODE QUI CONSISTE A COMBINER LES DEUX METHODES EN MEME TEMPS AFIN D'AUGMENTER LA PRECISION SUR LES CONSTANTES OPTIQUES. LA DEUXIEME PARTIE EST DEDIEE A L'APPLICATION DE LA METHODE DITE DE MINIMISATION, AFIN DE CALCULER LES PROPRIETES OPTIQUES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR DECOMPOSITION EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD), DE DISILANE, DEPOSEE DANS UN NOUVEAU TYPE DE REACTEUR, APPELE REACTEUR PUIS COMPAREES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RECUIT DE CE PREMIER ET AU SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSE DIRECTEMENT PAR DECOMPOSITION DU SILANE PAR LPCVD. CES ETUDES OPTIQUES DE CES DIFFERENTS MATERIAUX NOUS ONT CONDUIT A OPTER POUR LA FILIERE GAZEUSE SILANE ET AU CONDITION DE DEPOT DE CE MATERIAU (T = 660 C, P = 0,3TORR), POUR LA REALISATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, ET D'OPTIMISER LES EPAISSEURS CONVENABLE POUR QUE 90% DE LA LUMIERE INCIDENTE SOIT ABSORBEE. DANS UNE DEUXIEME ETAPE DE NOTRE RECHERCHE NOUS AVONS ETUDIE LA CINETIQUE DE DEPOT, LES PROPRIETES OPTIQUES, ELECTRIQUES, ET STRUCTURALES DES DIFFERENTES COUCHES CONTRIBUANT A LA FABRICATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, A SAVOIR LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPES, DOPEE BORE OU PHOSPHORE. AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES QUALITES DE CES COUCHES, NOUS AVONS ESSAYE DE FAIRE UN LIEN ENTRE LES DIFFERENTES VARIATIONS DES PARAMETRES OPTIQUES ET ELECTRIQUES OBSERVES ET LEUR VARIATION DE STRUCTURE EN FONCTION DE LEURS EPAISSEURS. POUR COMPLETER CES ETUDES, EN DERNIER PARTIE, NOUS SOMMES PASSE A LA PHASE DITE VERTICALE CONSISTANT A LA REALISATION TECHNOLOGIQUE DE CES DIODES AVEC UN MINIMUM D'ETAPES TECHNOLOGIQUES. NOUS AVONS PU OBTENIR DES DIODES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AVEC UN COURANT DE FUITE MINIMAL ET UNE TRES BONNE TENUE AU COURANT INVERSE JUSQU'A 100V SANS OBSERVER LE CLAQUAGE DE LA JONCTION.
Author: ABDELLATIF.. ACHIQ
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Languages : fr
Pages : 173
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DEUX CATEGORIES DE COUCHES DE SILICIUM NANOCRISTALLIN OBTENUES PAR PULVERISATION RF ONT FAIT L'OBJET DE CET ETUDE. L'UNE A ETE THERMIQUEMENT CRISTALLISEE APRES DEPOT A DIFFERENTES PRESSIONS PARTIELLES D'HYDROGENE, ALORS QUE LA DEUXIEME CONSISTE EN DES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES SOUS PLASMA D'HYDROGENE PUR POUR DIFFERENTES VALEURS DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT (T#S). LES CARACTERISATIONS STRUCTURALES ET PHYSIQUES DE CES COUCHES ONT ETE REALISEES A L'AIDE D'UNE PANOPLIE DE TECHNIQUES EXPERIMENTALES TELLES QUE IR, RAMAN, DRX, MET, ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOLUMINESCENCE. LES MECANISMES DE CRISTALLISATION DANS LES COUCHES SE SONT REVELES TRIBUTAIRES, POUR UNE LARGE PART, DE LA PRESENCE ET DE LA CONCENTRATION DES ESPECES OU DES RADICAUX D'HYDRURE SIH#2, SOIT DANS LES FILMS DE BASE POUR LES COUCHES THERMIQUEMENT CRISTALLISEES, SOIT DANS LE PLASMA POUR LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES. DANS