CROISSANCE ET PROPRIETES D'EMISSION DANS LE VISIBLE DE NANOGRAINS DE SILICIUM DANS UNE MATRICE DE SILICE PDF Download
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Author: STEPHANE.. CHARNET
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Languages : fr
Pages : 220
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Book Description
CE TRAVAIL PORTE SUR LA CROISSANCE PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE MAGNETRON ET L'ETUDE DES PROPRIETES DE PHOTOLUMINESCENCE VISIBLE DE COUCHES MINCES DE SILICE (SIO 2) RENFERMANT DES NANOGRAINS DE SILICIUM (SI). UN TRAITEMENT THERMIQUE A TEMPERATURE ELEVEE (
Author: STEPHANE.. CHARNET
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Languages : fr
Pages : 220
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CE TRAVAIL PORTE SUR LA CROISSANCE PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE MAGNETRON ET L'ETUDE DES PROPRIETES DE PHOTOLUMINESCENCE VISIBLE DE COUCHES MINCES DE SILICE (SIO 2) RENFERMANT DES NANOGRAINS DE SILICIUM (SI). UN TRAITEMENT THERMIQUE A TEMPERATURE ELEVEE (
Author: Ingrid Stenger
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Languages : fr
Pages : 180
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Le but de ce travail est d’étudier les propriétés optiques et morphostructurales de nanoparticules de silicium (np-Si) dans des couches minces de silice, obtenues par recuit thermique de silices sous-stœchiométriques (SiOx 1
Author: Fatme Trad
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Languages : fr
Pages : 0
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Afin de contribuer à la compréhension approfondie du dopage à l'échelle nanométrique, nous avons étudié l'influence de l'insertion d'atomes de bore et de phosphore sur les propriétés optiques et structurales de nanocristaux de silicium. En utilisant la technique d'évaporation sous ultravide, nous avons préparé des nanocristaux de silicium insérés dans une matrice de silice avec deux types de couches : des films minces d'oxydes de silicium SiO1,5 et des multicouches SiO/SiO2 contenant des impuretés bore ou phosphore avec des concentrations différentes et contrôlées. Alors que le phosphore facilite la démixtion de l'oxyde de silicium, ce qui a conduit à une augmentation de la taille des nanocristaux de silicium, le bore semble n'avoir aucune influence mesurable sur l'apparition et la croissance des nanocristaux. L'évolution de la photoluminescence des nanocristaux avec le dopage a été expliquée par l'existence de défauts structuraux ainsi que par un rôle de passivation des atomes de phosphore. Enfin, les techniques de microscopie électronique à transmission et de sonde atomique tomographique ont permis de montrer que, contrairement aux atomes de bore, les atomes de phosphore étaient localisés préférentiellement au sein des nanocristaux.
Author: Ngoc Bich Nguyen
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Languages : fr
Pages : 136
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L'approche de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) est utilisée pour étudier les propriétés électroniques de nanograins de silicium incorporés dans une matrice de silice SiO2 dopéeou non avec de l'erbium. D'abord, nous nous sommes intéressés au matériau constitué de nanograins de silicium immergés dans différentes formes cristallines de SiO2. Nous avons construit plusieurs modèles (supercellules cubiques de taille différentes contenant un grain de silicium dont la taille est également variable). Nous avons ainsi étudié l'influence de plusieurs paramètres sur les propriétés électroniques : la taille des nanograins, les défauts à l'interface, la densité de nanograins par unité de volume de matériau et la phase cristalline de la matrice. Enfin, à partir des structures de nanograins obtenues précédemment, nous avons ajouté un atome erbium par supercellule. Nous avons exploré la stabilité de différentes positions de la terre rare ainsi que les propriétés électroniques du matériau afin d'envisager un mécanisme possible de transfert d'énergie entre un nanograin de silicium et un ion erbium.
