MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI PDF full book. Access full book title MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI by ABDELKADER.. HASSEIN-BEY. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 150
Get Book Here
Book Description
LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Author: ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 150
Get Book Here
Book Description
LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Author: Abdelkader Hassein-Bey
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 164
Get Book Here
Book Description
Author: Hisham S. Haddara
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 168
Get Book Here
Book Description
ON ETUDIE LE TRANSISTOR TMOS A CANAL COURT A L'AIDE D'UN SIMULATEUR BIDIMENSIONNEL EN TENANT COMPTE DES INHOMOGENEITES DE L'INTERFACE. ON PRESENTE ENSUITE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS DEGRADES. ON PROPOSE UNE CONFIGURATION NOUVELLE DU TRANSISTOR MOS PLUS PERFORMANTE QUE LES STRUCTURES CLASSIQUES. UNE PARTIE EST CONSACREE AUX METHODES DE CARACTERISATION DE L'INTERFACE SI-SIO2. LA DERNIERE PARTIE EST RELATIVE AU VIEILLISSEMENT DES TRANSISTORS MOS ULTRA-COURTS EN COMPARANT LES DONNEES THEORIQUES OBTENUES PAR LES METHODES DEVELOPPEES AU DEBUT ET LES RESULTATS EXPERIMENTAUX MESURES SUR DES DISPOSITIFS.
Author: GUENTER.. REICHERT
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 189
Get Book Here
Book Description
L'OBJETCTIF DE CETTE THESE EST LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS-SOI COMPLETEMENT DEPLETES DANS LA GAMME DES HAUTES TEMPERATURES (25C - 300C). LE PREMIER CHAPITRE EST UN BREF RAPPEL DES PRINCIPAUX AVANTAGES DE LA TECHNOLOGIE SOI POUR DES APPLICATIONS HAUTES TEMPERATURES. UNE RELATION ENTRE LES MODELES EMPIRIQUE ET PHYSIQUE DE LA MOBILITE EFFECTIVE DES PORTEURS EST ETABLIE DANS LE DEUXIEME CHAPITRE. CETTE RELATION EXPLIQUE LE ROLE DE TROIS PRINCIPAUX MECANISMES DE COLLISIONS DANS LE MODELE EMPIRIQUE AINSI QUE LA VARIATION DE SES PARAMETRES AVEC LA TEMPERATURE. LE TROISIEME CHAPITRE EST RELATIF A LA VARIATION DE LA TENSION DE SEUIL (V#T#1) ET DU SWING (S) AVEC LA TEMPERATURE. NOUS ETUDIONS LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE V#T#1 ET DE S EN FONCTION DE LA LONGUEUR DE CANAL, DE L'EPAISSEUR DU FILM ET DE LA POLARISATION DE LA GRILLE ARRIERE. LA DIFFERENCE ENTRE DES TRANSISTORS A CANAL D'INVERSION ET D'ACCUMULATION EST EGALEMENT DISCUTEE. DANS LE DERNIER CHAPITRE NOUS DEVELOPPONS UNE METHODE POUR L'EXTRACTION DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE. EN NOUS BASANT SUR LES VALEURS EXPERIMENTALES, NOUS PRESENTONS UN MODELE POUR LE GAIN EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DE DRAIN ET DE GRILLE. ENSUITE, NOUS PROPOSONS UNE TECHNIQUE POUR LA SEPARATION DES EFFETS DE CANAL COURT, DE SUBSTRAT FLOTTANT ET D'AUTO-ECHAUFFEMENT EN UTILISANT LA VARIATION DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE AVEC LA TEMPERATURE. EN CONCLUSION, NOS ETUDES ONT MONTRE QUE LA TECHNOLOGIE SOI COMPLETEMENT DEPLETEE REPOND A TOUTES LES EXIGENCES DES CIRCUITS INTEGRES HAUTES TEMPERATURES. CEPENDANT L'OPTIMISATION DES DISPOSITIFS EST INDISPENSABLE POUR GARANTIR LE FONCTIONNEMENT CORRECT DES CIRCUITS AUX TRES HAUTES TEMPERATURES.