LA PREMIERE CATEGORIE DE COUCHES, LES EFFETS DE SIH#2 SE TRADUISENT PAR LA RELAXATION AU COURS DU RECUIT DE LA STRUCTURE CRISTALLISEE. CELLE-CI A ETE MISE EN EVIDENCE PAR LE COMPORTEMENT DE LA CONTRAINTE ET CONFORTEE PAR LA VARIATION DES QUEUES DE BANDES OU ENERGIE D'URBACH LAQUELLE REFLETE LE DESORDRE DANS LE MATERIAU. LE DEGRE DE CE DESORDRE SEMBLE DETERMINER LA LARGEUR DU GAP OPTIQUE ET LES ETENDUES DES DOMAINES DE VALIDITE DES MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE. CONCERNANT LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES, LA FRACTION CRISTALLINE F#C ET LA TAILLE DES GRAINS MONTRENT UNE AUGMENTATION GRADUELLE AVEC T#S. L'ORIGINE DE CE COMPORTEMENT RESIDE DANS LES MECANISMES REACTIONNELS ENTRE LES RADICAUX SIH#2 ET LA SURFACE DE LA COUCHE QUI RESULTE EN UN PROCESSUS DE GRAVURE SELECTIVE DES LIAISONS FAIBLES OU SOUS CONTRAINTE CONDUISANT A LA RELAXATION DE LA STRUCTURE VERS L'ETAT CRISTALLIN. LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET LE GAP OPTIQUE E#O ONT MONTRE DES VARIATIONS SPECTACULAIRES EN FONCTION DE T#S DUES PRINCIPALEMENT A L'ACCROISSEMENT DE F#C : ACCUSE UN GAIN DE 7 ORDRES DE GRANDEUR ET E#O DECROIT DE 2,40 EV A 1,95 EV. LA FORMATION D'UNE COUCHE TAMPON AMORPHE POUR LES BASSES T#S A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SPECIFIQUE QUI A MONTRE LA POSSIBILITE DE SA RECRISTALLISATION SUITE A UN SIMPLE RECUIT A UNE TEMPERATURE RELATIVEMENT BASSE (150C) QUI IMPLIQUE LE ROLE CRITIQUE DES ESPECES SIH#2.
Author: STEPHANE.. BOURDAIS
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Languages : fr
Pages : 290
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APRES UN ETAT DE L'ART SUR LES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE SILICIUM EN COUCHE MINCE (EPAISSEUR ENTRE 5 ET 50 M), NOUS DECRIVONS L'ELABORATION DU MATERIAU SILICIUM POLYCRISTALLIN (PC-SI) SUR CERAMIQUE MULLITE (3AL 2O 3*2SIO 2) PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE ASSISTE PAR LAMPES HALOGENES (RT-CVD) DANS UN REACTEUR A PAROIS FROIDES, A PRESSION ATMOSPHERIQUE. L'ATOUT MAJEUR DE LA MULLITE EST SON COEFFICIENT D'EXPANSION THERMIQUE PROCHE DE CELUI DU SILICIUM. LES PARAMETRES DE DEPOT ONT ETE LA TEMPERATURE (900-1250\C), LA CONCENTRATION DE GAZ PRECURSEUR SIHCL 3 DILUE DANS H 2 (5-25%) OU L'AJOUT DE GAZ DOPANT BCL 3. LA COUCHE PC-SI, OBTENUE A DES VITESSES DE DEPOT ENTRE 1 ET 6 M/MIN ET SUR DE GRANDES SURFACES (6 6 CM 2), EST CARACTERISEE PAR UNE TAILLE DE GRAIN QUI AUGMENTE DE 0,5 A 20 M AVEC LA TEMPERATURE. LA STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE EST COLONNAIRE (GRAINS ET JOINTS DE GRAINS VERTICAUX) ET PREFERENTIELLEMENT ORIENTEE (220). LES ANALYSES SPECTROMETRIQUES S'AVERENT TROP PEU SENSIBLES POUR EVALUER LES IMPURETES ISSUES DU SUBSTRAT. UNE ANALYSE DLTS INDIRECTE A ALORS REVELE UNE CONTAMINATION NOTAMMENT EN FER. LES PROPRIETES DE TRANSPORT SONT ALTEREES PAR LES ETATS D'INTERFACE AUX JOINTS DE GRAINS (BIEN QUE SENSIBLES A UN TRAITEMENT PAR HYDROGENATION) ET LA DUREE DE VIE EST SOUS LE SEUIL DE DETECTION (
Author: Thierry Kretz (ingénieur en nanotechnologies).)
