Étude de la cinétique et des dommages de gravure par plasma de couches minces de nitrure d'aluminium

Étude de la cinétique et des dommages de gravure par plasma de couches minces de nitrure d'aluminium PDF Author: Sabrina Morel
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Une étape cruciale dans la fabrication des MEMS de haute fréquence est la gravure par plasma de la couche mince d'AlN de structure colonnaire agissant comme matériau piézoélectrique. Réalisé en collaboration étroite avec les chercheurs de Teledyne Dalsa, ce mémoire de maîtrise vise à mieux comprendre les mécanismes physico-chimiques gouvernant la cinétique ainsi que la formation de dommages lors de la gravure de l'AlN dans des plasmas Ar/Cl2/BCl3. Dans un premier temps, nous avons effectué une étude de l'influence des conditions opératoires d'un plasma à couplage inductif sur la densité des principales espèces actives de la gravure, à savoir, les ions positifs et les atomes de Cl. Ces mesures ont ensuite été corrélées aux caractéristiques de gravure, en particulier la vitesse de gravure, la rugosité de surface et les propriétés chimiques de la couche mince. Dans les plasmas Ar/Cl2, nos travaux ont notamment mis en évidence l'effet inhibiteur de l'AlO, un composé formé au cours de la croissance de l'AlN par pulvérisation magnétron réactive et non issu des interactions plasmas-parois ou encore de l'incorporation d'humidité dans la structure colonnaire de l'AlN. En présence de faibles traces de BCl3 dans le plasma Ar/Cl2, nous avons observé une amélioration significative du rendement de gravure de l'AlN dû à la formation de composés volatils BOCl. Par ailleurs, selon nos travaux, il y aurait deux niveaux de rugosité post-gravure : une plus faible rugosité produite par la présence d'AlO dans les plasmas Ar/Cl2 et indépendante de la vitesse de gravure ainsi qu'une plus importante rugosité due à la désorption préférentielle de l'Al dans les plasmas Ar/Cl2/BCl3 et augmentant linéairement avec la vitesse de gravure.

Étude de la cinétique et des dommages de gravure par plasma de couches minces de nitrure d'aluminium

Étude de la cinétique et des dommages de gravure par plasma de couches minces de nitrure d'aluminium PDF Author: Sabrina Morel
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Une étape cruciale dans la fabrication des MEMS de haute fréquence est la gravure par plasma de la couche mince d'AlN de structure colonnaire agissant comme matériau piézoélectrique. Réalisé en collaboration étroite avec les chercheurs de Teledyne Dalsa, ce mémoire de maîtrise vise à mieux comprendre les mécanismes physico-chimiques gouvernant la cinétique ainsi que la formation de dommages lors de la gravure de l'AlN dans des plasmas Ar/Cl2/BCl3. Dans un premier temps, nous avons effectué une étude de l'influence des conditions opératoires d'un plasma à couplage inductif sur la densité des principales espèces actives de la gravure, à savoir, les ions positifs et les atomes de Cl. Ces mesures ont ensuite été corrélées aux caractéristiques de gravure, en particulier la vitesse de gravure, la rugosité de surface et les propriétés chimiques de la couche mince. Dans les plasmas Ar/Cl2, nos travaux ont notamment mis en évidence l'effet inhibiteur de l'AlO, un composé formé au cours de la croissance de l'AlN par pulvérisation magnétron réactive et non issu des interactions plasmas-parois ou encore de l'incorporation d'humidité dans la structure colonnaire de l'AlN. En présence de faibles traces de BCl3 dans le plasma Ar/Cl2, nous avons observé une amélioration significative du rendement de gravure de l'AlN dû à la formation de composés volatils BOCl. Par ailleurs, selon nos travaux, il y aurait deux niveaux de rugosité post-gravure : une plus faible rugosité produite par la présence d'AlO dans les plasmas Ar/Cl2 et indépendante de la vitesse de gravure ainsi qu'une plus importante rugosité due à la désorption préférentielle de l'Al dans les plasmas Ar/Cl2/BCl3 et augmentant linéairement avec la vitesse de gravure.