Author: HUGUES.. BRUT
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 262
Get Book Here
Book Description
LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES A L'AIDE DE SIMULATEURS DE TYPE SPICE, NECESSITE L'ELABORATION DE MODELES PHYSIQUES, PRECIS ET SIMPLES. POUR CELA, UNE BONNE COMPREHENSION DU COMPORTEMENT DES DISPOSITIFS EST INDISPENSABLE. PAR AILLEURS LA REDUCTION CONSTANTE DES DIMENSIONS DE CES DISPOSITIFS ENTRAINE L'APPARITION DE NOUVEAUX PHENOMENES PHYSIQUES QU'IL EST PRIMORDIAL D'ISOLER ET DE CARACTERISER D'UN POINT DE VUE EXPERIMENTAL, AFIN D'EN FAIRE UNE MODELISATION AUSSI PROCHE QUE POSSIBLE DE LA REALITE. C'EST DANS CE CADRE DE RECHERCHE QUE S'INSCRIT CE MEMOIRE. LES DISPOSITIFS ETUDIES ICI SONT LES TRANSISTORS METAL OXYDE SEMICONDUCTEUR, LARGEMENT UTILISES DANS LES CIRCUITS INTEGRES DE TYPE NUMERIQUE. LES MODELES ET LES PROCEDURES D'EXTRACTION DIRECTES DEVELOPPES SONT APPLIQUES SUR UN LARGE PANEL DE TECHNOLOGIES ALLANT DE 1.2 M A 0.1 M. APRES UN BREF RAPPEL DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS ET DES PROBLEMES TECHNOLOGIQUES ET DE MODELISATION LIES AUX DIMENSIONS REDUITES DES DISPOSITIFS (CHAPITRE 1), TROIS PARAMETRES FONDAMENTAUX SONT TRAITES: LA TENSION DE SEUIL, LA RESISTANCE SERIE ET LA LONGUEUR DE CANAL EFFECTIVE. DANS LE CHAPITRE 2, LA MODELISATION DE LA TENSION DE SEUIL ET L'EXTRACTION DES PROFILS DE DOPAGE TRANSVERSES SUR LES TRANSISTORS A CANAUX LONGS SONT ABORDES. LE CHAPITRE 3 EST ENSUITE CONSACRE A LA MODELISATION DE LA TENSION DE SEUIL ET A L'EXTRACTION DES PROFILS DE DOPAGE LATERAUX DANS LES TRANSISTORS A CANAUX COURTS. DANS CETTE PARTIE, SONT NOTAMMENT DECORRELES L'EFFET CANAL COURT CLASSIQUE ASSOCIE AU PARTAGE DE CHARGE ET L'EFFET CANAL COURT INVERSE RELATIF A UNE NON HOMOGENEITE DES PROFILS DE DOPAGE LATERAUX. ENFIN, LE CHAPITRE 4 EST DEDIE A L'ETUDE DE LA RESISTANCE SERIE ET DE LA LONGUEUR DE CANAL EFFECTIVE. EN PARTICULIER, L'EVOLUTION DE CES DEUX PARAMETRES AVEC LA POLARISATION DE GRILLE, AINSI QUE SA MODELISATION, SONT TRAITES DANS LE CAS DE TRANSISTORS AYANT DES REGIONS SOURCE ET DRAIN A ZONE FAIBLEMENT DOPEES (LDD)
Author: Bertrand Szelag
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 161
Get Book Here
Book Description
LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES TRANSISTORS MOS FAIT APPARAITRE DES EFFETS NEFASTES AU BON FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL DE THESE EST D'ETUDIER LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES DES MOSFETS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LES LONGUEURS DE GRILLE MINIMUM UTILISEES AU COURS DE CETTE ETUDE SONT DE 75NM. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS LES PRINCIPES DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS EN INTRODUISANT LES EFFETS LIES A LA REDUCTION DES DIMENSIONS. LE SECOND CHAPITRE EST ENTIEREMENT DEDIE AUX EFFETS DE CANAUX COURTS. LA TENSION DE SEUIL EST ETUDIEE EN FONCTION DE NOMBREUX PARAMETRES. NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE FINE DE L'EFFET DE CANAL COURT INVERSE A PARTIR DE MESURES EFFECTUEES A BASSE TEMPERATURE ET EN DETERMINONS L'ORIGINE. ENFIN, NOUS PRESENTONS UN PHENOMENE ORIGINAL D'AUGMENTATION DE LA TRANSCONDUCTANCE AVEC LA POLARISATION DE SUBSTRAT. LE TROISIEME CHAPITRE TRAITE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS. NOUS ANALYSONS EN DETAIL LES COURANTS DE GRILLE ET DE SUBSTRAT ET PRESENTONS DES RESULTATS RELATIFS AU VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS. ENFIN, LE PHENOMENE D'EMISSION DE PHOTONS EST ANALYSE. LE QUATRIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ETUDE COMPARATIVE DES METHODES D'EXTRACTION DE LA LONGUEUR EFFECTIVE DE CANAL ET DES RESISTANCES SERIE. NOUS PROPOSONS CERTAINES AMELIORATIONS PERMETTANT D'UTILISER CES METHODES POUR LES COMPOSANTS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LE CINQUIEME CHAPITRE EST UN TRAVAIL DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS AVANCES REALISES AVEC DIFFERENTES ARCHITECTURES. NOUS COMPARONS UN DOPAGE CONVENTIONNEL OBTENU PAR IMPLANTATION DE BORE A UN DOPAGE RETROGRADE REALISE PAR IMPLANTATION D'INDIUM.
