Nouveau modèle analytique du transistor à effet de champ à grille métallique sur Arséniure de Gallium en régime de saturation PDF Download
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Author: Pierre Pouvil
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 446
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Book Description
SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT AUX FREQUENCES INFERIEURES A 1 GHZ. MODELE BASE SUR L'APPROXIMATION QUADRATIQUE DE LA FORME DE LA ZONE DEPEUPLEE SOUS LA GRILLE EN REGIME SATURE. VALIDATION DU MODELE PAR COMPARAISON ENTRE SIMULATION ET EXPERIENCES. VARIATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE, LE TRANSISTOR ETANT SOUMIS A UN FLUX LUMINEUX DONT L'ENERGIE EST SUPERIEURE A LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MESFET ILLUSTRE PAR LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR ET D'UN OSCILLATEUR A COMMANDE OPTIQUE
Author: Pierre Pouvil
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Languages : fr
Pages : 446
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Book Description
SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT AUX FREQUENCES INFERIEURES A 1 GHZ. MODELE BASE SUR L'APPROXIMATION QUADRATIQUE DE LA FORME DE LA ZONE DEPEUPLEE SOUS LA GRILLE EN REGIME SATURE. VALIDATION DU MODELE PAR COMPARAISON ENTRE SIMULATION ET EXPERIENCES. VARIATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE, LE TRANSISTOR ETANT SOUMIS A UN FLUX LUMINEUX DONT L'ENERGIE EST SUPERIEURE A LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MESFET ILLUSTRE PAR LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR ET D'UN OSCILLATEUR A COMMANDE OPTIQUE
Author: André Bigand
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Category :
Languages : fr
Pages : 154
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Book Description
Un nouveau modèle analytique permettant d'obtenir les schémas électriques «petit-signal» et «grand-signal» d'un MESFET submicronique sur GaAs est présenté. Ce modèle intègre de nombreux résultats issus de simulations bi-dimensionnelles (phénomène d'injection dans la couche tampon, phénomène d'avalanche, extensions de la zone désertée...). Ce modèle est adapté à la C.A.O. à partir des paramètres physiques du composant et donc à la simulation de circuits linéaires et non linéaires (paramètres S, conception d'oscillateur, de mélangeur, ..., et a donné de bons résultats (quelques résultats théoriques et expérimentaux sont présentés à 6 GHz et permettent d'apprécier les qualités du modèle)
Author: Jacques Graffeuil
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Languages : fr
Pages : 231
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ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES PETITS SIGNAUX DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A BARRIERE DE SCHOTTKY SUR GAAS. ANALYSE DES PROPRIETES EN BRUITS DE CE DISPOSITIF ET DE LA COUCHE EPITAXIALE QUI EN REPRESENTE LE CONSTITUANT ESSENTIEL. LES RESULTATS OBTENUS REPONDENT A LA PLUPART DES BESOINS QUI AVAIENT MOTIVE CETTE ETUDE EN PARTICULIER: ETABLISSEMENT DES MODELES PERMETTANT DE SIMULER LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DYNAMIQUES ET EN BRUIT DE FOND DES TRANSISTORS MESFET, DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE MESURE ADAPTEES A LA DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISANT LES PROPRIETES DES TRANSISTORS, APPLICATION DE CES RESULTATS A LA CONCEPTION ASSISTEE DES MESFET.
Author: André Bigand
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 0
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![Réalisation d'un transistor à effet de champ à grille isolée sur arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/KaEYQwAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Christian Dubuc
Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612217485
Category :
Languages : fr
Pages : 92
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Author: R. Soares
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 517
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Author: Jean Kamdem
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 176
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MISE AU POINT D'UN MODELE MATHEMATIQUE DU TRANSISTOR UTILISABLE EN REGIME DE GRANDS SIGNAUX. ELABORATION D'UNE METHODE THEORIQUE ET DE CARACTERISATION EXPERIMENTALE DU COMPOSANT, UTILISE EN TANT QU'ELEMENT AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE. ETUDE SUR LES PLANS THEORIQUE ET EXPERIMENTAL DES PROPRIETES DES IMPEDANCES QU'IL FAUT PLACER A L'ENTREE ET A LA SORTIE DU TRANSISTOR, POUR OBTENIR UN TRANSFERT OPTIMAL DE LA PUISSANCE VERS LA SORTIE, LORSQUE LA PUISSANCE INCIDENTE INJECTEE SUR LA GRILLE EST AUGMENTEE, ET UTILISATION DU MODELE LARGE SIGNAL POUR LA SIMULATION DU COMPORTEMENT DE CE TYPE DE COMPOSANT, EN FONCTIONNEMENT DOMAINE HYPERFREQUENCE NON LINEAIRE
Author: Jean-Louis Cazaux
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Languages : fr
Pages : 225
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UN NOUVEAU SIMULATEUR DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP METAL-SEMICONDUCTEUR (MESFET) EST PRESENTE DANS CE MEMOIRE. CE LOGICIEL, DENOMME SIMTEC, EST SPECIALEMENT CONCU POUR LES TRANSISTORS A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME. IL PERMET LA DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES STATIQUES, DE PRESQUE TOUS LES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES PRINCIPALES PERFORMANCES MICROONDES DU COMPOSANT
Author: GERARD.. MALAUSSANNE
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 179
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MODELE PERMETTANT D'ACCEDER AUX PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES DU TRANSISTOR DU TITRE. MODELE ADAPTE: (I) A LA RECHERCHE DE COMPOSANTS OPTIMISES (PAR EXEMPLE LES CONDITIONS OPTIMALES D'IMPLANTATION POUR LES COMPOSANTS IMPLANTES) ET (II) A LA SIMULATION DE CIRCUITS CONTENANT PLUSIEURS COMPOSANTS. RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX PRESENTES JUSQU'A 12 GHZ PERMETTANT D'APPRECIER LES QUALITES DU MODELE
Author: Jean-Jacques Cabot
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 140
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