PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES DE TERRES RARES (YB, ER) DANS LES SEMICONDUCTEURS III-V. MECANISME D'EXCITATION DE LA LUMINESCENCE PDF Download
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Author: CHRISTOPHE.. LHOMER
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DANS LE BUT DE REALISER DES EMETTEURS INFRAROUGE, LES PROPRIETES OPTIQUES DES SEMICONDUCTEURS III-V DOPES YB ET ER ONT ETE LARGEMENT ETUDIEES ET SONT ASSEZ BIEN CONNUES. MALGRE TOUTES CES ETUDES LE PROBLEME DES MECANISMES D'EXCITATION DE CETTE LUMINESCENCE N'A PAS ETE RESOLU. L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE CERTAINS SEMICONDUCTEURS III-V DOPES TERRE RARE, NOUS A PERMIS DE MONTRER L'EXISTENCE DE PIEGES DANS CES MATERIAUX. CES PIEGES CREES PAR LA TERRE RARE NE SONT PAS LIES A UN CHANGEMENT D'ETAT DE CHARGE DE L'IMPURETE MAIS FORMENT DES PIEGES ISOELECTRONIQUES. L'INFLUENCE DE CES PIEGES SUR LE DECLIN DE LA LUMINESCENCE DU BORD DE BANDE MET EN EVIDENCE UNE CAPTURE EFFICACE DES PORTEURS PHOTOCREES. NOUS PROPOSONS UN MODELE RENDANT COMPTE DE CE PIEGEAGE ET DE LA FORMATION D'EXCITONS LIES A L'IMPURETE TERRE RARE. DES SIMULATIONS NUMERIQUES DANS LE CAS DE YB ET DE ER DANS INP DE TYPE N NOUS PERMETTENT D'EXTRAIRE DES PARAMETRES RELATIFS A LA FORMATION D'EXCITONS SUR CES PIEGES. CES EXCITONS PIEGES PEUVENT, PAR TRANSFERT NON RADIATIF, EXCITER LES ELECTRONS DE LA COUCHE 4F DE LA TERRE RARE (TR) ET CETTE TR EMET UNE LUMINESCENCE CARACTERISTIQUE DES TRANSITIONS INTERNES (1 M POUR YB#3#+ ET 1,54 M POUR ER#3#+). ON ETABLIT A TRAVERS CE MODELE LA CORRELATION ENTRE L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET LES PROPRIETES OPTIQUES DES TERRES RARES DANS CES SEMICONDUCTEURS III-V. DES MANIPULATIONS DE PHOTOLUMINESCENCE SOUS PRESSION HYDROSTATIQUE METTENT EN EVIDENCE CE TRANSFERT DE L'EXCITON VERS LA TERRE RARE ET S'INTERPRETENT NATURELLEMENT DANS LE CADRE DE CE MODELE
Author: CHRISTOPHE.. LHOMER
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DANS LE BUT DE REALISER DES EMETTEURS INFRAROUGE, LES PROPRIETES OPTIQUES DES SEMICONDUCTEURS III-V DOPES YB ET ER ONT ETE LARGEMENT ETUDIEES ET SONT ASSEZ BIEN CONNUES. MALGRE TOUTES CES ETUDES LE PROBLEME DES MECANISMES D'EXCITATION DE CETTE LUMINESCENCE N'A PAS ETE RESOLU. L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE CERTAINS SEMICONDUCTEURS III-V DOPES TERRE RARE, NOUS A PERMIS DE MONTRER L'EXISTENCE DE PIEGES DANS CES MATERIAUX. CES PIEGES CREES PAR LA TERRE RARE NE SONT PAS LIES A UN CHANGEMENT D'ETAT DE CHARGE DE L'IMPURETE MAIS FORMENT DES PIEGES ISOELECTRONIQUES. L'INFLUENCE DE CES PIEGES SUR LE DECLIN DE LA LUMINESCENCE DU BORD DE BANDE MET EN EVIDENCE UNE CAPTURE EFFICACE DES PORTEURS PHOTOCREES. NOUS PROPOSONS UN MODELE RENDANT COMPTE DE CE PIEGEAGE ET DE LA FORMATION D'EXCITONS LIES A L'IMPURETE TERRE RARE. DES SIMULATIONS NUMERIQUES DANS LE CAS DE YB ET DE ER DANS INP DE TYPE N NOUS PERMETTENT D'EXTRAIRE DES PARAMETRES RELATIFS A LA FORMATION D'EXCITONS SUR CES PIEGES. CES EXCITONS PIEGES PEUVENT, PAR TRANSFERT NON RADIATIF, EXCITER LES ELECTRONS DE LA COUCHE 4F DE LA TERRE RARE (TR) ET CETTE TR EMET UNE LUMINESCENCE CARACTERISTIQUE DES TRANSITIONS INTERNES (1 M POUR YB#3#+ ET 1,54 M POUR ER#3#+). ON ETABLIT A TRAVERS CE MODELE LA CORRELATION ENTRE L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET LES PROPRIETES OPTIQUES DES TERRES RARES DANS CES SEMICONDUCTEURS III-V. DES MANIPULATIONS DE PHOTOLUMINESCENCE SOUS PRESSION HYDROSTATIQUE METTENT EN EVIDENCE CE TRANSFERT DE L'EXCITON VERS LA TERRE RARE ET S'INTERPRETENT NATURELLEMENT DANS LE CADRE DE CE MODELE