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Languages : fr
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST D'ELABORER DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN A GROS GRAINS, A PARTIR DE COUCHES AMORPHES DE HAUTE PURETE REALISEES DANS UN REACTEUR DE TYPE UHVCVD ET CRISTALLISEES THERMIQUEMENT EN PHASE SOLIDE. LES MATERIAUX AMORPHES ELABORES A PARTIR DU GAZ DISILANE, DECOMPOSE A DES TEMPERATURES VARIANT DE 460 A 540C, SONT COMPARES AUX DEPOTS A BASE DE GAZ SILANE OBTENUS PAR PYROLYSE A 550C. LES ANALYSES SIMS REVELENT QUE LES CONCENTRATIONS EN OXYGENE ET EN CARBONE DANS CES DEPOTS SONT DE PLUS DE DEUX ORDRES DE GRANDEUR INFERIEURES A CELLES RAPPORTEES DANS LA LITTERATURE POUR DES DEPOTS LPCVD. PAR SPECTROMETRIE RAMAN, NOUS MONTRONS QUE POUR UNE VITESSE DE DEPOT IDENTIQUE, LE SILICIUM AMORPHE REALISE A PARTIR DU GAZ DISILANE PRESENTE UN DEGRE DE DESORDRE STRUCTURAL SUPERIEUR AU SILICIUM AMORPHE GENERE PAR LE GAZ SILANE. LA CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE DES COUCHES AMORPHES DE HAUTE PURETE EST ENSUITE ETUDIEE. L'EVOLUTION DE LA TEXTURE 111 DES COUCHES POLYCRISTALLINES EN FONCTION DES CONDITIONS DE DEPOT EST DETERMINEE PAR DIFFRACTION DE RAYONS X DANS LA CONFIGURATION (-2). UNE METHODE DE SUIVI IN SITU (DANS LE FOUR DE RECUIT) DE L'EVOLUTION DE LA CONDUCTANCE DES COUCHES, EN FONCTION DE LA DUREE DE RECUIT, COMBINEE AVEC DES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE LA VARIATION DE LA TAILLE DES GRAINS, POUR DIFFERENTES TEMPERATURES DE CRISTALLISATION, NOUS PERMET DE REMONTER AUX ENERGIES D'ACTIVATION DU TAUX DE NUCLEATION, E#N, ET DE LA VITESSE DE CROISSANCE, E#G, DES CRISTALLITES. LES VALEURS DE E#N ET E#G SONT EN BONNE CORRELATION AVEC LA DIFFERENCE DE TAILLE DE GRAINS (PLUS D'UN ORDRE DE GRANDEUR) OBSERVEE ENTRE LES COUCHES A BASE DE SILANE ET CELLES A BASE DE DISILANE. FINALEMENT NOUS MONTRONS QUE L'UTILISATION DU GAZ DISILANE PERMET D'AMELIORER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES (MOBILITE, TENSION DE SEUIL, PENTE SOUS LE SEUIL) DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN
Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Sami Kallel
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 134
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La première partie de ce travail porte sur 1 'étude de couches minces de silicium déposées par RT-LPCVD et dopées in situ au phosphore dans un réacteur à lampes halogène et à parois froides à partir du silane (SiH4) utilisé comme gaz précurseur et la phosphine (PH3) comme source dopante. Nous avons étudié ces couches dans une gamme de températures allant de 600°C à 850°C (pour une pression de 2mbar) et nous avons mis en évidence 1 'effet de la phosphine sur la cinétique de dépôt ainsi que sur ses propriétés physiques (taille des grains, texture, contraintes résiduelles, résistivité). Nous avons aussi montré que les traitements thermiques rapides ultérieurs (RTA) favorisent une augmentation de la taille des grains, une relaxation des contraintes et une amélioration