Contribution à la modélisation bidimensionnelle de lignes micro-coplanaires sur substrat semiconducteur PDF Download
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Author: Abdelmadjid Benghalia
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 234
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Book Description
CET OUVRAGE CONCERNE L'ETUDE ET LA MODELISATION DES STRUCTURES A ONDES LENTES EN LIGNES MICRO-COPLANAIRES DEPOSEES EN CONTACT SCHOTTKY SUR SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR, AINSI QUE L'ETUDE EN STATIQUE ET EN DYNAMIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP UTILISES EN MICROONDES. L'ORIGINALITE DE L'APPROCHE THEORIQUE RESIDE DANS L'OBTENTION D'UNE FONCTION DE GREEN PAR LA TECHNIQUE DE TRANSFORMATION CONFORME QUI TIENT COMPTE DE LA FORME EXACTE DE LA STRUCTURE PHYSIQUE. CETTE FONCTION EST UTILISEE POUR INVERSER L'OPERATEUR LAPLACIEN CONDUISANT A LA RESOLUTION DE L'EQUATION DE POISSON ET L'EQUATION INTEGRALE RESULTANTE EST TRAITEE NUMERIQUEMENT PAR LA METHODE DES MOMENTS. LA RESOLUTION DE SYSTEMES D'EQUATIONS PERMET DE CALCULER AVEC PRECISION ET DANS UNE APPROCHE BIDIMENSIONNELLE, LE PROFIL DE LA ZONE DEPEUPLEE ET LA DISTRIBUTION DE CHARGES SUR LE CONDUCTEUR. CECI PERMET D'ETABLIR LE SCHEMA EQUIVALENT D'UNE UNITE DE LONGUEUR DE LA STRUCTURE ET DE CARACTERISER LA PROPAGATION DES ONDES LENTES EN MODE QUASI TEM LE LONG DE LA LIGNE COPLANAIRE. SON APPLICATION AUX TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN MICROONDES A PERMIS DE CARACTERISER CES DISPOSITIFS EN STATIQUE ET EN DYNAMIQUE EN TENANT COMPTE DE LA PROPAGATION D'UNE ONDE LENTE LE LONG DE LA GRILLE DU TRANSISTOR
Author: Abdelmadjid Benghalia
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 234
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Book Description
CET OUVRAGE CONCERNE L'ETUDE ET LA MODELISATION DES STRUCTURES A ONDES LENTES EN LIGNES MICRO-COPLANAIRES DEPOSEES EN CONTACT SCHOTTKY SUR SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR, AINSI QUE L'ETUDE EN STATIQUE ET EN DYNAMIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP UTILISES EN MICROONDES. L'ORIGINALITE DE L'APPROCHE THEORIQUE RESIDE DANS L'OBTENTION D'UNE FONCTION DE GREEN PAR LA TECHNIQUE DE TRANSFORMATION CONFORME QUI TIENT COMPTE DE LA FORME EXACTE DE LA STRUCTURE PHYSIQUE. CETTE FONCTION EST UTILISEE POUR INVERSER L'OPERATEUR LAPLACIEN CONDUISANT A LA RESOLUTION DE L'EQUATION DE POISSON ET L'EQUATION INTEGRALE RESULTANTE EST TRAITEE NUMERIQUEMENT PAR LA METHODE DES MOMENTS. LA RESOLUTION DE SYSTEMES D'EQUATIONS PERMET DE CALCULER AVEC PRECISION ET DANS UNE APPROCHE BIDIMENSIONNELLE, LE PROFIL DE LA ZONE DEPEUPLEE ET LA DISTRIBUTION DE CHARGES SUR LE CONDUCTEUR. CECI PERMET D'ETABLIR LE SCHEMA EQUIVALENT D'UNE UNITE DE LONGUEUR DE LA STRUCTURE ET DE CARACTERISER LA PROPAGATION DES ONDES LENTES EN MODE QUASI TEM LE LONG DE LA LIGNE COPLANAIRE. SON APPLICATION AUX TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN MICROONDES A PERMIS DE CARACTERISER CES DISPOSITIFS EN STATIQUE ET EN DYNAMIQUE EN TENANT COMPTE DE LA PROPAGATION D'UNE ONDE LENTE LE LONG DE LA GRILLE DU TRANSISTOR
Author: Christophe Seguinot
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Languages : fr
Pages : 194
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Le travail présenté dans ce mémoire concerne l'étude de faisabilité de circuits déphaseurs et modulateurs utilisant le mode lent des lignes de propagation de type micro-ruban et coplanaire déposées sur substrat semi-conducteur.