Optimisation d'un procédé de gravure par plasma de couches minces nitrure-TEOS

Optimisation d'un procédé de gravure par plasma de couches minces nitrure-TEOS PDF Author: Éric Cabanes
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Pages : 286

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Étude d'un système planaire de gravure de couches minces par plasma réactif pour la fabrication de microcircuits

Étude d'un système planaire de gravure de couches minces par plasma réactif pour la fabrication de microcircuits PDF Author: Philippe Laporte (auteur d'une thèse de sciences.)
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Pages : 149

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GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES COUCHES MINCES DE TUNGSTENE EN PLASMAS RADIOFREQUENCE DE SF#6/O#2

GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES COUCHES MINCES DE TUNGSTENE EN PLASMAS RADIOFREQUENCE DE SF#6/O#2 PDF Author: MARIE-CLAUDE.. PEIGNON
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CE MEMOIRE DE THESE PRESENTE UNE ETUDE DU PROCEDE DE GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES COUCHES MINCES DE TUNGSTENE EN PLASMAS RADIOFREQUENCE DE SF#6/O#2. LE TUNGSTENE DEPOSE EN COUCHES MINCES PAR CVD (CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) CONSTITUE LE PREMIER NIVEAU D'INTERCONNEXION DANS LA TECHNOLOGIE CMOS A DEUX NIVEAUX DE METAL. DANS LES PROCEDES SUBMICRONIQUES, IL CONVIENT DE MAITRISER L'ANISOTROPIE ET LA SELECTIVITE DE LA GRAVURE ET DE MINIMISER LES DOMMAGES ET CONTAMINATIONS INTRODUITES EN FIN DE GRAVURE SUR LES MATERIAUX SOUS-JACENTS. CE TRAVAIL A DONC POUR BUT UNE MEILLEURE MAITRISE DU PROCEDE DE GRAVURE SECHE. IL CONSISTE EN UNE ETUDE DETAILLEE DU MECANISME D'INTERACTION ENTRE LE PLASMA ET LA SURFACE DE TUNGSTENE. UN DIAGNOSTIC GLOBAL DU REACTEUR DE GRAVURE PAR PLASMA A ETE EFFECTUE PAR SPECTROMETRIE OPTIQUE D'EMISSION ET PAR SPECTROMETRIE DE MASSE. NOUS AVONS AINSI CARACTERISE LE PLASMA EN MESURANT NOTAMMENT LES CONCENTRATIONS DES ESPECES NEUTRES REACTIVES (FLUOR ET OXYGENE ATOMIQUES) ET STABLES (SF#4, SF#2, OXYFLUORURES). NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EFFET DE L'APPAUVRISSEMENT EN FLUOR DANS LE PLASMA, DU A LA GRAVURE DU TUNGSTENE ET DU SILICIUM, SUR LA FORMATION D'ESPECES SOUFREES (S#2,S#2F#2,S#2F) POUVANT INTERVENIR DANS LA CONTAMINATION DES SURFACES GRAVEES. LES EFFLUENTS DE GRAVURE DU TUNGSTENE, WF#6 ET WOF#4, ONT ETE DIRECTEMENT IDENTIFIES PAR SPECTROMETRIE DE MASSE. UNE ANALYSE IN-SITU DES SURFACES GRAVEES PAR PLASMA A ETE REALISEE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS (MODE XPS). L'EPAISSEUR ET LA COMPOSITION DE LA COUCHE SUPERFICIELLE PERTURBEE PAR L'ATTAQUE PLASMA ONT ETE ETUDIEES EN FONCTION DES PARAMETRES DU PLASMA ET DU TEMPS DE GRAVURE. CETTE COUCHE, DONT L'EPAISSEUR VARIE DE 7 A 22 A CONTIENT DU SOUFRE, DU FLUOR ET DE L'OXYGENE. LES GROUPEMENTS SUIVANTS ONT ETE IDENTIFIES A LA SURFACE GRAVEE: WS#2,WF#N,WF#6,WOF#4,SO#XF#Y,WO#XF#Y. UNE BONNE CORRELATION A ETE OBTENUE ENTRE LES MESURES DU PLASMA ET L'ANALYSE DE LA SURFACE DU TUNGSTENE GRAVE. CETTE ETUDE NOUS A CONDUIT A PROPOSER UN MECANISME DETAILLE DE L'INTERACTION PLASMA/MATERIAU DANS LEQUEL LES ECHANGES DANS ET AU TRAVERS DE LA COUCHE SUPERFICIELLE S'AVERENT DETERMINANTS POUR LE PROCESSUS DE GRAVURE

