Contribution à l'étude des interfaces et des oxydes en lame mince dans les structures métal-SiOâ"_$C(130,130)_" -Si et métal-Taâ"_$C(130,130)_"OâéÅ-Si

Contribution à l'étude des interfaces et des oxydes en lame mince dans les structures métal-SiOâ Author: Georges Seve
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Contribution à l'étude des interfaces et des oxydes en lame mince dans les structures métal-SiO-Si et métal-TaO-Si

Contribution à l'étude des interfaces et des oxydes en lame mince dans les structures métal-SiO-Si et métal-TaO-Si PDF Author: Georges Seve
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Contribution à l'étude des interfaces et des oxydes en lame mince dans les structures Métal-SiO2-Si et Métal-Ta2O5-Si

Contribution à l'étude des interfaces et des oxydes en lame mince dans les structures Métal-SiO2-Si et Métal-Ta2O5-Si PDF Author: Georges Seve
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Contribution à l'étude des interfaces et des oxydes en lame mince dans les structures métal-SiOb2s-Si et métal-Tab2sOb5s-Si

Contribution à l'étude des interfaces et des oxydes en lame mince dans les structures métal-SiOb2s-Si et métal-Tab2sOb5s-Si PDF Author: Georges Sève
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ETUDE DES PROPRIETES DES INTERFACES ET DE L'OXYDE DANS LES STRUCTURES MOS DU TYPE SI-SIO::(2)-METAL ET SI-TA::(2)O::(5)-METAL. ON A PRECISE LES CARACTERISTIQUES DES INTERFACES ET L'INFLUENCE DES MATERIAUX UTILISES POUR LES ELECTRODES SUR LES BARRIERES EN UTILISANT LES METHODES PHOTOELECTRIQUES ET A COURANT THERMIQUEMENT STIMULE. L'ETUDE DU TRANSPORT DES ELECTRONS AINSI PHOTOEMIS DANS LA BANDE DE CONDUCTION DE L'OXYDE A PERMIS DE PRECISER LE PIEGEAGE. L'ETUDE DES STRUCTURES SI-TA::(2)O::(5)-AL REALISEE A L'AIDE DES METHODES C (V) ET DE STIMULATION THERMIQUE A PERMIS DE DETAILLER LE COMPORTEMENT DE L'OXYDE. L'ETUDE DU PIEGEAGE NOUS A PERMIS DE MONTRER QU'IL EXISTAIT DANS L'OXYDE DES CENTRES PIEGES CARACTERISES PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION (EP