Contribution à l'étude des phénomènes induits par les rayonnements ionisants dans les structures à effet de champ au silicium ou à l'arseniure de gallium utilisées en microélectronique PDF Download
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Author: Jean Luc Leray
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 292
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Book Description
L'interaction des rayonnements ionisants avec les semi-conducteurs et les isolants a pour effet de créer des charges et des courants d'électrons et de trous. Les défauts d'interface et de volume piègent ces charges.On traite ici des phénomènes relatifs aux structures Métal-Oxyde Semi-conducteur (MOS) et Métal-Semi-conducteur sur semi-isolant (MESFET), en distinguant les effets transitoires et les effets permanents. L'influence des conditions de fabrication (isolants, semi-isolants) est déterminante.On tente alors une synthèse des effets dans les isolants, sous forme de théories des phases transitoires et de l'état permanent auquel aboutit l'évolution de la structure MOS irradiée (création des porteurs, recombinaison, mouvement vers les interfaces, piégeage et dépiégeage, création de défauts d'interface).Un mécanisme est proposé pour relier les conditions de fabrications des structures MOS aux dégradations observées (effet de "durcissement").
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L'interaction des rayonnements ionisants avec les semi-conducteurs et les isolants a pour effet de créer des charges et des courants d'électrons et de trous. Les défauts d'interface et de volume piègent ces charges.On traite ici des phénomènes relatifs aux structures Métal-Oxyde Semi-conducteur (MOS) et Métal-Semi-conducteur sur semi-isolant (MESFET), en distinguant les effets transitoires et les effets permanents. L'influence des conditions de fabrication (isolants, semi-isolants) est déterminante.On tente alors une synthèse des effets dans les isolants, sous forme de théories des phases transitoires et de l'état permanent auquel aboutit l'évolution de la structure MOS irradiée (création des porteurs, recombinaison, mouvement vers les interfaces, piégeage et dépiégeage, création de défauts d'interface).Un mécanisme est proposé pour relier les conditions de fabrications des structures MOS aux dégradations observées (effet de "durcissement").
