Contribution a la caracterisation et a la modelisation des capacites en technologie CMOS PDF Download
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Author: Alain Toulouse
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Author: Alain Toulouse
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Author: Alain Toulouse
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Pages : 143
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LA REDUCTION DES DIMENSIONS ELEMENTAIRES DANS LES CIRCUITS INTEGRES AUGMENTE DE MANIERE INEXORABLE L'INFLUENCE DES INTERCONNEXIONS DANS L'ESTIMATION DES PERFORMANCES D'UN SYSTEME INTEGRE. LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE S'INCLUE DANS UN EFFORT INTERNATIONAL POUR AMELIORER LA PRECISION DE L'EXTRACTION DE PARASITES A PARTIR D'UN DESSIN DE MASQUES. NOUS AVONS TOUT D'ABORD DEVELOPPE UN DISPOSITIF DE MESURE INTEGRE SUR SILICIUM QUI PERMET DE MESURER AVEC PRECISION DES CAPACITES CONSTANTES AVEC UN COUT EN SURFACE TRES REDUIT PAR RAPPORT AUX METHODES DE MESURES DIRECTES. NOUS POUVONS AINSI MESURER DES CAPACITES DE L'ORDRE DE LA CENTAINE D'ATTO-FARAD AVEC UNE INCERTITUDE DE L'ORDRE DE QUELQUES %. A PARTIR DES RESULTATS DE MESURE, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LES LIMITES DES MODELES D'EXTRACTION CLASSIQUES ET PROPOSER UN MODELE ORIGINAL ET GENERIQUE. CE MODELE NECESSITE UNE SIMPLE ETAPE DE CALIBRATION AFIN DE DETERMINER LES PARAMETRES RELATIFS A UNE TECHNOLOGIE DONNEE SANS QU'IL SOIT NECESSAIRE DE CONNAITRE LES DIMENSIONS VERTICALES DE LA TECHNOLOGIE. LES RESULTATS OBTENUS EN TERME DE PRECISION DU MODELE SONT TRES ENCOURAGEANT POUR DES TECHNOLOGIES SUBMICRONIQUES.
Author: David Bernard
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Author: Mohamed Imlahi
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Author: Olivier Rinaudo
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Pages : 338
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CETTE ETUDE PROPOSE UN OUTIL GLOBAL POUR LA CARACTERISATION DES TECHNOLOGIES CMOS A TRAVERS LES PARAMETRES SPICE EXTRAITS DE MICROSTRUCTURES DE TEST ADAPTEES. LE DEVELOPPEMENT DES CONDITIONS DE TEST ET UNE STRATEGIE ORIGINALE D'OPTIMISATION DES PARAMETRES SONT PRESENTES. DE PLUS, UNE AMELIORATION DU MODELE SPICE AINSI QU'UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION DES RESISTANCES D'ACCES PARASITES SONT EXPOSEES. ENFIN, LA MESURE DES PARAMETRES S DE TRANSISTORS A PERMIS DE CARACTERISER LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DU MODELE SPICE AINSI QUE LES PROPRIETES DE L'INTERFACE (SI/SIO#2)
Author: Chen, Xi
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Pages : 234
