CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA PASSIVATION DE COMPOSANTS SUR ARSENIURE DE GALLIUM PDF Download
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Author: Sylvie Montpied
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 199
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Book Description
LES TRANSISTORS A EFFET CHAMP A CONTACT METAL-SEMICONDUCTEUR, NON PASSIVES, REALISES SUR ARSENIURE DE GALLIUM SONT SUJET A UNE DEGRADATION PROGRESSIVE DE LEURS PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES AUX HYPERFREQUENCES. CE DEFAUT DE FONCTIONNEMENT EST EN PARTI ATTRIBUE AUX SURFACES D'ARSENIURE DE GALLIUM SITUEES DE PART ET D'AUTRES DE LA GRILLE. LA STABILISATION DES COMPOSANTS REQUIERT DONC DE LA PASSIVATION DE CES ZONES GRACE A DES MATERIAUX DE HAUTE QUALITE DIELECTRIQUE REALISANT UNE INTERFACE STABLE AVEC GAAS. DANS CETTE OPTIQUE, LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DE FILMS DE SILICE ET DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA SONT ETUDIEES EN FONCTION DU RAPPORT DES DEBITS DES GAZ EMPLOYE, DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT, DE LA PUISSANCE ET DE LA FREQUENCE DE L'EXCITATION DU PLASMA... CETTE APPROCHE SYSTEMATIQUE PERMET DE DETERMINER DES PARAMETRES DE DEPOT QUI DONNENT DES FILMS AYANT TRES BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES: UNE RESISTIVITE DE 10**(14) A 10**(16) OHM.CM ET UN CHAMP DE CLAQUAGE SUPERIEUR A 10**(6) V/CM SONT AINSI OBTENUS APRES UN RECUIT DONT ON SOULIGNERA L'IMPORTANCE. APRES MISE AU POINT D'UNE PREPARATION DE SURFACE AVANT DEPOT, LA DENSITE D'ETATS SUR LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR A L'INTERFACE GAAS/SI::(3)N::(4) PRESENTE UN MINIMUM DE 7.10**(11) EV**(-2). LES DEPOTS AINSI OPTIMALISES SONT UTILISES POUR LA PASSIVATION DES TRANSISTORS MESFET GAAS. LE RECOUVREMENT D'UN COMPOSANT PAR UNE COUCHE MINCE INTRODUIT UNE MODIFICATION DE SES CARACTERISTIQUES STATIQUES; CELLE-CI EST EXPLIQUEE CONJOINTEMENT PAR UN EFFET PIEZO-ELECTRIQUE ET PAR UN EFFET DE SURFACE INHERENT AU MODE DE DEPOT. SUIVANT LES RESULTATS OBTENUS EN TESTS DE FIABILITE, LE NITRURE DE SILICIUM S'AVERE ETRE LE MEILLEUR CHOIX POUR REUSSIR LA PASSIVATION DU COMPOSANT. DE PLUS, DES PRETRAITEMENTS PAR PLASMA ET UNE MEILLEURE ADAPTATION DU PROCEDE DE FABRICATION AU MODE DE PASSIVATION SONT PROPOSES POUR AMELIORER ENCORE LA STABILITE A LONG TERME DES CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS
Author: Sylvie Montpied
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Languages : fr
Pages : 199
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LES TRANSISTORS A EFFET CHAMP A CONTACT METAL-SEMICONDUCTEUR, NON PASSIVES, REALISES SUR ARSENIURE DE GALLIUM SONT SUJET A UNE DEGRADATION PROGRESSIVE DE LEURS PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES AUX HYPERFREQUENCES. CE DEFAUT DE FONCTIONNEMENT EST EN PARTI ATTRIBUE AUX SURFACES D'ARSENIURE DE GALLIUM SITUEES DE PART ET D'AUTRES DE LA GRILLE. LA STABILISATION DES COMPOSANTS REQUIERT DONC DE LA PASSIVATION DE CES ZONES GRACE A DES MATERIAUX DE HAUTE QUALITE DIELECTRIQUE REALISANT UNE INTERFACE STABLE AVEC GAAS. DANS CETTE OPTIQUE, LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DE FILMS DE SILICE ET DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA SONT ETUDIEES EN FONCTION DU RAPPORT DES DEBITS DES GAZ EMPLOYE, DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT, DE LA PUISSANCE ET DE LA FREQUENCE DE L'EXCITATION DU PLASMA... CETTE APPROCHE SYSTEMATIQUE PERMET DE DETERMINER DES PARAMETRES DE DEPOT QUI DONNENT DES FILMS AYANT TRES BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES: UNE RESISTIVITE DE 10**(14) A 10**(16) OHM.CM ET UN CHAMP DE CLAQUAGE SUPERIEUR A 10**(6) V/CM SONT AINSI OBTENUS APRES UN RECUIT DONT ON SOULIGNERA L'IMPORTANCE. APRES MISE AU POINT D'UNE PREPARATION DE SURFACE AVANT DEPOT, LA DENSITE D'ETATS SUR LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR A L'INTERFACE GAAS/SI::(3)N::(4) PRESENTE UN MINIMUM DE 7.10**(11) EV**(-2). LES DEPOTS AINSI OPTIMALISES SONT UTILISES POUR LA PASSIVATION DES TRANSISTORS MESFET GAAS. LE RECOUVREMENT D'UN COMPOSANT PAR UNE COUCHE MINCE INTRODUIT UNE MODIFICATION DE SES CARACTERISTIQUES STATIQUES; CELLE-CI EST EXPLIQUEE CONJOINTEMENT PAR UN EFFET PIEZO-ELECTRIQUE ET PAR UN EFFET DE SURFACE INHERENT AU MODE DE DEPOT. SUIVANT LES RESULTATS OBTENUS EN TESTS DE FIABILITE, LE NITRURE DE SILICIUM S'AVERE ETRE LE MEILLEUR CHOIX POUR REUSSIR LA PASSIVATION DU COMPOSANT. DE PLUS, DES PRETRAITEMENTS PAR PLASMA ET UNE MEILLEURE ADAPTATION DU PROCEDE DE FABRICATION AU MODE DE PASSIVATION SONT PROPOSES POUR AMELIORER ENCORE LA STABILITE A LONG TERME DES CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS
Author: Abdus Sobhan Bhuiyan
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 135
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Author: Patrick Méquin
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Category :
Languages : fr
Pages : 150
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Author: Philippe Guétin
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Category :
Languages : fr
Pages : 109
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Author: ZOHEIR.. GUENNOUNI
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 194
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE LA COMPENSATION DES PORTEURS LIBRES ET DES CENTRES PROFONDS DANS LES ECHANTILLONS DE GAAS IMPLANTES OU CO-IMPLANTES EN OXYGENE ET EN SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE CAPACITIVE. LES PRINCIPES DES METHODES CLASSIQUES DLTS DE CARACTERISATION DES DEFAUTS ONT ETE DEVELOPPES ET PRESENTES. ON DECRIT EGALEMENT LA NOUVELLE METHODE FTDLTS (DLTS UTILISANT UNE TRANSFORMEE DE FOURIER) QUI PRESENTE UN MEILLEUR POUVOIR SEPARATEUR PERMETTANT DE MIEUX CARACTERISER LES DEFAUTS AYANT DES CONSTANTES DE TEMPS VOISINES. EN CE QUI CONCERNE LA COMPENSATION, ON MONTRE QUE CELLE-CI N'EST PAS DUE SEULEMENT A L'OXYGENE, QU'ELLE DIMINUE EN PRESENCE DE SILICIUM CO-IMPLANTE LORSQUE LE RECUIT EST EFFECTUE A HAUTE TEMPERATURE ET QU'ELLE NE SEMBLE PAS LIEE NON PLUS AUX DEFAUTS DU TYPE EL2. EN CE QUI CONCERNE LES CENTRES PROFONDS, DEUX GROUPES DE DEFAUTS ONT ETE MIS EN EVIDENCE. LE PREMIER GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 220-280 K OU QUATRE DEFAUTS U1, U2, U3 ET U4 DONT LES ENERGIES D'ACTIVATION DES TAUX D'EMISSION SONT CENTREES SUR CELLE DU NIVEAU EL3 ONT ETE CARACTERISES. CES DEFAUTS SEMBLENT ETRE LIES AU DESORDRE DU RESEAU CRISTALLIN DU SUBSTRAT. LE DEUXIEME GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 280-450 K OU LES SIGNATURES DES TROIS DEFAUTS E1, E2, ET E3 DE LA FAMILLE DE DEFAUTS EL2 DU GAAS ONT PU ETRE EVALUEES. LE DEFAUT E1 SEMBLE ETRE UN COMPLEXE DONT FAIT PARTIE L'OXYGENE IMPLANTE, LE DEFAUT E2 EST LIE AUX CONDITIONS DE PREPARATION DU SUBSTRAT ET LE DEFAUT E3 CORRESPOND PROBABLEMENT A EL2
Author: Abdelkhalak El Hami
Publisher: ISTE Press - Elsevier
ISBN: 1785481908
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 298
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Book Description
Embedded Mechatronic Systems 2: Analysis of Failures, Modeling, Simulation and Optimization presents advances in research within the field of mechatronic systems, which integrates reliability into the design process. Providing many detailed examples, this book develops a characterization methodology for faults in mechatronic systems. It analyzes the multi-physical modeling of faults, revealing weaknesses in design and failure mechanisms. This development of meta-models enables us to simulate effects on the reliability of conditions of use and manufacture. Provides many detailed examples Develops a characterization methodology for faults in mechatronic systems Analyzes the multi-physical modeling of faults, revealing weaknesses in design and failure mechanisms
Author: Alex Lidow
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 1119594421
Category : Science
Languages : en
Pages : 470
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Book Description