Author: Shing-Hwa Renn
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 154
Get Book Here
Book Description
LA MINIMALISATION ARCHITECTURALE DES DISPOSITIFS ENTRAINE UNE AUGMENTATION DU CHAMP ELECTRIQUE DANS LES TRANSISTORS, QUI EST A L'ORIGINE DE LA GENERATION DE PORTEURS CHAUDS REDUISANT LA FIABILITE DES COMPOSANTS. L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ANALYSER LES PHENOMENES ET LES MECANISMES PHYSIQUES DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS RELATIFS AUX TRANSISTORS MOS SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) ULTRACOURTS. LA STRUCTURE ET LE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS/SOI SONT D'ABORD DECRITS EN DETAIL. PUIS, DIFFERENTES TECHNOLOGIES POUR LA REALISATION DU MATERIAU SOI ET L'INTERET DE TELS COMPOSANTS SONT RAPPELES. LE DEUXIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ANALYSE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES COMPOSANTS SOI FORTEMENT SUBMICRONIQUES. CES RESULTATS ETUDIES PAR DIFFERENTES METHODES ET DANS UNE LARGE GAMME DE POLARISATION PERMETTENT D'INDIQUER AVEC PRECISION LE PIRE CAS DE DEGRADATION ET SOULIGNER L'IMPORTANCE DE L'ACTION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE (TBP). AFIN DE DETERMINER PRECISEMENT LA TENSION D'ALIMENTATION MAXIMALE, UNE TECHNIQUE D'EXTRAPOLATION DE LA DUREE DE VIE DES DISPOSITIFS TENANT COMPTE DE LA DEGRADATION EN DEUX ETAPES EST PROPOSEE DANS LE CHAPITRE III. LE QUATRIEME CHAPITRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE LA DEGRADATION INDUITE PAR L'ACTION DU TBP A L'ETAT OFF, L'INFLUENCE DE CET EFFET INDESIRABLE SUR LE VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS ETANT IDENTIFIEE. LE BUT DU DERNIER CHAPITRE EST DE COMPARER DE MANIERE APPROFONDIE LA FIABILITE DES NMOS/SOI ET PMOS/SOI AVEC DIFFERENTES EPAISSEURS DU FILM DE SILICIUM ET FABRIQUES SUR DIVERS MATERIAUX SOI (SIMOX ET UNIBOND). ENFIN, D'AUTRE ASPECTS TELS QUE LES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS A BASSE TEMPERATURE ONT EGALEMENT ETE ETUDIES AU COURS DE CE TRAVAIL.
