Observation en microscopie électronique de bicristaux de silicium Σ PDF Download
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Author: Mario Martinez-Hernandez
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ISBN:
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Languages : fr
Pages : 163
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Book Description
Après une brève revue des éléments principaux de la structure des joints et des interactions dislocations joints de grains, étude par microscopie électronique en transmission du mécanisme de déformation plastique des bicristaux du titre. Discussion des résultats obtenus
Author: Mario Martinez-Hernandez
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Languages : fr
Pages : 163
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Après une brève revue des éléments principaux de la structure des joints et des interactions dislocations joints de grains, étude par microscopie électronique en transmission du mécanisme de déformation plastique des bicristaux du titre. Discussion des résultats obtenus
Author: Chantal Fontaine
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Category :
Languages : fr
Pages : 145
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Book Description
DETERMINATION PRECISE DE LA DESORIENTATION ENTRE CRISTAUX, DE L'OBSERVATION DE LEURS INTERFACES ET DES DEFAUTS QU'ILS CONTIENNENT. DISCUSSION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX EN RELATION AVEC DES ETUDES EFFECTUEES SUR LES MEMES TYPES DE MATERIAUX PAR DES TECHNIQUES DIFFERENTES
Author: Mario Martinez-Hernandez
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Category :
Languages : fr
Pages : 105
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APRES UNE BREVE REVUE DES ELEMENTS PRINCIPAUX DE LA STRUCTURE DES JOINTS ET DES INTERACTIONS DISLOCATIONS JOINTS DE GRAINS, ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DU MECANISME DE DEFORMATION PLASTIQUE DES BICRISTAUX DU TITRE. DISCUSSION DES RESULTATS OBTENUS.
Author: François Brisset
Publisher: EDP Sciences
ISBN: 2759803481
Category : Science
Languages : fr
Pages : 930
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Book Description
Aussi bien essentielle dans les milieux académiques qu'industriels, la microscopie électronique à balayage et les microanalyses associéessont au coeur de la recherche scientifique et industrielle. L'ensemble des bases théoriques, les principales caractéristiques techniques, ainsi que des compléments pratiques d'utilisation et d'entretien liés à ces disciplines sont développés dans cet ouvrage. Les microscopes électroniques sous haut vide ou vide contrôlé sont exposées profondément, les microanalyses EDS et WDS de dernières générations également. À coté de ces piliers structurants, d'autres techniques d'analyse ou d'observation sont abordées, telles l'analyse EBSD et l'imagerie 3D, le FIB, les simulations de Monte-Carlo et les essais in-situ, etc. Ce volume en langue française est le seul traitant du sujet de façon aussi exhaustive ; il représente la version actualisée et totalement refondue d'une précédente édition de 1979 aujourd'hui épuisée ; il regroupe enfin les cours dispensés lors de l'école d'été de Saint Martin d'Hères en 2006, organisée par le Groupement National de Microscopie Électronique à Balayage et de microAnalyses (GN-MEBA). Ce livre est particulièrement recommandé aux expérimentateurs mais intéressera aussi les spécialistes en science des matériaux (durs ou mous, conducteurs ou non-conducteurs, stratifiés, etc.) désireux de s'investir dans toutes ces techniques d'imagerie et d'analyse, afin d'en exploiter pleinement les forts potentiels. Il a été écrit par les enseignants de l'école d'été, tous chercheurs ou ingénieurs et spécialistes dans leur domaine. Cet ouvrage s'inscrit dans une collection de publications du GN-MEBA consacrée aux principes, aux techniques expérimentales et aux méthodes de calcul et de simulation en Microscopie Électronique à Balayage et en microanalyses.