Diagnostics in-situ de plasmas C-H-O

Diagnostics in-situ de plasmas C-H-O PDF Author: Thomas Gries
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Ce travail a pour but d’optimiser le procédé de dépôt de couches de diamant sur alliage de titane. Les principaux objectifs portent sur le contrôle du procédé, le contrôle des caractéristiques finales des films et les corrélations entre les deux. Une étude fondamentale de caractérisation des plasmas utilisés pour la croissance des couches a d’abord été menée par différentes techniques : interférométrie micro-onde, doubles sondes de Langmuir et spectroscopie optique d’émission. A partir des variations des paramètres plasma, une modélisation cinétique du système en écoulement a été réalisée. Elle permet le calcul des concentrations des espèces stables et radicalaires présentes dans le plasma en fonction des paramètres externes contrôlés. Ces résultats sont comparés aux concentrations déterminées précédemment par spectrométrie de masse avec prélèvement par faisceau moléculaire. L’ensemble permet une meilleure connaissance du mécanisme de dépôt et une compréhension des voies possibles d’optimisation du procédé. Une modification du procédé a été étudiée pour réaliser une renucléation à la surface pendant la croissance par l’utilisation de plasmas poudreux. Ces plasmas poudreux ont permis une synthèse nouvelle de nanoparticules de carbone de structures variées dans le plasma. Toutes ces études sont destinées à obtenir des films de caractéristiques optimales dont l’adhérence est un paramètre essentiel. Une évaluation des contraintes finales dans les films après des tests de traction a été effectuée par spectroscopie Raman polarisé. Les fortes contraintes calculées par deux modèles originaux confirment la très bonne adhérence des couches de diamant sur alliage de titane.

GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES COUCHES MINCES DE TUNGSTENE ET DE TANTALE DANS UN PLASMA RADIOFREQUENCE DE SF::(6)

GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES COUCHES MINCES DE TUNGSTENE ET DE TANTALE DANS UN PLASMA RADIOFREQUENCE DE SF::(6) PDF Author: Philippe Briaud
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Pages : 246