de la résistivité. Dans la deuxième partie du travail, nous avons appliqué les procédés thermiques rapides pour la réalisation de cellules solaires à faible budget thermique. Pour cela nous avons étudié et optimisé chaque étape nécessaire pour la réalisation d'un tel dispositif:-1. l'émetteur (N+) obtenu par le dépôt RT-LPCVD dopé in situ à partir de (SiH4/PH3),-2. l'oxyde de passivation obtenu par oxydation thermique rapide (RTO),-3. la couche antireflet (Si3N4) déposée par RT-LPCVD à partir du silane et de l'ammoniac (NH3),-4. les contacts métalliques déposés par évaporation. Les premiers résultats obtenus indiquent un rendement de conversion de 10,5% pour un courant de court-circuit de 33,5mA/cm2 et une tension de circuit ouvert égale à 527mV.
Author: Laurent Pinard
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 0
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Ce travail repose sur l'etude des couches minces d'oxynitrures de silicium obtenues par pulverisation radio-frequence magnetron reactive en vue de realiser des multicouches optiques ayant de faibles pertes (absorption, diffusion). Tout d'abord, nous avons analyse les variations des proprietes optiques et physicochimiques des monocouches d'oxynitrures liees aux differents parametres du bati de depot: les pressions partielles des gaz, la puissance rf, la nature de la cible et des gaz. Ainsi, lorsque l'on decrit toute la gamme des oxynitrures de l'oxyde de nitrure, nous avons en particulier mis en evidence l'evolution quasi lineaire de l'indice sur un domaine relativement important ainsi que la substitution rigoureuse des atomes d'oxygene par les atomes d'azote: ceci est la preuve d'un mecanisme simple de formation. De plus, grace a des analyses par spectrophotometrie ir, un modele de la structure amorphe des oxynitrures a ete propose (pseudo-binaire oxyde-nitrure) et verifie par deux methodes d'approximation. Enfin, une etude plus particuliere de l'absorption (photothermie) et de la diffusion (diffusometre casi) a ete menee sur les monocouches et sur les multicouches synthetises a partir des oxynitrures (antireflets, miroirs). Une comparaison avec les performances des empilements classiques d'oxydes realises par pulverisation par faisceaux d'ions a pu etre faite et nous avons ainsi propose des solutions pour optimiser les deux sources de pertes
Author: Chisato Niikura
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 286
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CETTE THÈSE EST CONSACRÉE À L'ÉTUDE DES COUCHES EN SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGÉNÉ ("micro"C-SI:H) PRÉPARÉES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR FlLAMENT CHAUD (HWCVD) PROPOSÉ COMME UNE ALTERNATIVE À LA MÉTHODE CONVENTIONELLE DE DÉPÔT PAR PLASMA, AYANT POUR OBJECTIF L'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DES COUCHES POUR L'APPLICATION SUR CELLULES SOLAIRES. PROPRIÉTÉS PHYSIQUES DES COUCHES PRÉPARÉES UTILISANT SIH4 DILUÉ DANS H2 AVEC DIFFÉRENTES VALEURS DE DILUTION DH ONT ÉTÉ CARACTÉRISÉES PAR