Author: Jean-François SautereauPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 219
Book Description
Contribution à la conception d'oscillateurs à effet Gunn pour la génération de signaux micro-ondes à faible bruit de fond
Author: Jean-François SautereauPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 219
Book Description
International Aerospace Abstracts
Author: Publisher:
ISBN:
Category : Aeronautics
Languages : en
Pages : 1070
Book Description
CONTRIBUTION A LA CONCEPTION DES OSCILLATEURS MICRO-ONDES A HAUTE PURETE SPECTRALE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SILICIUM ET SILICIUM-GERMANIUM
Author: MYRIANNE.. REGISPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 132
Book Description
LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE PORTE SUR LA MODELISATION, LA CONCEPTION ET LA CARACTERISATION D'OSCILLATEURS A RESONATEUR DIELECTRIQUE (ORDS) A HAUTE PURETE SPECTRALE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SILICIUM ET SILICIUM-GERMANIUM EN BANDES C ET X. DANS UNE PREMIERE PARTIE NOUS PRESENTONS LES GENERALITES ET LA METROLOGIE EN BRUIT DES OSCILLATEURS MICRO-ONDES. L'ESSENTIEL DES NOTIONS IMPORTANTES SUR LES OSCILLATEURS MICRO-ONDES EST RAPPELE ET DIFFERENTES TECHNIQUES DE MESURES SONT PRESENTEES, EN PARTICULIER LA TECHNIQUE PASSIVE A DISCRIMINATEUR DE FREQUENCE ET LA TECHNIQUE ACTIVE A VERROUILLAGE PAR INJECTION QUI SONT DEVELOPPEES AU SEIN DU LABORATOIRE. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION D'OSCILLATEURS A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HOMOJONCTION SUR SUBSTRAT SILICIUM (BJT-SILICIUM). NOUS INSISTONS SUR LA PARTICULARITE DE LA MODELISATION EN BRUIT DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET SUR L'INTERET D'ETUDIER LES CARACTERISTIQUES EN BRUIT BASSE FREQUENCE DANS L'ETAT DE FONCTIONNEMENT DU COMPOSANT LORSQU'IL SE TROUVE DANS LE CIRCUIT OSCILLATEUR ET SOUMIS AU SIGNAL MICRO-ONDE. LA METHODE DE SIMULATION DU BRUIT DE PHASE DES OSCILLATEURS EST PRESENTEE ET EST ENSUITE APPLIQUEE A L'OPTIMISATION D'ORDS A BASE DE BJT-SILICIUM EN BANDE C. DIFFERENTES TOPOLOGIES D'OSCILLATEURS SONT OPTIMISEES ET COMPAREES EN SIMULATION ET EN MESURE. LA DERNIERE PARTIE DE NOTRE MEMOIRE EST CONSACREE A LA CONCEPTION D'OSCILLATEURS FAIBLE BRUIT A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SIGE. TOUT D'ABORD NOUS RAPPELONS LES EXCELLENTES PERFORMANCES EN GAIN ET EN BRUIT DU TRANSISTOR UTILISE POUR LES REALISATIONS. LES DIFFERENTES ETAPES DE L'ELABORATION DU MODELE NON-LINEAIRE DE CE COMPOSANT SONT ENSUITE PRESENTEES. ENFIN, NOUS PROPOSONS, LA VALIDATION DU MODELE FORT SIGNAL PAR LA SIMULATION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DE DIFFERENTS OSCILLATEURS A HAUTE PURETE SPECTRALE EN BANDES C ET X.
