DEPOT CHIMIQUE DE SILICIUM ET D'ALUMINIUM SUR DU FER A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE TENUE A L'OXYDATION ET A LA SULFURATION DES REVETEMENTS OBTENUS PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download DEPOT CHIMIQUE DE SILICIUM ET D'ALUMINIUM SUR DU FER A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE TENUE A L'OXYDATION ET A LA SULFURATION DES REVETEMENTS OBTENUS PDF full book. Access full book title DEPOT CHIMIQUE DE SILICIUM ET D'ALUMINIUM SUR DU FER A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE TENUE A L'OXYDATION ET A LA SULFURATION DES REVETEMENTS OBTENUS by Artemis Kösem. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Artemis Kösem
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 135
Get Book Here
Book Description
ETUDE DE LA FORMATION DE REVETEMENTS DE SILICIURES ET D'ALUMINIURES SUR UNE SURFACE DE FER ARMCO PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE. COMPORTEMENT A L'OXYDATION ET A LA SULFURATION A HAUTE TEMPERATURE DES ECHANTILLONS SILICIES ET ALUMINIES; RESISTANCE A LA CORROSION EN MILIEU AQUEUX ACIDE
Author: Artemis Kösem
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 135
Get Book Here
Book Description
ETUDE DE LA FORMATION DE REVETEMENTS DE SILICIURES ET D'ALUMINIURES SUR UNE SURFACE DE FER ARMCO PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE. COMPORTEMENT A L'OXYDATION ET A LA SULFURATION A HAUTE TEMPERATURE DES ECHANTILLONS SILICIES ET ALUMINIES; RESISTANCE A LA CORROSION EN MILIEU AQUEUX ACIDE
Author: CHRISTOPHE.. KLAM
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
LA TECHNIQUE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE EST UTILISEE POUR ENRICHIR SUPERFICIELLEMENT EN SI DES SUBSTRATS FERREUX. UNE ETUDE THERMODYNAMIQUE PREALABLE MONTRE QUE, PARMI LES DIVERS COMPOSES CHLORO-HYDROGENES DE SI, LE SILANE SIH4 POSSEDE LE MEILLEUR POUVOIR SILICIURANT (RENDEMENT THEORIQUE MAXIMAL). SELON LA PHASE GAZEUSE UTILISEE (PRESENCE OU NON DE CHLORURE), LES REVETEMENTS OBTENUS SONT DIFFERENTS. L'UTILISATION DU MELANGE AR-SIH4-H2 CONDUIT A LA FORMATION PAR DIFFUSION, D'UNE SOLUTION SOLIDE FE-SI COMPACTE ET ADHERENTE, AVEC 6 POUR CENT EN POIDS MAXIMUM DE SI EN SURFACE. LA PRESENCE DE SICL4 DANS LE MELANGE GAZEUX MODIFIE LE PROCESSUS REACTIONNEL, ET CONDUIT A LA FORMATION ET A LA CROISSANCE DE CRISTAUX DE FE3SI. LE REVETEMENT FORME EST PLUS RICHE EN SI MAIS POREUX. LES CONDITIONS OPERATOIRES SONT OPTIMISEES A PARTIR DE L'ETUDE DES DIVERS PARAMETRES: DEBIT ET COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE, TEMPERATURE ET DUREE DE TRAITEMENT. LES DISPOSITIFS EXPERIMENTAUX SONT DECRITS. DES ESSAIS DE REFUSION SUPERFICIELLE PAR FAISCEAU LASER MONTRENT QU'IL EST POSSIBLE DE REFERMER LA POROSITE OUVERTE DES REVETEMENTS DE FE3SI, POUR DONNER UN ALLIAGE DE SURFACE HOMOGENE, NON POREUX ET NON FISSURE, MAIS DONT LA TENEUR EN SI EST MOINDRE, EN RAISON D'UNE DILUTION PAR FUSION D'UNE PARTIE DU SUBSTRAT. LES REVETEMENTS SONT CARACTERISES EN CORROSION HUMIDE ET/OU EN OXYDATION SECHE. LE COMPORTEMENT EN MILIEU H2SO4 1 M ET 7 M, A TEMPERATURE AMBIANTE, CONFIRME L'INFLUENCE DE LA TENEUR EN SI ET DE LA POROSITE DE LA COUCHE, ET MONTRE LE ROLE DU POST-TRAITEMENT LASER. LE COMPORTEMENT A L'OXYDATION A L'AIR, ENTRE 600 ET 800#OC, EST RELIE A LA NATURE ET LA STRUCTURE DES COUCHES
Author: Jean-François Lartigue
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 84
Get Book Here
Book Description