Author: Eric Mazaleyrat
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 158
Get Book Here
Book Description
LE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DISPOSITIFS MOS AU SUBSTRAT ISOLANT. APRES UNE ANALYSE DES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DE CETTE TECHNOLOGIE PAR RAPPORT A CELLES SUR SUBSTRAT MASSIF, L'AUTEUR ETUDIE A L'AIDE DE SIMULATEURS NUMERIQUES, LE COMPORTEMENT INTERNE DE LA STRUCTURE A DESERTION PROFONDE. UNE COMPARAISON ENTRE LE SOI DE TYPE SIMOX ET LE SOS EST DEVELOPPEE. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES ENTRANT EN JEU DANS LES DIODES CONTROLLEES PAR GRILLE, PERMET D'ELABORER UN MODELE PRECIS DE TRANSISTOR MOS
Author: OLIVIER.. FAYNOT
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 160
Get Book Here
Book Description
CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS FABRIQUES SUR DES FILMS SIMOX TRES MINCES. DANS LE PREMIER CHAPITRE, OUTRE L'ORIENTATION DE LA MICROELECTRONIQUE, NOUS DETAILLONS L'INTERET POTENTIEL QUE PEUT SUSCITER LA TECHNOLOGIE SOI POUR LES APPLICATIONS BASSE-TENSION. ENSUITE, NOUS ANALYSONS LES PHENOMENES DE COUPLAGE D'INTERFACES APPARAISSANT DANS DEUX TYPES DE CONDUCTION DE TRANSISTORS TOTALEMENT DESERTES: LA CONDUCTION PAR CANAL D'INVERSION ET LA CONDUCTION PAR CANAL D'ACCUMULATION. PUIS, LES EFFETS DE CANAUX COURTS SONT ETUDIES DANS L'OBJECTIF D'OPTIMISER L'ARCHITECTURE DES TRANSISTORS SOI ULTRA-SUBMICRONIQUES. LES PHENOMENES LIES A L'IONISATION PAR IMPACT SONT ENSUITE PRESENTES POUR LES DEUX TYPES DE CONDUCTION. UN PROCEDE SIMPLE DE FABRICATION EST ALORS DECRIT ET LES RESULTATS EXPERIMENTAUX DES TRANSISTORS ET DES CIRCUITS METTENT EN AVANT LES AVANTAGES DU SOI POUR LES APPLICATIONS BASSE-TENSION. LE DERNIER CHAPITRE EST DEDIE A LA CARACTERISATION DES PHENOMENES DE PORTEURS CHAUDS DES TRANSISTORS SOI COMPLETEMENT DESERTES
Author: ISABELLE.. LIMBOURG
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 234
Get Book Here
Book Description
L'ANALYSE DU VIEILLISSEMENT DES TRANSISTORS NMOS DU A UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS EST UN PROBLEME IMPORTANT, CAR ON SAIT MAINTENANT QUE LES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS CREES PAR CE TYPE DE DEGRADATION SONT LA CAUSE D'UNE DIMINUTION DE LA FIABILITE DES DISPOSITIFS VLSI. DANS CE CONTEXTE, L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL DE THESE EST DE MODELISER ET DE CARACTERISER LES EFFETS DU VIEILLISSEMENT PAR INJECTION DE PORTEURS CHAUDS SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR NMOS. POUR CELA, ON A DEVELOPPE UN MODELE ANALYTIQUE UNIDIMENSIONNEL DANS LEQUEL LE CANAL EST DIVISE EN CELLULES ET QUI PEUT PRENDRE EN COMPTE UNE DISTRIBUTION DE DEFAUTS LE LONG DE CE CANAL. LES ECHANTILLONS UTILISES ONT ETE DEGRADES PAR PHOTOINJECTION HOMOGENE D'ELECTRONS DANS L'OXYDE DE GRILLE ; LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE ET LA DENSITE DE CHARGES PIEGEES DANS L'OXYDE ONT ETE EXTRAITES RESPECTIVEMENT PAR LA METHODE DE POMPAGE DE CHARGES ET PAR LA METHODE DE MC WHORTER ET WINOKUR. CE MODELE A ENSUITE ETE INTRODUIT DANS LE SIMULATEUR DE CIRCUITS SABER, LA CARACTERISATION ET L'OPTIMISATION DE TOUS LES PARAMETRES DU MODELE ONT ETE REALISES A L'AIDE DU LOGICIEL IC-CAP. CE MODELE A ETE VALIDE EN REGIME STATIQUE POUR UNE DEGRADATION HOMOGENE, POUR DEUX TYPES DE TRANSISTORS NMOS, DE GEOMETRIES DIFFERENTES ET DE COMPORTEMENT INEGAL VIS-A-VIS DE LA DEGRADATION
