Contribution à l'étude des couches minces d'arséniure de Gallium amorphe PDF Download
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Author: Lhousseine Alimoussa
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Languages : fr
Pages : 210
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Book Description
MISE EN EVIDENCE D'UN LARGE DOMAINE DE TEMPERATURE DU SUPPORT DANS LEQUEL IL EST POSSIBLE D'OBTENIR DU GAAS AMORPHE. LA DETECTION DES IMPURETES EST FAITE PAR SPECTROMETRIE IR DONT L'EFFET DE LA CONCENTRATION EST IMPORTANT DANS LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU HYDROGENE
Author: Lhousseine Alimoussa
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 210
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Book Description
MISE EN EVIDENCE D'UN LARGE DOMAINE DE TEMPERATURE DU SUPPORT DANS LEQUEL IL EST POSSIBLE D'OBTENIR DU GAAS AMORPHE. LA DETECTION DES IMPURETES EST FAITE PAR SPECTROMETRIE IR DONT L'EFFET DE LA CONCENTRATION EST IMPORTANT DANS LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU HYDROGENE
Author: Pierre Bourgeois
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 186
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Author: Aref Rateb Zaouk
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Category :
Languages : fr
Pages : 108
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POSSIBILITE D'ELABORER DES COUCHES DE GAAS A PARTIR D'UN COMPOSE DE COORDINATION CONTENANT AS ET GA DANS LE RAPPORT 1/1. ETUDE DES PARAMETRES FAVORABLES A LA CROISSANCE EPITAXIQUE: CHOIX DU SUPPORT, GEOMETRIE DU REACTEUR, CHOIX DE LA TEMPERATURE, CONCENTRATION EN COMPLEXE, VITESSE DU FRONT GAZEUX. ETUDE DU DEPOT PAR DIFFRACTION RX, MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE, DIFFRACTION ELECTRONIQUE EN REFLEXION, ANALYSE PAR ENERGIE DISPERSIVE DES RX. PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES
Author: Benachir Elhadadi
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Category :
Languages : fr
Pages : 118
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L'ETUDE PORTE SUR LE DEPOT ET LA CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE DE COUCHES MINCES D'ARSENIURE DE GALLIUM AMORPHES DEPOSEES PAR PULVERISATION CATHODIQUE R.F. SUR QUATRE TYPES DE SUBSTRATS (VERRE ORDINAIRE, FEUILLES DE MOLYBDENE, SILICIUM ET VERRE REVETU D'UNE COUCHE D'OXYDE D'INDIUM DOPE A L'ETAIN (I.T.O.)). NOUS AVONS MONTRE QUE POUR FAVORISER LE DEVELOPPEMENT DE LA PHASE AMORPHE IL EST NECESSAIRE DE MINIMISER L'ENERGIE DES PARTICULES QUI BOMBARDENT LA COUCHE EN UTILISANT UNE FAIBLE TENSION D'AUTOPOLARISATION ET UN PRODUIT PRESSION-DISTANCE ELEVE AFIN DE THERMALISER CES PARTICULES. LA TEMPERATURE MAXIMALE DE SUBSTRAT POUR L'ELABORATION DE LA PHASE AMORPHE DEPEND DU BOMBARDEMENT, ET SUIVANT LES CONDITIONS DE DEPOT ELLE NE DOIT PAS DEPASSER UN CERTAIN SEUIL FAVORISANT LA MOBILITE DES ADATOMES EN SURFACE. DANS CES CONDITIONS, NOUS AVONS PREPARE DES COUCHES DE GAAS AMORPHES A DES TEMPERATURES DE SUBSTRAT AUSSI ELEVEES QUE 600C. LA CORRELATION ENTRE LA TEMPERATURE, LA NATURE DU SUBSTRAT ET LA COMPOSITION DU MATERIAU A PERMIS DE MONTRER QU'ON PEUT OBTENIR UN COMPOSE STCHIOMETRIQUE A 290C SUR VERRE, 400C SUR LE MOLYBDENE ET 500C SUR I.T.O. AUX TEMPERATURES INFERIEURES, LE COMPOSE EST RICHE EN ARSENIC, ET UN EXCES DE GALLIUM EST OBTENU AUX TEMPERATURES SUPERIEURES. L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE L'ENERGIE DES PARTICULES INCIDENTES SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU MATERIAU MONTRE QUE LE BOMBARDEMENT AUGMENTE LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE, SON FACTEUR PREEXPONENTIEL ET LA DENSITE D'ETATS AU VOISINAGE DU NIVEAU DE FERMI. LA CONDUCTIVITE ET LE FACTEUR PREEXPONENTIEL PASSENT PAR UN MINIMUM AU VOISINAGE DE LA STCHIOMETRIE, CE QUI INDIQUE THEORIQUEMENT UN CHANGEMENT DE TYPE DE CONDUCTION (N POUR X0,5 ET P POUR X0,5; X ETANT LA CONCENTRATION DE GALLIUM) ET UNE POSSIBILITE D'AUTODOPAGE POUR LES VALEURS DE X COMPRISES ENTRE 0,49 ET 0,51
Author: Norbert Talene
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Languages : fr
Pages : 302
