Contribution a l'etude des configurations de l'hydrogene dans le silicium amorphe et micro-cristallin depose par pulverisation cathodique PDF Download
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Author: Laurent Lusson
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Author: Laurent Lusson
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Author: LAURENT.. LUSSON
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Languages : fr
Pages : 137
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE MONTRER QUE LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS ET LA STABILITE THERMIQUE DE L'HYDROGENE (DEUTERIUM) DANS LE SILICIUM AMORPHE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE RF DEPENDENT DES CONDITIONS DE DEPOT DE LA COUCHE ET INFLUENT SUR LA MICROCTRUCTURE DU SILICIUM MICRO-CRISTALLIN QUI EN RESULTE PAR RECUIT THERMIQUE. LES MATERIAUX AMORPHES SONT DEPOSES A PARTIR D'ARGON PUR OU D'ARGON + HYDROGENE (DEUTERIUM), AVEC UNE CATHODE SIMPLE OU UNE CATHODE MAGNETRON, EN FAISANT VARIER LA TEMPERATURE DE SUBSTRAT ET LA PUISSANCE DU PLASMA. LES ANALYSES PAR SIMS, FTIR ET EXODIFFUSION MONTRENT QUE LA CATHODE SIMPLE CONDUIT A DES COUCHES AMORPHES HYDROGENEES QUI PRESENTENT DES ZONES PEU DENSES RICHES EN DEUTERIUM PEU STABLE THERMIQUEMENT, ET DES REGIONS PLUS DENSES, OU L'HYDROGENE EST PLUS STABLE. CECI EST CONFIRME PAR L'ETUDE PAR DIFFRACTION X DE LA RELAXATION DU MATERIAU. UNE TEMPERATURE DE SUBSTRAT PLUS ELEVEE AUGMENTE LES TAUX DE LIAISONS SIMPLES SI-H ISOLEES ET DE LIAISONS THERMIQUEMENT STABLES. ON NE PEUT PAS IDENTIFIER STRICTEMENT LA LIAISON SIMPLE SI-H AVEC LA LIAISON STABLE ET LE DIHYDRIDE SI-H 2 AVEC LA LIAISON LA MOINS STABLE. LA CATHODE MAGNETRON PERMET UNE DISTRIBUTION PLUS HOMOGENE DE L'HYDROGENE DANS LA COUCHE, ACCROIT LE TAUX DE LIAISONS SIMPLES ET L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DU PLASMA AMPLIFIE CE PHENOMENE. L'ETUDE PAR MET ET DIFFRACTION X DE LA MICROSTRUCTURE DES COUCHES CRISTALLISEES MONTRE QUE LA PRESENCE D'HYDROGENE DANS LA COUCHE AMORPHE CONDUIT A UNE PLUS PETITE TAILLE DE GRAIN QUE POUR LES COUCHES DEPOSEES SANS HYDROGENE. L'IMPORTANCE DES MICRO-CAVITES PRESENTES DANS LES COUCHES CRISTALLISEES EST REDUITE LORSQUE L'HYDROGENE EST DISTRIBUE DE FACON HOMOGENE DANS LE SILICIUM AMORPHE DONT ELLES SONT ISSUES. FINALEMENT, DANS LES COUCHES CRISTALLISEES ET POST-HYDROGENEES, NOUS METTONS EN EVIDENCE LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE AUX JOINTS DE GRAINS AINSI QUE SON PIEGEAGE DANS LES MICRO-CAVITES ET SUR LES DEFAUTS INTRA- ET INTER- GRANULAIRES.