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LA PRESENTE ETUDE PORTE SUR LA GRAVURE SECHE DE DIFFERENTS MATERIAUX UTILISES POUR LA MICROELECTRONIQUE. NOUS AVONS ETUDIE L'INTERACTION ENTRE UN PLASMA RF DE SF, A BASSE PRESSION, ET LES COUCHES MINCES DE TANTALE ET DE TUNGSTENE. POUR CELA NOUS AVONS EFFECTUE UNE ANALYSE DU PLASMA DE SF::(6) AVEC UNE SONDE DE LANGMUIR ET UN ANALYSEUR D'ENERGIE, ET UNE ANALYSE DES SURFACES APRES GRAVURE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS (ESCA OU XPS), SPECTROMETRIE AUGER (AES) ET SPECTROMETRIE DE MASSE DES IONS SECONDAIRES EMIS PAR LA SURFACE (SIMS). POUR LES DEUX REGIMES DE FREQUENCES D'EXCITATION UTILISES AU COURS DE CETTE ETUDE (25-125 KHZ) A BASSE FREQUENCE, ET 13,56 MHZ A HAUTE FREQUENCE, ON A TROUVE QUE LE PLASMA DE SF::(6) ETAIT TRES ELECTRONEGATIF (N>0,9 N::(+), N::(E) EQUIV. A 0,02 A 0,07 N::(+)). A BASSE FREQUENCE, L'ENERGIE DES IONS POSITIFS EST DISTRIBUEE ENTRE 0 ET QV::(RF). LA COMPOSANTE DE BASSE ENERGIE (0-600 EV) A BASSE PRESSION (10 MTORR) DEPEND DE LA NATURE DES ELECTRODES. UNE COMPARAISON AVEC LES DISTRIBUTIONS OBTENUES DANS AR ET CF, POUR LESQUELLES L'INFLUENCE DES PARAMETRES "PRESSION" ET "PUISSANCE" EST INTERPRETEE EN CONSIDERANT LA DECHARGE COMME QUASI CONTINUE, NOUS PERMET D'ATTRIBUER CETTE COMPOSANTE DE BASSE ENERGIE AUX IONS CREES DANS LA GAINE PAR LES ELECTRONS SECONDAIRES EMIS PAR LES ELECTRODES LORSQU'ELLES SONT SOUMISES AU FLUX D'IONS. A HAUTE FREQUENCE, L'ENERGIE DES IONS POSITIFS QUI ATTEIGNENT L'ELECTRODE-MASSE DU REACTEUR EST DISTRIBUEE ENTRE 0 ET 50 EV. A BASSE PRESSION, L'ENERGIE MOYENNE DE LA DISTRIBUTION EST DETERMINEE PAR LE POTENTIEL PLASMA MOYEN V::(P). L'ANALYSE IN-SITU DES SURFACES DE TA ET W, EFFECTUEE PAR SPECTROMETRIE AUGER ET SIMS, APRES GRAVURE DANS SF::(6), INDIQUE LA PRESENCE D'UNE QUANTITE NOTABLE DE SOUFRE SUR LA SURFACE, QUANTITE QUI DIMINUE LORSQUE L'ECHANTILLON EST AU CONTACT DE L'ATMOSPHERE AMBIANT. L'ANALYSE DE CES SURFACES PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS MONTRE QUE LES ESPECES WF::(M)(M

Élaboration et carctérisation de couches minces de nitrures et carbure sur titane obtenues par réaction plasma H.F

Élaboration et carctérisation de couches minces de nitrures et carbure sur titane obtenues par réaction plasma H.F PDF Author: Mohamed Kabbaj
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Pages : 176

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INFLUENCE DES PARAMETRES DU PLASMA SUR LA NATURE ET LA MORPHOLOGIE DES COUCHES AINSI QUE SUR LES CINETIQUES DE CROISSANCE DANS LE CAS DES PLASMAS N#2, NH#3 ET CH#4. ON MONTRE PAR ANALYSE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGES ET PAR SPECTROMETRIE DE MASSE D'IONS SECONDAIRES QUE LES COUCHES DE NITRURES ET DE CARBURES SONT HOMOGENES ET UNIFORMES. PROPOSITION D'UN MECANISME DE NITRURATION PAR PLASMA H.F.

In-Vessel Melt Retention and Ex-Vessel Corium Cooling: IAEA Tecdoc No. 1906

In-Vessel Melt Retention and Ex-Vessel Corium Cooling: IAEA Tecdoc No. 1906 PDF Author: International Atomic Energy Agency
Publisher: International Atomic Energy Agency
ISBN: 9789201063205
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 72

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This publication results from a technical meeting on phenomenology and technologies relevant to in-vessel melt retention (IVMR) and ex-vessel corium cooling (EVCC). The purpose of the publication is to capture the state of knowledge, at the time of that meeting, related to phenomenology and technologies as well as the challenges and pending issues relevant to IVMR and EVCC for water cooled reactors by summarizing the information provided by the meeting participants in a form useful to practitioners in Member States.

Water Treatment Handbook

Water Treatment Handbook PDF Author:
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ISBN: 9781845850050
Category : Sewage
Languages : en
Pages : 932

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