CONTRIBUTION A L'ETUDE D'OSCILLATEUR A EFFET GUNN. ASSERVISSEMENT EN FREQUENCE ET APPLICATIONS
Author: Patrick JacquesPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 72
Book Description
Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale
Author: Jacques VerdierPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Book Description
L'OBJECTIF DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE EST DE DEFINIR UNE METHODE RIGOUREUSE DE CONCEPTION D'OSCILLATEURS A FAIBLE BRUIT DE PHASE A BASE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (MESFET, HEMT ET HEMT PSEUDOMORPHIQUE) DANS LE CAS OU LE TRANSISTOR ET LE RESONATEUR SONT SIMULTANEMENT REFROIDIS A DES TEMPERATURES CRYOGENIQUES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE COMPLETE DES DIFFERENTS TYPES DE TEC A LA TEMPERATURE DE L'AZOTE LIQUIDE. NOUS INSISTONS PARTICULIEREMENT SUR LES MECANISMES DE PIEGEAGE-DEPIEGEAGE SUR DES CENTRES PROFONDS ET NOUS PROPOSONS UNE METHODE PERMETTANT DE S'AFFRANCHIR DU PHENOMENE DE COLLAPSE QUI EST L'INCONVENIENT MAJEUR AU FONCTIONNEMENT DU COMPOSANT REFROIDI. NOUS AVONS PU ALORS, A PARTIR DE MESURES DE PARAMETRES S ET IMPULSIONNELLES, EXTRAIRE UN MODELE FORT SIGNAL POUR CHAQUE TRANSISTOR. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS ETUDIONS LES MECANISMES DE CONVERSION DU BRUIT BASSE FREQUENCE EN BRUIT DE PHASE DANS LES OSCILLATEURS A BASE DE TEC. NOUS EXAMINONS TOUT D'ABORD L'INFLUENCE DU SIGNAL MICROONDE SUR L'AMPLITUDE ET LA FORME DES SPECTRES DE BRUIT BASSE FREQUENCE. NOUS ANALYSONS ENSUITE LES FLUCTUATIONS DE FREQUENCE DE L'OSCILLATEUR A PARTIR DU PRODUIT DU BRUIT BASSE FREQUENCE DU TEC ET DU FACTEUR DE PUSHING. L'INCAPACITE DE CETTE METHODE POUR DES TENSIONS DE POLARISATION DE GRILLE OU LE FACTEUR DE PUSHING DECROIT JUSQU'A LA VALEUR NULLE EST ALORS CLAIREMENT MONTRE. EN CONSEQUENCE, NOUS PRESENTONS UN NOUVEAU MODELE NON-LINEAIRE DE TEC UTILISANT DEUX SOURCES DE BRUIT NON CORRELEES RENDANT COMPTE DES EFFETS DISTRIBUES LE LONG DE LA REGION ACTIVE DU COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACREE A LA REALISATION ET A LA CARACTERISATION D'UN OSCILLATEUR CRYOGENIQUE A BASE DE TEC.
Modélisation non-linéaire et en bruit de composants micro-ondes pour applications à faible bruit de phase
Author: Sébastien GribaldoPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 182
Book Description
Cette thèse présente tout d'abord le travail effectué sur la modélisation non-linéaire et en bruit d'amplificateurs micro-ondes à base de transistors SiGe appliquée à la conception d'oscillateurs à très haute pureté spectrale. Le but de ce travail est principalement de comprendre comment modéliser le bruit dans ces transistors en fonctionnement non-linéaire afin de calculer de façon précise le niveau de bruit de phase des amplificateurs utilisés dans une boucle d'oscillation. Cette modélisation fine nous permet de concevoir un amplificateur en bande X présentant une performance en bruit de phase très intéressante pour une application d'oscillateur. Un autre problème concerne l'application de ces mêmes techniques de caractérisation et de modélisation aux résonateurs FBAR et SMR. Ces résonateurs sont utilisés depuis peu et apportent cependant leur propre contribution de bruit au système, et doivent faire l'objet d'une approche de modélisation non-linéaire et en bruit. Ce manuscrit de thèse présente tout d'abord les différentes techniques de mesure de bruit des composants actifs. Il décrit ensuite des techniques de modélisation de composants en régime non-linéaire et en bruit. La conception et l'optimisation d'un amplificateur à faible bruit de phase est ensuite détaillée. Enfin, les techniques de mesures et de modélisation précédemment décrites sont appliquées aux résonateurs SMR et FBAR afin d'extraire leur contributions en bruit, ainsi qu'un modèle non-linéaire et en bruit de ces composants. Ce travail démontre ainsi la faisabilité d'une modélisation fine du bruit en régime non-linéaire utile pour concevoir et optimiser des sources stables ou ultrastables.
Caractérisation et modélisation du bruit basse fréquence de composants bipolaires micro-ondes
Author: Laurent BaryPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 140
Book Description
ANALYSE TEMPORELLE ET CONCEPTION D'OSCILLATEURS MICROONDES A FAIBLE BRUIT DE PHASE
Author: François DupisPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 230
Book Description
MINIMISATION DU BRUIT DE PHASE DES OSCILLATEURS MICROONDES A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN GAAS. DEVELOPPEMENT D'UN MODELE NON LINEAIRE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Conception et réalisation d'oscillateurs intégrés monolithiques micro-ondes à base de transistors sur arséniure de gallium
Author: Philippe AndréPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Book Description
CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A LA CONCEPTION ET A LA REALISATION D'OSCILLATEURS INTEGRES MONOLITHIQUES MICRO-ONDES (MMIC) A BASE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE SCHOTTKY (MESFET) GAAS OU DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAALAS/GAAS.
