Le transistor MOS de puissance à tranchées PDF Download

Author: Frédéric Morancho
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Languages : fr
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Book Description
CE MEMOIRE TRAITE DE LA MODELISATION ET DE L'EVALUATION DES PERFORMANCES D'UN NOUVEAU COMPOSANT DE PUISSANCE, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES. PLUS PRECISEMENT, ON PRESENTE TOUT D'ABORD L'EVOLUTION DES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE BASSE TENSION DEPUIS LES ANNEES 70 JUSQU'AU TRANSISTOR MOS A TRANCHEES DONT LES PRINCIPALES PROPRIETES SONT ENUMEREES. ON REALISE ENSUITE UNE ETUDE DES MECANISMES - ANALYSE STATIQUE A L'ETAT PASSANT ET A L'ETAT BLOQUE, ANALYSE DYNAMIQUE - INTERVENANT DANS LES DIVERSES ZONES DU COMPOSANT. SUR LA BASE DE CETTE ETUDE, ON ETABLIT UN MODELE DE CE TRANSISTOR POUR LE LOGICIEL DE SIMULATION DES CIRCUITS SPICE. LES PROCEDURES D'ACQUISITION DES PARAMETRES DE CE MODELE SONT PRECISEES. CE MODELE AINSI OBTENU EST ENSUITE VALIDE SUR DEUX FAMILLES DE DIVERS COMPOSANTS MOS DE PUISSANCE INDUSTRIELS. ENFIN, LES LIMITES DE PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES DES TRANSISTORS VDMOS ET MOS A TRANCHEES SONT ETUDIEES ET COMPAREES. IL EST PRINCIPALEMENT MONTRE QUE, DANS LE DOMAINE DES BASSES TENSIONS, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES AFFICHE DES PERFORMANCES SUPERIEURES AU TRANSISTOR VDMOS EN TERMES DE RESISTANCE PASSANTE SPECIFIQUE ET DE DENSITE D'INTEGRATION. LES ETUDES ANALYTIQUES ET LES SIMULATIONS BIDIMENSIONNELLES DES DEUX TYPES DE COMPOSANTS MONTRENT EGALEMENT QUE CETTE SUPERIORITE EST APPELEE A S'ACCROITRE DANS LES ANNEES A VENIR.