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LA REDUCTION DE L'EMISSION PARASITE EST DEVENUE UNE CONTRAINTE MAJEURE DANS LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES. PORTANT INITIALEMENT SUR LES EQUIPEMENTS ELECTRONIQUES, LA CONTRAINTE DE COMPATIBILITE ELECTROMAGNETIQUE S'EST REPERCUTEE SUR LE COMPOSANT LUI MEME, DU FAIT DE L'EVOLUTION TECHNOLOGIQUE ET DE L'AVENEMENT DES SYSTEMES SUR PUCE. LES CIRCUITS INTEGRES DOIVENT DE CE FAIT ETRE SELECTIONNES, AINSI QUE LEURS COMPOSANTS ENVIRONNANTS, DE MANIERE A RESPECTER LES CONTRAINTES CEM DE L'EQUIPEMENT. CEPENDANT, LE COMPORTEMENT CEM DU COMPOSANT FAIT ENCORE RAREMENT PARTIE DE LA SPECIFICATION INITIALE DE CONCEPTION. DE PLUS, NI METHODOLOGIE, NI OUTILS DE SIMULATION PERFORMANTS NE SONT DISPONIBLE. NOTRE TRAVAIL DE THESE CONSISTE, D'UNE PART, A METTRE EN UVRE DES METHODES DE MESURES FIABLES POUR CARACTERISER L'EMISSION PARASITE DU COMPOSANT. CES METHODES S'APPLIQUENT AU MODE CONDUIT ET RAYONNE, SONT REPRODUCTIVES AFIN DE PERMETTRE DE COMPARER ET EVALUER DIFFERENTS PRODUITS. D'AUTRE PART, NOTRE EFFORT A PORTE SUR LA CONSTRUCTION D'UN MODELE GENERAL DU COMPOSANT AFIN DE PREDIRE L'EMISSION PARASITE DE MANIERE SIMPLE ET PRECISE DE 1 A 1000 MHZ. CETTE APPROCHE PERMET D'ANALYSER L'IMPACT DE TECHNIQUES DE REDUCTION D'EMISSION AVANT LA FABRICATION DU COMPOSANT. NOUS AVONS DECRIT DIFFERENTES TECHNIQUES DE REDUCTION DE L'EMISSION PARASITE AU NIVEAU CIRCUIT INTEGRE ET BOITIER. LE MODELE CEM PROPOSE RESPECTE LA CONFIDENTIALITE DE LA STRUCTURE ET DE LA TECHNOLOGIE, TOUT EN ETANT COMPATIBLE AVEC LES OUTILS DE SIMULATION. LE MODELE EST GENERIQUE, PERMETTANT DE S'ADAPTER A TOUS TYPES DE COMPOSANTS, DES ASIC AUX MICROPROCESSEURS, A DES FINS DE NORMALISATION DE LA DESCRIPTION CEM DES COMPOSANTS. LE TRAVAIL A ETE CONDUIT EN COOPERATION AVEC ST MICROELECTRONICS
Author: Mohamed Imlahi
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Languages : fr
Pages : 248
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DE NOS JOURS, LA MODELISATION COMPORTEMENTALE HIERARCHISEE DEVIENT LA MEILLEURE METHODE DANS LE DOMAINE DE LA SIMULATION ANALOGIQUE, PUISQU'ELLE PERMET DE REDUIRE LE TEMPS DE LA SIMULATION. EN OUTRE, L'ETUDE HIERARCHIQUE D'UNE STRUCTURE ANALOGIQUE AMENE AUSSI UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ASCENDANTE QUI PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LES PROPRIETES INTRINSEQUES DES BLOCS QUI COMPOSENT LES FONCTIONS ANALOGIQUES. D'UNE MANIERE GENERALE, POUR DES CIRCUITS COMPLEXES, LA MISE EN UVRE DE SIMULATIONS PLUS RAPIDES ET LA POSSIBILITE D'OPTER POUR UNE CONCEPTION ASCENDANTE DES CIRCUITS SERA REALISABLE GRACE A LA MODELISATION DE BLOCS FONCTIONNELS ET A L'ELABORATION DE BIBLIOTHEQUES DE MODELES. D'AUTRE PART, LA PLUPART DES NOUVELLES INSISTANCES DANS LA CONCEPTION DU CIRCUIT ANALOGIQUE EST LA FUSION EFFICACE ENTRE LES TECHNIQUES DES TRAITEMENTS DU SIGNAL ANALOGIQUE ET DIGITAL, ET L'UTILISATION DES SYSTEMES BASES SUR LE COURANT COMME PRINCIPAL REGIME. LE MIROIR DE COURANT EST UNE BRIQUE ESSENTIELLE DANS CES TYPES DE CIRCUIT. UNE METHODE D'APPREHENSION DE LA MODELISATION EST PRESENTEE DANS CE MEMOIRE. ELLE S'APPLIQUE A DES FONCTIONS ELEMENTAIRES (BRIQUE DE BASE) QUI SONT LES MIROIRS DE COURANT EN TECHNOLOGIE CMOS. LES RESULTATS OBTENUS DANS CE TRAVAIL ONT UNE PREMIERE IMPORTANCE POUR LE CONCEPTEUR DANS LA SELECTION DES MIROIRS DE COURANT APPROPRIES QUI SATISFASSENT LES DEMANDES ET LES EXIGENCES DES DIFFERENTS ASPECTS DE PERFORMANCE.
