Towards an Electrically-injected Optical Parametric Oscillator PDF Download

Author: Alice Bernard
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Book Description
Le travail présenté dans cette thèse porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation de sources prévues pour fonctionner à la fois comme diode laser et comme oscillateur paramétrique optique. Ces lasers sont conçus pour émettre sur un mode d'ordre supérieur afin de permettre une conversion de fréquence paramétrique avec les modes fondamentaux du guide à la fréquence moitié. La diode laser et l'OPO partagent la même cavité optique ; pour assurer l'accord de phase et corriger les écarts à la structure nominale induits lors de l'élaboration par épitaxie, la largeur de ruban est utilisée comme paramètre de contrôle des indices efficaces. Les diodes proposées sont donc étroites (3-5 μm) et gravées profondément. En conséquence, il est potentiellement intéressant d'utiliser des boîtes quantiques pour limiter les recombinaisons non radiatives sur les flancs. Dans le cadre de ce travail, nous avons conçu des diodes basées sur ce principe pour les deux systèmes GaAs/AlGaAs et InGaAsP/InP, qui permettent respectivement d'obtenir potentiellement une émission OPO au voisinage de 2 μm ou de 3 μm. Dans le cas de l'InGaAsP/InP, nous avons étudié au préalable l'indice de réfraction des alliages InGaAsP dans une plage de longueur d'onde jusque-là non couverte par la littérature. Ces données ont été acquises via des mesures d'indice efficace (m-lines) de couches guidantes d'InGaAsP épitaxiées en accord de maille sur un substrat d'InP. Pour des structures laser-OPO optimisées, les simulations montrent que le seuil OPO devrait être obtenu pour une puissance de pompe intracavité de quelques centaines de mW, qu'il est réaliste d'atteindre pour des diodes laser à l'état de l'art. Nous avons étudié les propriétés électro-optiques de diodes lasers à puits quantiques GaAs/AlGaAs réalisées sur la base de nos dessins; l'observation de l'effet laser sur le mode TE2 valide le dessin vertical original de nos diodes lasers. En vue de la fabrication de laser-OPO à ruban étroit, nous avons développé des procédés de fabrication nouveaux sur la Plateforme Technologique Amont (CEA - Grenoble), notamment la gravure profonde (>10 μm) par ICP-RIE. Enfin, nous avons proposé un concept alternatif de diode-OPO, comprenant des cavités laser et OPO distinctes couplées par un taper adiabatique.