Author: SEUNG JOO.. LEE
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Languages : fr
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Book Description
LA MICROSTRUCTURE DU CARBURE DE SILICIUM DOPE A L'ALUMINIUM A ETE ETUDIEE A L'ETAT BRUT DE FRITTAGE ET APRES DEFORMATION A 1600#OC PAR FLEXION TROIS POINTS ET PAR COMPRESSION A 1900#OC. LES EXAMENS DES ECHANTILLONS DEFORMES ONT ETE EFFECTUES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. LES ECHANTILLONS NON DEFORMES CONTIENNENT UN NOMBRE IMPORTANT DES FAUTES DE CROISSANCE ET DE RESEAUX DE DISLOCATIONS DANS LES CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM 4H ET 6H. L'ANALYSE DE QUELQUES DEFAUTS EST PRESENTEE. L'EXAMEN DES ECHANTILLONS DEFORMES MET EN EVIDENCE L'ACTIVATION DU SYSTEME DE GLISSEMENT BASAL. LE CARACTERE DES DISLOCATIONS GLISSILES A PU ETRE DETERMINE DANS DE NOMBREUX CAS. CES DISLOCATIONS SONT DISSOCIEES DANS LE PLAN DE BASE EN DISLOCATIONS PARTIELLES DE SHOCKLEY. DES PHENOMENES DE MONTEE DES DISLOCATIONS ONT ETE OBSERVES ET PLUSIEURS MECANISMES ONT PU ETRE PROPOSES. DANS CERTAINS CAS IL Y A NUCLEATION DE BOUCLES SUR LA DISLOCATION PARTIELLE. LA MONTEE DES DISLOCATIONS EST ALORS ACCOMPAGNEE DE LA FORMATION DE DEBRIS SOUS FORME DE NOMBREUSES BOUCLES NUCLEEES AUTOUR DES DISLOCATIONS. DANS D'AUTRES EXEMPLES, LA MONTEE DES DISLOCATIONS S'EFFECTUE DANS LES PLANS PRISMATIQUES 1010 SANS FORMATION APPARENTE DE BOUCLES RESIDUELLES. DES MECANISMES DE GLISSEMENT DEVIE ONT ETE OBSERVES POUR LES DISLOCATIONS A CARACTERE VIS ET DANS PLUSIEURS EXEMPLES LE PLAN DE DEVIATION A ETE DETERMINE. DE FORTES INTERACTIONS ENTRE LES DISLOCATIONS VIS (B//C) ONT ETE MISES EN EVIDENCE. IL EXISTE EGALEMENT UNE DEFORMATION INTERGRANULAIRE IMPORTANTE SE TRADUISANT PAR LA FORMATION DE RESEAUX DE DISLOCATIONS INTERGRANULAIRES RESULTANT DE L'ACTIVATION DE SOURCES DANS LES JOINTS DE GRAINS SANS CAVITATION NOTABLE AUX JOINTS TRIPLES. UNE MODIFICATION IMPORTANTE DE LA STRUCTURE DES JOINTS TRIPLES. UNE MODIFICATION IMPORTANTE DE LA STRUCTURE DES JOINTS DE GRAINS A ETE SOUVENT OBSERVEE SOUS LA FORME D'UN MICROFACETTAGE CONS
Author: M. Fabricotti
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Category :
Languages : de
Pages : 10
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Book Description
Author: ELISABETH.. LAURENT-PINSON
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Languages : fr
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UNE ETUDES DES JOINTS DE GRAINS A ETE REALISEE EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DANS LE CARBURE DE SILICIUM ALPHA. DIFFERENTES NUANCES ONT ETE ETUDIEES DONT UNE APRES DEFORMATION A 1600 C. L'ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE DES JOINTS DE GRAINS Q NECESSITE L'ETABLISSEMENT DES LISTES DE COINCIDENCE. LES MODELES DES RESEAUX DE COINCIDENCE ONT ALORS ETE APPLIQUES AUX DEUX POLYTYPES 4H ET 6H AINSI QU'AU CAS PARTICULIER DES JOINTS ENTRE POLYTYPES DIFFERENTS. UN NOMBRE IMPORTANT DE RELATIONS D'ORIENTATION A ETE DETERMINE EXPERIMENTALEMENT DANS LES DIFFERENTES NUANCES. UNE DESCRIPTION EN COINCIDENCE TRIDIMENSIONNELLE A PU ETRE REALISEE DANS UN NOMBRE LIMITE DE CAS ET L'ECART A LA POSITION DE COINCIDENCE EST EN GENERAL IMPORTANT. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ONT MONTRE L'IMPORTANCE DE LA NATURE CRISTALLOGRAPHIQUE DU PLAN DU JOINT. SI LA CONFIGURATION LA PLUS FREQUENTE EST DEFINIE PAR LE PLAN DE BASE ET UN PLAN D'INDICES ELEVES, D'AUTRES PLANS PEUVENT DONNER LIEU A DES CONFIGURATIONS DE BASSES ENERGIES. UNE BONNE CONTINUITE DES PLANS PRISMATIQUES DE PART ET D'AUTRE DE L'INTERFACE EST OBSERVEE FREQUEMMENT. L'OBSERVATION DES JOINTS DE GRAINS DANS LA NUANCE DEFORMEE A MIS EN EVIDENCE UNE MODIFICATION IMPORTANTE DU PLAN DE JOINT SE TRADUISANT PAR UN FACETTAGE TRES FREQUENT. DES RESEAUX DE DISLOCATIONS ONT ETE OBSERVES DANS LES JOINTS DE GRAINS DU MATERIQU DEFORME ET INTERPRETES COMME UNE CONSEQUENCE D'UN GLISSEMENT INTERGRANULQIRE. DES IMAGES HAUTE RESOLUTION DE QUELQUES INTERFACES ONT REVELE LA COMPLEXITE DE CELLES-CI, TRES SOUVENT MICROFACETTEES A L'ECHELLE DE LA MAILLE DU CRISTAL