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PREPARATION DE COUCHES MINCES PAR PULVERISATION CATHODIQUE DIODE RADIOFREQUENCE. CARACTERISATION DES COUCHES PAR MESURES ELECTRIQUES, PAR ANALYSE NUCLEAIRE ET RETRODIFFUSION D'IONS ALPHA . MISE EN EVIDENCE DU ROLE DES IMPURETES EN PARTICULIER DE L'OXYGENE; EFFETS DE LA VITESSE DE DEPOT SUR LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE. DETERMINATION DE LA CONTRIBUTION DE LA SURFACE AUX PHENOMENES DE CONDUCTION. L'INCORPORATION D'HYDROGENE EST RESPONSABLE DE LA REDUCTION DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE. VARIATION DE LA PHOTOCONDUCTIVITE EN FONCTION DE LA COMPOSITION CHIMIQUE. CONCLUSION
Author: GENEVIEVE.. KEIL
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Languages : fr
Pages : 290
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ELABORATION, ETUDE ET CARACTERISATION DE COUCHES D'ARSENIURE DE GALLIUM EPITAXIEES PAR LA TECHNIQUE DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR PAR DES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES SOUS PRESSION REDUITE. ETUDE DES CARACTERISTIQUES DES CELLULES SOLAIRES A HOMOJONCTIONS A FACE AVANT AMINCIE ET A CHAMP ARRIERE UTILISANT DES COUCHES MINCES
Author: Aref Zaouk
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Languages : fr
Pages : 308
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PRESENTATION DE LA METHODE DE SYNTHESE ET CARACTERISATION PHYSICOCHIMIQUE DES COMPOSES. ETUDE DES CONDITIONS OPTIMALES D'OBTENTION DE COUCHES EPITAXIQUES ET LES QUALITES ET PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES. PROPOSITION D'UN MECANISME DE CROISSANCE FONDE SUR LES ENERGIES DE LIAISON. LA REALISATION D'UN DEPOT STOECHIOMETRIQUE A PARTIR DE LA MOLECULE ELLE-MEME EST CORRELE A LA SOLIDITE DE LA LIAISON ENTRE LES ELEMENTS III ET V
Author: Régis Carin
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Languages : fr
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DES COUCHES MINCES MICROCRISTALLINES DE GAN ONT ETE PRODUITES PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE A PARTIR D'UNE CIBLE DE GALLIUM ET D'UN PLASMA D'AZOTE. LES DEPOTS ONT ETE EFFECTUES A DES TEMPERATURES ASSEZ BASSES (MOINS DE 400#OC) COMPATIBLES AVEC LES SUBSTRATS DE GAAS; LES COUCHES OBTENUES SONT ISOLANTES, CONTRAIREMENT AU CAS DES MONOCRISTAUX DE GAN REALISES A HAUTE TEMPERATURE. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (RBS, ESCA) ATTESTE LA STCHIOMETRIE DE CES COUCHES; LEURS PROPRIETES PHYSIQUES (SEUIL D'ABSORPTION OPTIQUE, INDICE OPTIQUE) SONT LES MEMES QUE CELLES DES MONOCRISTAUX. DES STRUCTURES MIS ONT ETE REALISEES SUR DES SUBSTRATS DE GAAS ET CARACTERISEES PAR DES MESURES CAPACITIVES; UNE ANALYSE COMPAREE EFFECTUEE AVEC TROIS NITRURES ISOLANTS (SI#3N#4, ALN, GAN) INDIQUE QUE LES ETATS D'INTERFACE OBSERVES SONT ANALOGUES: LEUR ORIGINE COMMUNE SE SITUE DANS LE SEMICONDUCTEUR GAAS. LE RESULTAT D'UNE TENTATIVE DE PREPARATION DES SUBSTRATS PAR BOMBARDEMENT IONIQUE A L'AZOTE A ETE ANALYSE PAR XPS ET UPS: SONT MIS EN EVIDENCE LA DESOXYDATION DE LA SURFACE, LA PULVERISATION SELECTIVE DE GAAS, L'IMPLANTATION D'AZOTE ET LA FORMATION DE GAN DE FACON TRES SUPERFICIELLE
Author: Frédéric Lalande (auteur d'une thèse de physique)
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Languages : fr
Pages : 136
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ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE CONDUISANT AU CHOIX D'UNE STRUCTURE A BARRIERE DE SCHOTTKY UTILISENT UNE COUCHE MINCE D'ARSENIURE DE GALLIUM POLYCRISTALLIN POUR LA REALISATION DE CELLULES SOLAIRES. ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DE DEPOT SUR LA STOECHIOMETRIE ET LA CRISTALLINITE DU MATERIAU OBTENU PAR DECHARGE CATHODIQUE RF. DEFINITION DES CONDITIONS EXPERIMENTALES OPTIMALES DONNANT UN FILM QUASI STOECHIOMETRIQUE AVEC DES GRAINS DE 3 MICRONS. ESSAIS DE DOPAGE AU SULFURE D'HYDROGENE PERMETTANT DE REALISER DES DIODES SCHOTTKY M::(0)-ASGA-MG
Author: Abdelhakim Zeghib
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Languages : fr
Pages : 132
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EXTENSION DU MODELE DE ZIMAN AUX ALLIAGES NI-AG ET INTERPRETATION QUALITATIVE DU COMPORTEMENT DE LA RESISTIVITE ET DU COEFFICIENT DE TEMPERATURE EN FONCTION DE LA COMPOSITION ATOMIQUE D'ARGENT. ETUDE DE LA STRUCTURE DE BANDES DE NI-AG A PARTIR DE MESURES MAGNETIQUES. MISE EN EVIDENCE D'UN NIVEAU LIE VIRTUEL DANS LES ALLIAGES MAJORITAIRES EN ARGENT, PAR LA TECHNIQUE DES PLAMONS DE SURFACE