Author: Christophe Seguinot
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Yves Butel
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 244
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Book Description
Le developpement ou l'amelioration des nouvelles filieres de transistors a effet de champ hyperfrequences ne peut s'envisager sans l'appui de la modelisation physique qui permet la predetermination des caracteristiques et l'optimisation des structures. Le travail que nous presentons a pour objet l'elaboration d'un modele physique quasi bidimensionnel capable de traiter des regimes specifiques tels que le claquage par avalanche ou l'etude de circuits en regime temporel. Dans la premiere partie, les differents types de composants susceptibles d'etre utilises pour l'amplification de puissance hyperfrequence sont presentes. Dans chacun des cas, l'accent est porte sur les principales limitations rencontrees dans ce type d'application. Les differents outils de simulation physique sont ensuite presentes afin de mettre en evidence les avantages lies au modele quasi bidimensionnel que nous avons utilise. Dans la partie suivante, nous decrivons la methodologie mise en oeuvre pour l'etude du claquage par avalanche, un des phenomenes les plus limitatifs pour l'amplification de puissance hyperfrequence. L'influence des principaux parametres technologiques (longueur de grille, geometrie du recess, caracteristiques de l'epitaxie) est envisagee. La validation des resultats est obtenue en les comparant a ceux issus d'autres modeles physiques ou a des mesures impulsionnelles. Le modele mis au point peut facilement etre adapte a l'etude de composants de filieres differentes. Enfin, la derniere partie de ce travail est consacree au couplage d'un nouveau modele physique de transistor a effet de champ avec un modele de circuit permettant une analyse en regime temporel. Apres la description du modele que nous avons elabore, sa mise en oeuvre est presentee en traitant differents types de dispositifs.
Author: Frédéric Héliodore
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Languages : fr
Pages : 42
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Un modèle de résolution bidimensionnelle qui permet une description précise des divers phénomènes intervenant dans le fonctionnement du TEC à grille submicronique. Ce modèle a permis d'analyser les influences du profil de dopage de la couche active, des phénomènes de surface et d'interface couche active-substrat semi-isolant, et de préciser l'intérêt de nouvelles structures à canal enterré (buried channel)
Author: PHILIPPE.. CARER
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Languages : fr
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE ET LA MODELISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET) INGAAS POUR INTEGRATION MONOLITHIQUE AVEC UNE PHOTODIODE PIN DANS LE PHOTORECEPTEUR PIN-FET. APRES UNE PRESENTATION DES PRINCIPALES STRUCTURES DE FET DEVELOPPEES SUR INGAAS, DE LEURS DOMAINES D'APPLICATION ET PLUS PARTICULIEREMENT DE L'INTEGRATION OPTO-ELECTRONIQUE DU PHOTORECEPTEUR PIN-FET, NOUS RAPPELONS LES PROPRIETES PHYSIQUES ET DE TRANSPORT DES MATERIAUX 3-5 EN INSISTANT SUR LES VALEURS DES COEFFICIENTS D'IONISATION D'INGAAS. DIFFERENTS MODELES UNIDIMENSIONNELS DE TRANSISTORS FET S'APPUYANT SUR DES RESOLUTIONS ANALYTIQUES OU NUMERIQUES DES EQUATIONS REGISSANT LA PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS, ET LES MODELES C.A.O. SONT PRESENTES. LES METHODES DE CARACTERISATION STATIQUE ET DYNAMIQUE SONT EXPLICITEES AU CHAPITRE SUIVANT. NOUS ETUDIONS ENSUITE L'EXCES DE COURANT DE FUITE DE GRILLE DES TRANSISTORS INGAAS ET SES VARIATIONS AVEC LA TEMPERATURE. UNE COMPARAISON DE CE PHENOMENE ENTRE LES TRANSISTORS FET INGAAS ET SILICIUM EST EFFECTUEE. CE PHENOMENE PARASITE EST MODELISE A L'AIDE D'UN MODELE DISTRIBUE POUR LES FET, INCLUANT L'HYPOTHESE D'IONISATION PAR IMPACT DE PAIRES ELECTRON-TROU DANS LE CANAL DU TRANSISTOR. PUIS LES PROPRIETES DE BRUIT DES FET INGAAS SONT ETUDIEES ET COMPAREES A CELLES DE FET GAAS EQUIVALENTS. LES PARAMETRES DE BRUIT DU FET INGAAS SONT DEDUITS DES MESURES. ENFIN LES REPERCUSSIONS DE CES PHENOMENES PARASITES (EXCES DE COURANT DE GRILLE ET DE BRUIT DES FET INGAAS) SUR LES PERFORMANCES DU PIN-FET SONT ANALYSEES
Author: Yves Butel
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Languages : fr
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Author: Paolo Mele
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ISBN: 9781536160864
Category : Zinc oxide thin films
Languages : en
Pages : 0
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Book Description
Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
