REALISATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES D'ARSENIURE DE GALLIUM POLYCRISTALLIN DEPOSE PAR PULVERISATION CATHODIQUE R.F. PDF Download
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Author: Frédéric Lalande (auteur d'une thèse de physique)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 136
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Book Description
ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE CONDUISANT AU CHOIX D'UNE STRUCTURE A BARRIERE DE SCHOTTKY UTILISENT UNE COUCHE MINCE D'ARSENIURE DE GALLIUM POLYCRISTALLIN POUR LA REALISATION DE CELLULES SOLAIRES. ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DE DEPOT SUR LA STOECHIOMETRIE ET LA CRISTALLINITE DU MATERIAU OBTENU PAR DECHARGE CATHODIQUE RF. DEFINITION DES CONDITIONS EXPERIMENTALES OPTIMALES DONNANT UN FILM QUASI STOECHIOMETRIQUE AVEC DES GRAINS DE 3 MICRONS. ESSAIS DE DOPAGE AU SULFURE D'HYDROGENE PERMETTANT DE REALISER DES DIODES SCHOTTKY M::(0)-ASGA-MG
Author: Frédéric Lalande (auteur d'une thèse de physique)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 136
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Book Description
ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE CONDUISANT AU CHOIX D'UNE STRUCTURE A BARRIERE DE SCHOTTKY UTILISENT UNE COUCHE MINCE D'ARSENIURE DE GALLIUM POLYCRISTALLIN POUR LA REALISATION DE CELLULES SOLAIRES. ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DE DEPOT SUR LA STOECHIOMETRIE ET LA CRISTALLINITE DU MATERIAU OBTENU PAR DECHARGE CATHODIQUE RF. DEFINITION DES CONDITIONS EXPERIMENTALES OPTIMALES DONNANT UN FILM QUASI STOECHIOMETRIQUE AVEC DES GRAINS DE 3 MICRONS. ESSAIS DE DOPAGE AU SULFURE D'HYDROGENE PERMETTANT DE REALISER DES DIODES SCHOTTKY M::(0)-ASGA-MG
Author: Benachir Elhadadi
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 118
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Book Description
L'ETUDE PORTE SUR LE DEPOT ET LA CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE DE COUCHES MINCES D'ARSENIURE DE GALLIUM AMORPHES DEPOSEES PAR PULVERISATION CATHODIQUE R.F. SUR QUATRE TYPES DE SUBSTRATS (VERRE ORDINAIRE, FEUILLES DE MOLYBDENE, SILICIUM ET VERRE REVETU D'UNE COUCHE D'OXYDE D'INDIUM DOPE A L'ETAIN (I.T.O.)). NOUS AVONS MONTRE QUE POUR FAVORISER LE DEVELOPPEMENT DE LA PHASE AMORPHE IL EST NECESSAIRE DE MINIMISER L'ENERGIE DES PARTICULES QUI BOMBARDENT LA COUCHE EN UTILISANT UNE FAIBLE TENSION D'AUTOPOLARISATION ET UN PRODUIT PRESSION-DISTANCE ELEVE AFIN DE THERMALISER CES PARTICULES. LA TEMPERATURE MAXIMALE DE SUBSTRAT POUR L'ELABORATION DE LA PHASE AMORPHE DEPEND DU BOMBARDEMENT, ET SUIVANT LES CONDITIONS DE DEPOT ELLE NE DOIT PAS DEPASSER UN CERTAIN SEUIL FAVORISANT LA MOBILITE DES ADATOMES EN SURFACE. DANS CES CONDITIONS, NOUS AVONS PREPARE DES COUCHES DE GAAS AMORPHES A DES TEMPERATURES DE SUBSTRAT AUSSI ELEVEES QUE 600C. LA CORRELATION ENTRE LA TEMPERATURE, LA NATURE DU SUBSTRAT ET LA COMPOSITION DU MATERIAU A PERMIS DE MONTRER QU'ON PEUT OBTENIR UN COMPOSE STCHIOMETRIQUE A 290C SUR VERRE, 400C SUR LE MOLYBDENE ET 500C SUR I.T.O. AUX TEMPERATURES INFERIEURES, LE COMPOSE EST RICHE EN ARSENIC, ET UN EXCES DE GALLIUM EST OBTENU AUX TEMPERATURES SUPERIEURES. L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE L'ENERGIE DES PARTICULES INCIDENTES SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU MATERIAU MONTRE QUE LE BOMBARDEMENT AUGMENTE LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE, SON FACTEUR PREEXPONENTIEL ET LA DENSITE D'ETATS AU VOISINAGE DU NIVEAU DE FERMI. LA CONDUCTIVITE ET LE FACTEUR PREEXPONENTIEL PASSENT PAR UN MINIMUM AU VOISINAGE DE LA STCHIOMETRIE, CE QUI INDIQUE THEORIQUEMENT UN CHANGEMENT DE TYPE DE CONDUCTION (N POUR X0,5 ET P POUR X0,5; X ETANT LA CONCENTRATION DE GALLIUM) ET UNE POSSIBILITE D'AUTODOPAGE POUR LES VALEURS DE X COMPRISES ENTRE 0,49 ET 0,51