Author: DJELLOUL.. SEGHIER
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DANS CE TRAVAIL, NOUS PRESENTONS LES RESULTATS DES ETUDES DE SPECTROSCOPIE OPTIQUE ET ELECTRONIQUE REALISEES SUR LES SEMICONDUCTEURS III-V (INP, GAAS, GAALAS) DOPES AUX IONS TERRES RARES (YB, ER, EU...). LE BUT DE CE TRAVAIL EST L'ETUDE DE LA FAISABILITE DE NOUVEAUX COMPOSANTS ELECTROLUMINESCENTS REALISES A BASE DE CES MATERIAUX. SUR INP DOPE YB, NOUS AVONS MONTRE PAR SPECTROSCOPIE D'ADMITTANCE QUE L'ION YB#3#+ SE COMPORTE COMME UNE IMPURETE ISOVALENTE CAPABLE DE PIEGER A LA FOIS LES ELECTRONS ET LES TROUS. CETTE CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE EST EXPLOITEE POUR DISCUTER LES PROPRIETES OPTIQUES DE L'ION YB#3#+. DANS CE CADRE NOUS PROPOSONS UN MODELE POUR L'EXCITATION ET LA DESEXCITATION DE LA LUMINESCENCE INTRINSEQUE DE LA TERRE RARE. CE MODELE EST UTILISE POUR INTERPRETER LES RESULTATS OBTENUS SUR LES MATERIAUX GAAS ET GAALAS DOPES ER. A L'AIDE DE CETTE ANALYSE NOUS AVONS PU MONTRER DANS LE CAS DU MATERIAU GAALAS:ER QUE LA SECTION EFFICACE D'EMISSION STIMULEE QUE NOUS AVONS MESUREE (10##1#9 CM#2) EST BIEN TROP FAIBLE POUR ENVISAGER DES APPLICATIONS LASER. EN CE QUI CONCERNE LES APPLICATIONS DIODE ELECTROLUMINESCENTE, LES MECANISMES DE PERTES NON RADIATIVES DE TYPE AUGER QUE NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE PAR DES TECHNIQUES OPTIQUES REDUISENT CONSIDERABLEMENT LE RENDEMENT QUANTIQUE DE CES DISPOSITIFS. A LA LUMIERE DE CES RESULTATS, NOUS DISCUTONS LES POTENTIALITES DE CES MATERIAUX
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Publisher: Ed. Techniques Ingénieur
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Languages : fr
Pages : 18
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Author: Clement Guillaume (auteur d'une thèse en Physique).)
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Pages : 198
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Cette étude porte sur l'élaboration et la caractérisation d'hétérojonctions de type ZnO/Si avec plusieurs dopages en terres rares de 0,3 à 3,0 % atomique (Yb, Tb, Eu) du ZnO. Une ingénierie des matériaux basée sur le savoir-faire d'une équipe du CIMAP a permis de mettre en évidence des propriétés remarquables d'émission lumineuse de telles structures liées aux transitions optiques des terres rares et notamment à la suite de traitements thermiques extrêmes (jusqu'à 1373 K). Ces derniers ont en effet généré de nouvelles phases présentant des propriétés intéressantes. Par ailleurs, L'électroluminescence de ces structures a été explorée et elle a révélé des intensités importantes suite à des traitements thermiques à 973 K. Ces derniers ont donné lieu à une configuration favorable à l'émission des ions terres rares localisées plus particulièrement dans la zone de charge d'espace de l'hétérojonction suite à une diffusion des terres rares à l'interface ZnO:TR/Si. Enfin, des structures multicouches de 65 nm d'épaisseur constituées de sous couches ZnO:Ce, ZnO:Tb et ZnO:Tb,Eu avec des épaisseurs variables ont été testées en électroluminescence afin d'obtenir des diodes blanches. Les mécanismes d'excitation des terres rares sont discutés.