Author: TOUNES.. MOUDDA AZZEM
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 159
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DESCRIPTION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN UTILISE A L'HEURE ACTUELLE DANS LA FABRICATION DES PHOTOPILES ET EN PARTICULIER DU SILICIUM RAD (RIBBON AGAINST DROP). LA QUALITE DES PHOTOPILES FABRIQUEES A PARTIR DE CES CRISTAUX DEPEND A LA FOIS DES DEFAUTS PRESENTS DANS LE MATERIAU DE BASE ET DES DEFAUTS SUPPLEMENTAIRES CREES LORS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ULTERIEURS A LA CROISSANCE. ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES DEFAUTS CREES DANS LE VOLUME LORS DE L'ETAPE DE BRULAGE DU SUPPORT DANS L'OXYGENE ET DES DEFAUTS INDUITS PAR LE PROCESSUS D'ELABORATION DE LA JONCTION N**(+)/P PAR DIFFUSION DU PHOSPHORE (SOURCE POCL::(3))
Author: Xavier Egéa
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Languages : fr
Pages : 101
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Book Description
LES TECHNIQUES DE PHOTOLITHOGRAPHIE SUR SILICIUM ET LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE SOUS ULTRAVIDE (U.H.V.T.E.M) ONT RENDU POSSIBLE L'OBSERVATION DES EVOLUTIONS, EN FONCTION DU TEMPS ET DE LA TEMPERATURE, D'UNE COLONNE DE SILICIUM DE TAILLE H=10M ET 1=5M FORMEE DANS UN SUBSTRAT DE SI(111). LA COLONNE, UNE FOIS NETTOYEE ET FORTEMENT EVAPOREE, OVULE ET FORME UN BULBE. LA DIMENSION FINALE DE CE BULBE EST ALORS DE 1M. NOUS AVONS MONTRE QUE L'APEX DE CE BULBE ETAIT UNE FORME STATIONNAIRE, C'EST A DIRE, INVARIANTE DANS LE TEMPS ET DE PLUS, INDEPENDANTE DE L'ORIENTATION DU SUBSTRAT. IL RESSORT DE NOS OBSERVATIONS QUE LA PARTIE SUPERIEURE DU BULBE COINCIDE BIEN AVEC LA FORME D'EQUILIBRE DU SILICIUM. LA TEMPERATURE A LAQUELLE NOUS AVONS REUSSI CETTE MISE A L'EQUILIBRE EST DE 1050C. IL S'AGIT DE LA SEULE TEMPERATURE POUR LAQUELLE NOUS AYONS CLAIREMENT DEMONTRE LA NON CONTAMINATION EN SURFACE DU BULBE. NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX, FACES PLANES PRESENTES ET DIAGRAMME DES VARIATIONS DE L'ENERGIE LIBRE SPECIFIQUE DE SURFACE SONT COMPARES A CEUX DONNES PAR LA LITTERATURE. LES RAISONS D'EVENTUELS DESACCORDS SONT DISCUTEES
Author: Amina Merabet
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Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
De récents travaux consacrés à l'étude des propriétés des matériaux aux petites échelles ont souligné des différences exceptionnelles dans le comportement mécanique des nano-objets par rapport aux matériaux massifs. Dans le cas du silicium, une transition fragile-ductile à température ambiante a été observée lorsque la taille des échantillons est réduite. Cependant, les défauts et les mécanismes à l'origine de ce changement de comportement n'ont pas été clairement identifiés. Ce travail repose sur l'étude post mortem de nanopiliers déformés, en utilisant différentes techniques de microscopie électronique. Les nanopiliers étudiés ont été préparés par gravure plasma et déformés en compression à température ambiante. Les résultats obtenus durant cette thèse, confirment la différence de comportement des nano-objets par rapport au matériau massif. Par ailleurs, une grande variété de défauts produits lors de la compression a été observée. L'orientation cristallographique de l'axe de sollicitation semble avoir un impact important sur les mécanismes à l'origine du comportement ductile observé. La comparaison entre images HRTEM expérimentales et simulées témoigne de la propagation simultanée de dislocations partielles et parfaites dans les plans {111}. De plus, des événements plastiques ont également été observés dans des plans {115}. Divers mécanismes de déformation possibles impliqués lors de la compression des piliers sont décrits à partir des observations microscopiques. Un modèle tenant compte de l'influence sur la mobilité des dislocations des interactions entre systèmes de glissement est proposé afin d'expliquer la transition fragile-ductile observé aux petites échelles.
