Propriétés dynamiques des transistors MOS de puissance PDF Download
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Author: Mohammed Belabadia
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Mohammed Belabadia
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Author: Mohammed Belabadia
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Languages : fr
Pages : 231
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CONSTRUCTION D'UN MODELE DYNAMIQUE H.F. MODELISATION DES CIRCUITS DE COMMUTATION
Author: Georges Guegan (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 224
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ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT
Author: Robert Perret
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 1118623207
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 381
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This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
Author: F. F. Mazda
Publisher: Butterworth-Heinemann
ISBN: 1483161064
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 1032
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Electronics Engineer's Reference Book, Sixth Edition is a five-part book that begins with a synopsis of mathematical and electrical techniques used in the analysis of electronic systems. Part II covers physical phenomena, such as electricity, light, and radiation, often met with in electronic systems. Part III contains chapters on basic electronic components and materials, the building blocks of any electronic design. Part IV highlights electronic circuit design and instrumentation. The last part shows the application areas of electronics such as radar and computers.
Author: Frédéric Morancho
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Languages : fr
Pages : 0
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CE MEMOIRE TRAITE DE LA MODELISATION ET DE L'EVALUATION DES PERFORMANCES D'UN NOUVEAU COMPOSANT DE PUISSANCE, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES. PLUS PRECISEMENT, ON PRESENTE TOUT D'ABORD L'EVOLUTION DES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE BASSE TENSION DEPUIS LES ANNEES 70 JUSQU'AU TRANSISTOR MOS A TRANCHEES DONT LES PRINCIPALES PROPRIETES SONT ENUMEREES. ON REALISE ENSUITE UNE ETUDE DES MECANISMES - ANALYSE STATIQUE A L'ETAT PASSANT ET A L'ETAT BLOQUE, ANALYSE DYNAMIQUE - INTERVENANT DANS LES DIVERSES ZONES DU COMPOSANT. SUR LA BASE DE CETTE ETUDE, ON ETABLIT UN MODELE DE CE TRANSISTOR POUR LE LOGICIEL DE SIMULATION DES CIRCUITS SPICE. LES PROCEDURES D'ACQUISITION DES PARAMETRES DE CE MODELE SONT PRECISEES. CE MODELE AINSI OBTENU EST ENSUITE VALIDE SUR DEUX FAMILLES DE DIVERS COMPOSANTS MOS DE PUISSANCE INDUSTRIELS. ENFIN, LES LIMITES DE PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES DES TRANSISTORS VDMOS ET MOS A TRANCHEES SONT ETUDIEES ET COMPAREES. IL EST PRINCIPALEMENT MONTRE QUE, DANS LE DOMAINE DES BASSES TENSIONS, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES AFFICHE DES PERFORMANCES SUPERIEURES AU TRANSISTOR VDMOS EN TERMES DE RESISTANCE PASSANTE SPECIFIQUE ET DE DENSITE D'INTEGRATION. LES ETUDES ANALYTIQUES ET LES SIMULATIONS BIDIMENSIONNELLES DES DEUX TYPES DE COMPOSANTS MONTRENT EGALEMENT QUE CETTE SUPERIORITE EST APPELEE A S'ACCROITRE DANS LES ANNEES A VENIR.
Author: Abdelghafour Galadi
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Languages : fr
Pages : 137
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Ce travail de thèse traite de la conception, de l'optimisation et de la modélisation électrique d'une nouvelle génération de composants MOS de puissance, appelés FLIMOS (FLoating Islands MOSFET). La structure FLIMOS permet une nette amélioration de la résistance à l'état passant des transistors MOS de puissance. Comparée à la structure à Superjonction, la structure FLIMOS est très intéressante pour les faibles et moyennes tensions de claquage. Dans un premier temps, nous avons proposé une approche analytique permettant d'estimer la tension de claquage, la résistance passante spécifique et les capacites inter-électrodes de la structure FLIMOS. Par conséquent, nous avons défini la plage des dopages ''utiles'' de la zone de drift pour laquelle la structure FLIMOS était optimisée. Ensuite, nous avons démontré que le concept des îlots flottants ne dégradait pas les performances dynamiques des composants MOS de puissance. Dans un deuxième temps, un nouveau modèle SPICE des transistors MOS de puissance basse tension à canal court, a été proposé pour la première fois. Ce modèle décrit d'une façon plus exacte la zone de transition - entre la zone linéaire et la zone de saturation - du transistor MOS de puissance et tient compte, en plus, des effets du canal court sur la tension de seuil et la mobilité. Les paramètres de ce nouveau modèle sont les mêmes que ceux du modèle SPICE niveau 3. Enfin, le modèle a été validé en comparant les résultats des simulations SPICE aux valeurs mesurées.