Author: Didier Moroni
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Languages : fr
Pages : 180
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IDENTIFICATION DES TYPES DE RECOMBINAISON ENTRE 2 ET 300K DANS LES COUCHES EPAISSES DE GAINAS ET GAINP EPITAXIEES SUR LEUR SUPPORT RESPECTIF INP ET GAAS. ETUDE DE L'ORIGINE DE LA LUMINESCENCE ET VARIATION EN FONCTION DE L'EPAISSEUR DU TAUX DE CAPTURE DES PORTEURS DE LA BARRIERE DANS LES PUITS QUANTIQUES INGAAS/INP. DETERMINATION DU COEFFICIENT D'INTERDIFFUSION DE AL ET GA AUX INTERFACES DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS
Author: Florent Hild
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Languages : fr
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Ce travail de thèse concerne l'élaboration et la caractérisation structurale de couches minces d'oxyde d'étain dopées avec des terres rares ainsi que l'étude de leurs propriétés de photoluminescence. Les couches sont dopées avec du cérium, du terbium ou de l'ytterbium. Les films sont élaborés par évaporation sous vide d'une poudre de SnO2 sur un substrat de silicium monocristallin, et nécessitent un recuit post-dépôt à 600°C à l'air pour cristalliser en phase SnO2 de type rutile. Dans une première partie du travail a consisté caractériser le matériau non dopé. La caractérisation microstructurale a révélé qu'une oxydation du substrat conduisant à une réaction entre l'oxyde d'étain et le silicium avait lieu, conduisant à une microstructure complexe. Afin de limiter les interactions chimiques, des substrats recouverts de silice thermique ont également été utilisées. Les films non dopés présentent des propriétés de luminescence, mise en évidence et discutées en lien avec la microstructure. Pour les films dopés, l'étude structurale a mis en évidence la cristallisation d'une seconde phase de SnO2 de type orthorhombique. Une étude approfondie en STEM-EELS a permis de localiser les ions de terre rare dans la couche. Enfin les propriétés de luminescence des terres rares ont été étudiées en fonction de leur concentration dans le film et de la température de recuit. Après des recuits à 700°C, les couches dopées au Tb émettent intensément dans le vert à température ambiante, ce qui pourrait être intéressant pour le développement de diodes vertes à base de SnO2.
Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Sébastien Forget
Publisher: Springer
ISBN: 3642367054
Category : Science
Languages : en
Pages : 179
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Organic lasers are broadly tunable coherent sources, potentially compact, convenient and manufactured at low-costs. Appeared in the mid 60’s as solid-state alternatives for liquid dye lasers, they recently gained a new dimension after the demonstration of organic semiconductor lasers in the 90's. More recently, new perspectives appeared at the nanoscale, with organic polariton and surface plasmon lasers. After a brief reminder to laser physics, a first chapter exposes what makes organic solid-state organic lasers specific. The laser architectures used in organic lasers are then reviewed, with a state-of-the-art review of the performances of devices with regard to output power, threshold, lifetime, beam quality etc. A survey of the recent trends in the field is given, highlighting the latest developments with a special focus on the challenges remaining for achieving direct electrical pumping of organic semiconductor lasers. A last chapter covers the applications of organic solid-state lasers.
Author: Fabien Bretenaker
Publisher: World Scientific
ISBN: 9814612421
Category : Science
Languages : en
Pages : 185
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This unique book provides an overview of the principle and applications of lasers enriched with numerous illustrations.Being over fifty years old, lasers continue to amaze us. Their performance characteristics are constantly reaching new limits, and the scope of their applications continues to expand. Yet, it took years of effort by teams of physicists to transform the fundamental notions of Einstein into the first experimental beam of laser light. And history is still going on as fundamental research is now triggered by its remarkable properties.This book addresses every aspects of laser light, from its fundamental principles to its industrial applications, at a level particularly suited for high school teachers, students, and anybody curious about science and technology.
Author: David Adler
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 1489922601
Category : Science
Languages : en
Pages : 448
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The Institute for Amorphous Studies was founded in 1982 as the international center for the investigation of amorphous mate rials. It has since played an important role in promoting the und er standing of disordered matter in general. An Institute lecture series on "Fundamentals of Amorphous Materials and Devices" was held during 1982-83 with distinguished speakers from universities and industry. These events were free and open to the public ,and were attended by many representatives of the scientific community. The lectures themselves were highly successful inasmuch as they provided not only formal instruction but also an opportunity for vigorous and stimulating debate. That last element could not be captured within the pages of a book I but the lectures concentrated on the latest advances in the field I which is why their essential contents are he re reproduced in collective form. Together they constitute an interdisciplinary status report of the field. The speakers brought many different viewpoints and a variety of back ground experiences io bear on the problems involved I but though language and conventions vary I the essential unity of the concerns is very clear I as indeed are the ultimate benefits of the many-sided approach.