Author: Jérémy Barbé
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Languages : fr
Pages : 178
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En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compatible avec les technologies existantes. Toutefois, afin d'être intégrés avec succès dans ces dispositifs, les nc-Si et leur environnement doivent avoir des propriétés maitrisées. Dans ce contexte, le travail de thèse a consisté en l'élaboration et la caractérisation de couches de carbure et nitrure de silicium contenant des nc-Si. Ces deux matrices ont retenu notre attention en raison de leur gap intermédiaire entre la silice et le silicium qui permettrait d'obtenir des propriétés améliorées pour les composants électriques. Deux techniques de fabrication ont été étudiées : la nucléation/croissance de nc-Si sur des couches minces a-SiCx par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), et le dépôt par CVD assisté par plasma pulsé (PPECVD) d'alliages a-SiNx riches en Si, suivi d'un recuit à haute température. Lors de l'interprétation des résultats, une attention particulière a été portée aux effets de surface/interface et au rôle de la matrice sur les propriétés mesurées. Après avoir étudié et maitrisé les conditions de dépôt d'alliages a-SiCx:H par PECVD, nous montrons que la nucléation/croissance de nc-Si sur une surface a-Si0,8C0,2 par LPCVD est favorisée en raison de la concentration en Si élevée de la matrice. Des densités surfaciques de nc-Si supérieures à 1012 cm-2 ont ainsi été atteintes, même pour des temps de dépôt courts ou des débits de silane faibles. Ces premiers résultats indiquent la faisabilité de ce type de structure. Une étude approfondie sur le couple nc-Si/nitrure de silicium a ensuite été menée. Les propriétés structurales, optiques et électriques de couches de nitrure contenant des nc-Si ont été caractérisées à partir d'un large éventail de techniques. Après avoir estimé la taille des nc-Si par spectroscopie Raman, la déconvolution des spectres XPS nous a permis d'expliquer les processus de formation des nc-Si lors du recuit et de proposer un modèle pour décrire la structure des interfaces nc-Si/a-Si3N4. Les propriétés optiques des nc-Si ont ensuite été déterminées par ellipsométrie spectroscopique et spectrophotométrie UV-Vis. L'élargissement du gap, le lissage des constantes diélectriques et l'augmentation du coefficient d'absorption aux faibles énergies avec la diminution de la taille des particules suggèrent un effet de confinement quantique au sein des nc-Si. Des mesures de photoluminescence résolue en temps nous ont permis de conclure que l'utilisation d'une matrice de nitrure est peu appropriée à l'étude de l'émission optique des nc-Si en raison des nombreux défauts radiatifs et non radiatifs présents dans la matrice et aux interfaces. Enfin, les mécanismes de transport des porteurs de charge à travers la couche nanocomposite ont été étudiés à partir de mesures courant-tension. En raison de son caractère percolé, la couche se comporte de façon analogue à une couche de Si polycristallin avec une faible concentration de liaisons pendantes du Si. Un effet de photoconduction attribué aux nc-Si est observé, ce qui offre des perspectives de travail intéressantes.
Author: Nicolas Errien
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Languages : fr
Pages : 133
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Book Description
La réalisation de nanocomposites à propriétés optiques non linéaires importantes à base de silicium poreux (ou silice poreuse) et de polymères conjugués est très intéressante. En effet, on peut facilement intégrer cette technologie à celle de la microélectronique. Nous présentons tout d'abord, la caractérisation de la matrice en silicium poreux ainsi que celle en silice poreuse. Nous avons déterminé les caractéristiques physico-chimiques de nos matrices ainsi que leurs morphologies. Ensuite, nous avons introduit des matériaux actifs à l'intérieur des pores. Nous avons rempli électrochimiquement le silicium poreux par le poly(3-alkylthiophène) : PT12 et nous avons réalisé un nanocomposite de silice poreuse remplie par le poly(diacétylène para toluène sulfonate) : PDA-TS. Les propriétés optiques non linéaires intéressantes de ces nanocomposites ont été mises en évidence. Nous avons aussi rempli des guides plans par ces deux méthodes, et par la même, obtenu un guide optique actif.