Author: Pierre Rossel
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Languages : fr
Pages : 285
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ETUDE DES PROPRIETES STATISTIQUES DU TRANSISTOR MOS DANS LES DEUX MODES DE FONCTIONNEMENT CORRESPONDANT RESPECTIVEMENT AU REGIME NON PINCE, OU LA CONDITION D'UNIDIMENSIONNALITE EST RESPECTEE, ET AU REGIME DE SATURATION OU DE PINCEMENT, OU UNE ANALYSE BIDIMENSIONNELLE EST A PRIORI INDISPENSABLE. ETUDE DU COMPORTEMENT EN HAUTES FREQUENCES DU TRANSISTOR MOS: ANALYSE THEORIQUE DE LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT EN VUE DE DETERMINER LES ELEMENTS DE LA MATRICE ADMITTANCE "INTRINSEQUE", IDENTIFICATION ET CARACTERISATION DES ELEMENTS PARASITES ET SCHEMA EQUIVALENT GLOBAL. ANALYSE DE DIVERS CRITERES DE PERFORMANCE DU TRANSISTOR, EN PARTICULIER LE GAIN EN PUISSANCE AFIN DE DEFINIR LES METHODES D'UTILISATION OU DE CONCEPTION DES COMPOSANTS MOS DESTINES A L'AMPLIFICATION EN HAUTES FREQUENCES
Author: Kamel Djellabi
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Languages : fr
Pages : 348
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LE TRAVAIL DE CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE DES PROPRIETES EN COMMUTATION DU VDMOS A MIROIR DE COURANT (SENSEFET, HEXSENSE) QUI INTEGRE SUR LA MEME PUCE DE SILICIUM, UN TRANSISTOR MOS DE PUISSANCE ET UN MIROIR DE COURANT. NOUS AVONS TOUT D'ABORD ANALYSE LE PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DE CE COMPOSANT ET TIRE DES CONCLUSIONS QUANT A SA CAPACITE D'ASSURER LA FONCTION MIROIR DE COURANT. NOUS AVONS ENSUITE PROPOSE UN MODELE SPICE DU VDMOS A MIROIR DE COURANT ADAPTE A L'ETUDE DU REGIME DE COMMUTATION. LA METHODE D'EXTRACTION DES PARAMETRES DU COMPOSANT EST PRECISEE. UN MODELE DU VDMOS A MIROIR DE COURANT QUI PREND EN COMPTE, DE FACON GLOBALE, L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE PUCE EST PRESENTE. ENFIN, AFIN DE VALIDER LE MODELE ETABLI, NOUS AVONS TOUT D'ABORD SIMULE UNE COMMUTATION DU VDMOS A MIROIR DE COURANT SUR CHARGES RESISTIVE ET INDUCTIVE. ENSUITE, LE COMPORTEMENT DU MODELE EST TESTE SUR UN CIRCUIT REPRESENTATIF DES CIRCUITS DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCE QUI EST LE BRAS DE PONT. LE PROBLEME DE LA MODELISATION DE L'EFFET DE LA TEMPERATURE EST ANALYSE EN TANT QU'APPLICATION DANS DEUX CAS. TOUT D'ABORD, LES SIMULATIONS DES CARACTERISTIQUES EN TEMPERATURE SONT DISCUTEES, PUIS L'INCIDENCE DE LA NON-UNIFORMITE DE TEMPERATURE DANS LE COMPOSANT EST ANALYSEE
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Category : Physics
Languages : fr
Pages : 492
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