Author: Emmanuel Arene
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Languages : fr
Pages : 173
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Author: Nans Pham
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Languages : fr
Pages : 150
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Dans cette thèse nous nous sommes intéressés à certains aspects liés au transport de l'hydrogène dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et microcristallin (μc-Si:H). Après avoir amélioré le dispositif expérimental dédié à la mesure de l'hydrogène effusant de a-Si:H sous éclairement, nous avons mis en évidence que, avant d'effuser, lh'ydrogène diffuse dans le matériau sous forme moléculaire, car la recombinaison a lieu au sein du matériau. De plus, bien que la quantité d'hydrogène effuséee hors de l'échantillon soit très faible, les mesures d'ellipsométrie et d'exodiffusion thermique montrent que l'éclairement modifie considérablement la distribution de l'hydrogène dans le matériau. Dans une deuxième partie nous avons observé par ellipsométrie spectroscopique la cinétique de cristallisation par transport chimique de couches de a-Si:H dopé et intrinsèque. Nous avons auinsi confirmé le caractère particulier de a-Si:H de type p, par rapport aux types i et n, du fait du bore qui ralentit la gravure et favorise la diffusion de l'hydrogène nécessaire au recuit chimique. Nous avons conçu un modèle de diffusion limitée par les pièges afin d'interpréter la sortie de l'hydrogène de l'échantillon dès que la cristallisation commence. Dans une troisième partie, nous avons étudié les phénomènes de pelage se produisant dans les couches de μc-Si:H utilisées dans la fabrication de transistors à effet de champ. Ces effets sont attribués d'une part à l'accumulation de l'hydrogène à l'interface avec le substrat et d'autre part aux contraintes mécaniques présentes aux interfaces. Nous avons mis en évidence qu'un plasma H2 prolongé sur le substrat prévenait le pelage
Author: Christophe Longeaud
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Languages : fr
Pages : 111
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MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS
Author: D.. MENCARAGLIA
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Languages : fr
Pages : 35
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INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA CONDUCTIVITE A L'OBSCURITE ET LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU. L'ADJONCTION D'AZOTE AU PLASMA DE PULVERISATION A PERMIS DE DOPER LE MATERIAU ET SE TRADUIT PAR UNE AUGMENTATION DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE. INTERPRETATION DES MECANISMES QUI REGISSENT LA CONDUCTION.
Author: JEAN-PIERRE.. PEYRE
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Languages : fr
Pages : 60
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ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTIVITE ET DE PHOTOCONDUCTIVITE. MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DES PORTEURS AFIN D'OBTENIR LEUR MOBILITE D'ENTRAINEMENT. MESURE ENTRE 85 ET 240 K
Author: Hassen Dahman
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Languages : fr
Pages : 167
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ETUDE, PAR UNE TECHNIQUE DE PHOTOCONDUCTIVITE, DE L'INFLUENCE DU DOPAGE PAR P SUR LE PRODUIT MOBILITE-DUREE DE VIE DES ELECTRONS ET SUR LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE DE S-SI: H PREPARE PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE. ETUDE DE L'INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA MOBILITE PAR UNE METHODE DE TEMPS DE VOL; MISE EN EVIDENCE DE L'ACTIVATION THERMIQUE DE LA MOBILITE DANS UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURES. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR UN MODELE DE CONDUCTION, BASE SUR L'EXISTENCE DE FLUCTUATIONS DE POTENTIEL
Author: Philippe Bouchut
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Languages : fr
Pages : 100
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MISE EN OEUVRE DES TECHNIQUES DE REFLEXIONS TOTALES MULTIPLES ATTENUEES POUR L'OBSERVATION DES MODES INFRAROUGE LOCALISES DE VIBRATION DE L'HYDROGENE DANS ASIH, D'OPTIQUE GUIDEE PERMETTANT D'AVOIR ACCES AUX PARAMETRES OPTIQUES DU GUIDE D'ONDE, DE PHOTOCONDUCTIVITE PAR PROPAGATION D'ONDE GUIDEE, DE MICROSCOPIE A BALAYAGE ET DE TRANSMISSION, DE SPECTROPHOTOMETRIE DE TRANSMISSION-REFLEXION, DE REPONSE SPECTRALE DE DISPOSITIFS. MISE EN EVIDENCE DE DEUX TYPES D'HYDROGENE LIE DANS ASIH, L'UN UNIFORMEMENT REPARTI, DE CONFIGURATION =-SI-H, L'AUTRE LOCALISE SUR/OU AU VOISINAGE DE CAVITES A PAROIS PLATES EN CONCENTRATION PLUS ELEVEE. LA REPONSE SPECTRALE DE DIODE SCHOTTKY DONNE LE PRODUIT DES PORTEURS MINORITAIRES ET LA MEME REPONSE SUR DISPOSITIF A ELECTRODES COPLANAIRES DONNE LE PRODUIT DES ELECTRONS. DEPENDANCE SPECTRALE DE L'ABSORPTION DU MATERIAU
Author: Adnan Mini
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Languages : fr
Pages : 209
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