CHOIX ET OPTIMISATION D'UN SYSTEME DE DEPOT. ETUDE IN SITU DES DEPOTS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES PROPRIETES MECANIQUES ET DE LA DIFFUSIVITE THERMIQUE DES DEPOTS CRISTALLISES. ETUDE DE LA RESISTANCE A L'OXYDATION. TENTATIVES DE REALISATION D'AUBAGES ENVELOPPES
Author: Mustapha Lemiti
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 192
Get Book Here
Book Description
MISE AU POINT D'UN DISPOSITIF PERMETTANT D'ELABORER DES COUCHES DE SIO::(2) A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE (C.V.D.). LE PROCEDE CONSISTE A HYDROLYSER UN COMPOSE HALOGENE (SICL::(4)) PAR DE LA VAPEUR D'EAU, AU VOISINAGE D'UN SUPPORT DE SILICIUM SUIVANT LA REACTION; SICL::(4) + 2H::(2)O + SIO::(2) +4HCL. LES DEPOTS ONT ETE REALISES ESSENTIELLEMENT A TEMPERATURE AMBIANTE. L'INFLUENCE DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX SUR LA CINETIQUE DE DEPOT A ETE ETUDIEE. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE DES COUCHES AINSI OBTENUES (ELLIPSOMETRIE, RAMAN, AUGER, DECHARGE LUMINESCENTE) NOUS A RENSEIGNES SUR LA NATURE DES LIAISONS, LA STOECHIOMETRIE ET LE PROFIL DES IMPURETES DANS LA COUCHE. APRES OPTIMISATION DES PAMETRES, DES STRUCTURES MOS ONT ETE REALISEES POUR ETUDIER LES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS L'OXYDE ET A L'INTERFACE SI-SIO::(2). PAR LES METHODES CLASSIQUES C(V), G(V), I(V),C(OMEGA ,T), G(OMEGA ,T), NOUS AVONS EVALUE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE QUI VARIE AUTOUR DE 10**(11)EV**(-1)CM**(-2) ET LES CHARGES DANS L'OXYDE A 10**(12) CH./CM. L'INFLUENCE DE CERTAINS PARAMETRES EXPERIMENTAUX SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES STRUCTURES MOS A ETE DEGAGE
Author: Abdoulaye Abba
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 98
Get Book Here
Book Description
DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE CONTENANT DU MONOSILANE, DIFFUSION DE SI DANS LA PHASE METALLIQUE. DESCRIPTION DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES EMPLOYEES, MODE DE PREPARATION ET CARACTERISTIQUES DES REVETEMENTS OBTENUS, OXYDATION DES REVETEMENTS DU POINT DE VUE THERMODYNAMIQUE, CINETIQUE ET MORPHOLOGIQUE
Author: FARZAD.. KHOMAMIZADEH
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 155
Get Book Here
Book Description
LE BUT DE CE TRAVAIL A CONSISTE D'UNE PART A ELABORER DES ALLIAGES FER-SILICIUM A 6.5% MASSE DE SI PAR LA TECHNIQUE DE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE, D'AUTRE PART A LES CARACTERISER TANT DU POINT DE VUE STRUCTURAL QUE MAGNETIQUE. NOUS AVONS UTILISE COMME GAZ SILICIURANT LE SILANE (SIH4) ET COMME ECHANTILLON INITIAL DES ALLIAGES FER-SILICIUM A 3.2% DE SILICIUM LAMINES A 100 M PUIS RECUITS. LA QUALITE DES COUCHES OBTENUES DEPEND DES CONDITIONS DE DEPOT (TEMPERATURE, DUREE DE TRAITEMENT, COMPOSITION ET DEBIT DES GAZ ET NATURE DES SUBSTRATS). DES ETUDES CINETIQUES ONT ETE REALISEES ET LEURS INTERPRETATIONS SONT BASEES SUR LES OBSERVATIONS EFFECTUEES PAR MICROSCOPIE OPTIQUE ET ELECTRONIQUE ET RADIOCRISTALLOGRAPHIE. LES PROPRIETES MAGNETIQUES DE CES ALLIAGES ONT ETE ETUDIEES. L'ENRICHISSEMENT EN SILICIUM PERMET DE REDUIRE CONSIDERABLEMENT LES PERTES CLASSIQUES. CEPENDANT, L'AUGMENTATION DU NOMBRE DES GRAINS PENDANT LE TRAITEMENT CVD CONDUIT A UNE CROISSANCE DES PERTES TOTALES A BASSES ET MOYENNES FREQUENCES (0.5-5000 HZ). AUX HAUTES FREQUENCES (5-10 KHZ) LES PERTES TOTALES SONT SIMILAIRES A CELLES MESUREES AVANT LA SILICIURATION. L'EFFET DE LA STRUCTURE ET DES IMPERFECTIONS DE SURFACE EST MIS EN EVIDENCE.