DIFFÉRENTES TECHNIQUES. PARTICULIÈREMENT, ANALYSE IN-SITU D'ELLIPROMÉTRIE INFRAROUGE A ÉTÉ, POUR LA PREMIÈRE FOIS, APPLIQUÉE A LA CROISSANCE DES COUCHES PAR HWCVD: ÉVOLUTION DE LA CONFIGURATION DES LIAISONS Sl-H A ÉTÉ CORRELÉE AVEC LES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. MEILLEURE LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS A ÉTÉ OBTENUE POUR LES COUCHES EN "micro"C-SI:H PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES AMORPHE ET MICROCRISTALLINE: CECI PEUT ÉTRE DU AU RÉSEAU AMORPHE RELAXE QUI EST AMENÉ PAR RÉACTIONS DE RECONSTRUCTION INDUITES PAR DIFFUSION DES ATOMES H PENDANT LA CROISSANCE, ÉTANT SUGGÉRÉ PAR ANALYSES DES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. CEPENDANT, IL A ÉTÉ MONTRÉ QU'IL Y A UNE COUCHE D'INCUBATION AMORPHE ÉPAISSE FORMÉE AVANT LE NOYAUTAGE DES MICROCRISTAUX, QUI EMPÉCHE LE TRANSPORT ÉLECTRONIQUE DANS LA DIRECTION TRANSVERSALE DE CES COUCHES. DANS LE BUT D'AVOIR DES COUCHES EN "micro"C-Sl:H SANS COUCHE D'INCUBATION ET AVEC LES PROPRIÉTÉS FAVORABLES DE LA VOLUME ASSOCIÉES AUX COUCHES PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES, NOUS AVONS PROPOSE UN PROCÈDÉ DE DH VARIABLE TENANT COMPTE DES RÉSULTATS TRÉS POSITIFS GRÂCE AU PROCÉDÉ DE DH VARIABLE, DES COUCHES INTRINSÈQUES EN "micro"C-SI:H PRÉPARÉES PAR HWCVD ONT ÉTÉ APPLIQUÉES À LA FABRICATION DES CELLULES SOLAIRES. UN RENDEMENT DE 5,1 % OBTENU POUR DES CELLULES DE LA STRUCTURE N-l-P SUR SUBSTRAT EN VERRE A CONFIRMÉ UNE BONNE QUALITÉ DES COUCHES INTRINSÈQUES.LA VOIE POUR L'AMÉLIORATION DE LA PERFORMANCE DES CELLULES EST DlSCUTÉE EN CONSIDÉRATION DES RÉSULTATS.
Author: Khelifati Nabil
Publisher: Presses Academiques Francophones
ISBN: 9783838179919
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Languages : fr
Pages : 112
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Book Description
Des la decouverte du silicium amorphe hydrogene vers la fin des annees soixante, de nombreux efforts de recherche ont ete entrepris sur ce materiau afin d'arriver a mieux comprendre ses proprietes et elargir ses domaines d'application. Le grand avantage que ce materiau procure est la possibilite de le deposer en couches minces sur de grandes surfaces avec un faible cout. A cote de ces avantages, la possibilite qu'il soit dope et de changer le type de porteurs ainsi que l'ordre de grandeur de sa conductivite, a permis d'envisager de nombreuses applications concernant la realisation de diverses structures electroniques. Il y a donc eu de rapides progres dans l'etude du silicium amorphe depuis 1975, date a laquelle les premieres experiences de dopage ont ete mentionnees. Le dopage au bore en faibles concentrations est utilise pour le rendre intrinseque et obtenir une conductivite minimum. Ce materiau est l'element actif de nombreux dispositifs electroniques comme les cellules solaires, les photorecepteurs et les transistors en couches minces (TFT). Les dopages eleves sont necessaires pour realiser les structures pin ou pour obtenir des contacts ohmiques sur le materiau intrinseque.