Author: Céline Petot-Barbier
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Languages : fr
Pages : 169
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Le travail présenté dans ce mémoire a pour but de modéliser des composants passifs tels que des varactors et des inductances, ainsi que d'étudier le couplage substrat en haute fréquence en technologie CMOS 120nm et 90nm. Une comparaison de ces structures sur un substrat standard et SOI est présentée. Le premier chapitre permet de poser les bases de la caractérisation hyperfréquence sur plaque et de présenter les différents équipements utilisés pour la mesure des structures de test. Grâce à la validation du nouvel analyseur de réseau, des mesures ont été effectuées pour permettre la modélisation de capacités variables telles que des varactors N+/puits-N différentiels et des inductances différentielles. Le deuxième défi étant le couplage substrat, celui-ci est étudié en technologie CMOS 90nm. Des recommandations sont proposées aux concepteurs pour isoler les blocs de circuit sensibles dans cette technologie. Un modèle RC, basé sur les données technologiques, est développé pour une meilleure compréhension des phénomènes de couplage mis en jeu dans le substrat. La dernière partie aborde la technologie SOI et montre que les composants passifs différentiels étudiés précédemment ne sont pas affectés par cette technologie. Celle-ci permet même de s'affranchir de l'écran protection des inductances utilisé en technologie standard pour limiter les pertes dans le substrat. Le couplage substrat est aussi étudié en technologie SOI. Ces études ont permis d'étudier les deux principaux défis de l'intégration de composants haute fréquence dans les technologies avancées de part les dimensions mis en jeu et la nature du substrat.
Author: Abdelaziz Khalkhal
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Author: Eric Estève
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Pages : 260
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L'ETUDE DES ELEMENTS PARASITES (RESISTANCES ET CAPACITES) A ETE FAITE SUR UNE TECHNOLOGIE CMOS-2 MICRONS. LA STRUCTURE DE TEST ET LES MESURES OBTENUES ONT PERMIS DE DEGAGER UNE MODELISATION ANALYTIQUE DE LA RESISTANCE DE CONTACT, DECOUPLANT LA RESISTANCE D'INTERFACE ET LA RESISTANCE DUE A LA REPARTITION DU COURANT AU SORTIR DU CONTACT. DES ETUDES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ONT PERMIS DE VALIDER CE MODELE. CONCERNANT LES CAPACITES, UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE MESURE, LA METHODE COMPARATIVE, A PERMIS D'AVOIR ACCES A DES CAPACITES DE 10**(-13) FARADS ET, ASSOCIEE A DES TECHNIQUES PLUS CLASSIQUES, DE DEGAGER UNE MODELISATION PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE BORD POUR LES JONCTIONS ET LES INTERCONNEXIONS. LA MODELISATION DU DELAI DANS LES INTERCONNEXIONS A ETE FAITE, PERMETTANT DE PROPOSER DES SOLUTIONS BASEES SUR LA CIRCUITERIE. UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE L'IMPACT DES ELEMENTS PARASITES SUR LES PERFORMANCES D'UN CIRCUIT A ETE REALISEE PAR SIMULATIONS ELECTRIQUES, PERMETTANT DE HIERARCHISER LES ELEMENTS PARASITES, ETUDE COMPLETEE A TITRE PROSPECTIF EN ENVISAGEANT UNE TECHNOLOGIE SOUS MICRONIQUE A DISPOSITIF L.D.D. IL APPARAIT QUE L'IMPACT DES ELEMENTS PARASITES NON INCLUS DANS LE MODELE ELECTRIQUE DE TRANSISTOR RESTERA DANS UNE PROPORTION DE 15% DU TEMPS DE COMMUTATION, CE QUI N'IMPLIQUE PAS DE COMPLEXIFIER LE MODELE ACTUEL. PAR CONTRE, UN CALCUL AUTOMATIQUE DE TOUS LES ELEMENTS PARASITES ASSOCIES A UN CIRCUIT GLOBAL SERAIT NECESSAIRE POUR CONFORTER LA CONCEPTION DE CIRCUIT
