Croissance de GaSb et de ses alliages par épitaxie par jets moléculaires et étude des propriétés physiques des surfaces, interfaces et structures élaborées avec ces matériaux PDF Download

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Croissance de GaSb et de ses alliages par épitaxie par jets moléculaires et étude des propriétés physiques des surfaces, interfaces et structures élaborées avec ces matériaux

Croissance de GaSb et de ses alliages par épitaxie par jets moléculaires et étude des propriétés physiques des surfaces, interfaces et structures élaborées avec ces matériaux PDF Author: Fabio Wellington Orlando da Silva
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Languages : fr
Pages : 312

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Book Description
CETTE THESE PRESENTE DES TRAVAUX SUR LA CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM) ET LA CARACTERISATION DES PROPRIETES PHYSIQUES DES COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS GASB ET GA(AL)SB. NOUS AVONS ETUDIE: A) LA PREPARATION DES SUBSTRATS GASB(001) EN VUE DE L'EPITAXIE; B) LES PROPRIETES DES SURFACES GASB ET ALSB(001); C) LA CROISSANCE DU GASB SUR GAAS(001); D) L'ELABORATION ET L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET STRUCTURALES DE PUITS QUANTIQUES ET SUPERRESEAUX A BASE DE GASB/GA(AL)SB