Author: Guilhaume Boisselier
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
Des revêtements céramiques sont obtenus par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par injection liquide pulsée (DLICVD) de précurseurs organométalliques. Des dépôts de carbure de chrome (CrCx) sont élaborés dans un réacteur tubulaire à paroi chaude à partir d'une solution de bis(benzène) chrome dans du toluène pour des températures de 475 °C et sous pression partielle d'azote (pression totale 50 Torr). Une couche d'accroche pouvant être nécessaire pour revêtir des pièces métalliques, tels des aciers et alliages, par un revêtement céramique non-oxyde de type CrCx, des couches de chrome métallique (Cr) et des carbures mixtes Cr-Si-C ont également été élaborées par ce procédé DLICVD. Ainsi, l'ajout d'un additif à base de chlore ou de soufre (par exemple l'hexachlorobenzène ou le thiophénol) dans la solution BBC/toluène permet la déposition de films de chrome métallique (Cr) à 475 °C. De plus, l'utilisation d'une solution de précurseur contenant simultanément du Si et du Cr tel que le tetrakis(trimethylsilylmethyl)chromium dans du toluène mène au dépôt d'un carbure mixte Cr-Si-C pouvant jouer le rôle d'interphase dans des assemblage céramique-métal. Des films de carbure de silicium (SiC) sont obtenus à partir de deux précurseurs (1,3 disilabutane et polysilyléthylène) injectés purs ou en solution également dans du toluène. Les dépôts sont faits dans une gamme de température comprise entre 700 et 800 °C, sous pression partielle d'azote (pression totale 50 Torr). Les films obtenus sont des films amorphes de SiC contenant une faible quantité d'hydrogène (provenant du mécanisme de décomposition des précurseurs) : a-SiC:H. Les films sont stœchiométriques dans le cas de l'injection de précurseur pur, et quasi stœchiométrique lorsque les précurseurs sont dilués dans du toluène. Les films amorphes tels que déposés deviennent nanocristallins en présentant la structure cubique du SiC après recuit sous vide à 1000 °C. L'influence du solvant (toluène) sur la composition, la morphologie et la vitesse de croissance des dépôts est discutée en fonction des systèmes chimiques étudiés et des conditions expérimentales, en particulier les conditions locales dans le réacteur DLICVD telles que les gradients de température et de concentration. Des films de carbure de hafnium (HfC) sont également élaborés par le même procédé à partir d'une solution de bis(cyclopentadiényl)diméthyl hafnium dans du toluène après avoir testé plusieurs précurseurs. Une température de 750 °C est utilisée et l'utilité d'une pression partielle de dihydrogène dans le gaz vecteur azote est démontrée (pression totale 50 Torr, 423 sccm de N2 et 77 sccm de H2). Tels que déposés, ces films sont riches en carbone (C-rich HfCx) et ont une structure quasi-amorphe. Ils deviennent nanocristallins après recuit sous vide à 1000 °C. Enfin, la mise en œuvre de films multicouches céramiques par DLICVD à paroi chaude est mise en évidence par l'élaboration de revêtements multicouches HfC/SiC à 750 °C, sous pression partielle d'un mélange de gaz vecteur N2/H2. Le contrôle du procédé permet une nano structuration de ces revêtements multicouches jusqu'à une bi-période de 100 nm (empilement de 100 couches d'environ 50 nm chacune). La stabilité thermique de ces architectures et des tests préliminaires de résistance à l'oxydation à haute température des films de SiC et HfC/SiC sont discutés.
Author: Nicolas Roels
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 308
Get Book Here
Book Description
Des dépôts de nitrure de silicium sont obtenus par pyrolyse de mélanges tétraméthylsilane/ammoniac en présence d'un gaz diluant (H2, N2, Ar) dans un réacteur vertical à paroi chaude, sous pression réduite (4-10 Torr). Dans la première partie, les conditions expérimentales conduisant au contrôle de la cinétique de dépôt par la réaction superficielle sont déterminées. Dans ce domaine, la mise en oeuvre d'une technique de planification expérimentale a permis la discrimination des paramètres influents et l'estimation des vitesses de dépôt. L'influence des principaux paramètres de dépôt (T, P, rapport des débits de gaz réactifs, débits de gaz réactifs, nature et débit du gaz diluant) sur les mécanismes réactionnels ainsi que sur la structure et la composition des films ( taux de carbone "libre") est discutée sur la base des résultats thermodynamiques et cinétiques. Dans la deuxième partie, l'influence d'un revêtement CVD de Si3N4 sur le comportement à l'oxydation et au frottement de céramiques non oxydes est étudiée. La première étude a porté sur la protection contre l'oxydation interne d'une nuance de nitrure de silicium fritté réaction (RBSN) poreux, par un revêtement superficiel. Celle-ci met en évidence l'existence d'une épaisseur critique (6 μm) et le moindre pouvoir protecteur des revêtements amorphes. Dans la deuxième étude, l'influence de revêtements à teneur contrôlée (2,5 - 14 wt%) en carbone "libre" sur les propriétés tribologiques de couples céramiques non oxydes (SiC/SiC ou Si3N4/Si3N4) est mise en évidence. Des résultats particulièrement prometteurs sont obtenus à haute température (600°C) pour le couple Si3N4/Si3N4).