An up-to-date, practical guide on upgrading from silicon to GaN, and how to use GaN transistors in power conversion systems design This updated, third edition of a popular book on GaN transistors for efficient power conversion has been substantially expanded to keep students and practicing power conversion engineers ahead of the learning curve in GaN technology advancements. Acknowledging that GaN transistors are not one-to-one replacements for the current MOSFET technology, this book serves as a practical guide for understanding basic GaN transistor construction, characteristics, and applications. Included are discussions on the fundamental physics of these power semiconductors, layout, and other circuit design considerations, as well as specific application examples demonstrating design techniques when employing GaN devices. GaN Transistors for Efficient Power Conversion, 3rd Edition brings key updates to the chapters of Driving GaN Transistors; Modeling, Simulation, and Measurement of GaN Transistors; DC-DC Power Conversion; Envelope Tracking; and Highly Resonant Wireless Energy Transfer. It also offers new chapters on Thermal Management, Multilevel Converters, and Lidar, and revises many others throughout. Written by leaders in the power semiconductor field and industry pioneers in GaN power transistor technology and applications Updated with 35% new material, including three new chapters on Thermal Management, Multilevel Converters, Wireless Power, and Lidar Features practical guidance on formulating specific circuit designs when constructing power conversion systems using GaN transistors A valuable resource for professional engineers, systems designers, and electrical engineering students who need to fully understand the state-of-the-art GaN Transistors for Efficient Power Conversion, 3rd Edition is an essential learning tool and reference guide that enables power conversion engineers to design energy-efficient, smaller, and more cost-effective products using GaN transistors.
Author: B. Jayant Baliga
Publisher: Springer
ISBN: 3319939882
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 1114
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Book Description
Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment here focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices. The book will appeal to practicing engineers in the power semiconductor device community.
Author: Abdelkhalak El Hami
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 1118711831
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 149
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Book Description
Optimization is generally a reduction operation of a definite quantity. This process naturally takes place in our environment and through our activities. For example, many natural systems evolve, in order to minimize their potential energy. Modeling these phenomena then largely relies on our capacity to artificially reproduce these processes. In parallel, optimization problems have quickly emerged from human activities, notably from economic concerns. This book includes the most recent ideas coming from research and industry in the field of optimization, reliability and the recognition of accompanying uncertainties. It is made up of eight chapters which look at the reviewing of uncertainty tools, system reliability, optimal design of structures and their optimization (of sizing, form, topology and multi-objectives) – along with their robustness and issues on optimal safety factors. Optimization reliability coupling will also be tackled in order to take into account the uncertainties in the modeling and resolution of the problems encountered. The book is aimed at students, lecturers, engineers, PhD students and researchers. Contents 1. Uncertainty. 2. Reliability in Mechanical Systems. 3. Optimal Structural Design. 4. Multi-object Optimization with Uncertainty. 5. Robust Optimization. 6. Reliability Optimization. 7. Optimal Security Factors Approach. 8. Reliability-based Topology Optimization. About the Authors Abdelkhalak El Hami is Professor at the Institut National des Sciences Appliquées, Rouen, France. He is the author of many articles and books on optimization and uncertainty. Bouchaib Radi is Professor in the Faculty of Sciences and Technology at the University of Hassan Premier, Settat, Morocco. His research interests are in such areas as structural optimization, parallel computation, contact problem and metal forming. He is the author of many scientific articles and books.
Author: Michael Shur
Publisher: Pearson
ISBN: 9780136664963
Category : Bipolar transistors
Languages : en
Pages : 0
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Book Description
This manual contains the PLOTF software, user's guide and program description to accompany Michael Shur's 'Physics of semiconductor devices' - rear cover.
