Modélisation de composants actifs pour le CAO de circuits intégrés analogiques

Modélisation de composants actifs pour le CAO de circuits intégrés analogiques PDF Author: Xavier Marchal
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ISBN:
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Languages : fr
Pages : 276

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Book Description
L'ESSOR DE L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE EST DU PRINCIPALEMENT A L'INTEGRATION ACCRUE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS SUR UN MEME SUPPORT. LES PROGRAMMES DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR (CAO) SONT LES OUTILS INDISPENSABLES DES CONCEPTEURS; ILS PERMETTENT, AVANT FABRICATION, LE TEST EXHAUSTIF DE CIRCUITS COMPLEXES EN EVALUANT LEURS PERFORMANCES POUR DES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT NORMALES OU EXTREMES. PARMI TOUS CES LOGICIELS, CEUX DE SIMULATION ELECTRIQUE SONT LES PLUS LARGEMENT UTILISES. NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX EN INSISTANT SUR LE PROGRAMME SPICE (SIMULATION PROGRAM WITH INTEGRATED CIRCUIT EMPHASIS) DE BERKELEY, RECONNU COMME LA REFERENCE DE LA SIMULATION DE CIRCUITS. CEPENDANT CE PROGRAMME NE PERMET QUE DES ANALYSES STANDARD; NOUS DETAILLONS LE PROGRAMME SPICE-PAC QUI POSSEDE TOUTES LES FONCTIONNALITES DE SPICE, DONT IL EST DERIVE, MAIS PERMET, DU FAIT DE SA STRUCTURE MODULAIRE, DES ANALYSES NOUVELLES ET VARIEES. CEPENDANT LES PROGRAMMES DE SIMULATION LES PLUS PERFORMANTS NE DONNENT DES RESULTATS FIABLES QUE SI LES MODELES DE COMPOSANTS INTRODUITS DANS LE SIMULATEUR SONT SUFFISAMMENT PRECIS. LES TRANSISTORS MOSFET SONT LES DISPOSITIFS LES PLUS FREQUENTS; IL EST PROPOSE DANS SPICE, 3 MODELES DIFFERENTS CLASSES SUIVANT LE RAPPORT TEMPS DE SIMULATION/PRECISION DES RESULTATS. CEPENDANT POUR CERTAINES APPLICATIONS, CEUX-CI NE MODELISENT QUE PARTIELLEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES REELS (EFFET D'AVALANCHE OU FAIBLE INVERSION); IL EST ALORS POSSIBLE D'AFFINER LES RESULTATS AVEC LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CELUI-CI, PAR UNE DESCRIPTION CELLULAIRE DU TRANSISTOR, PERMET L'EVALUATION PLUS FINE DE PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL (CHARGES, MOBILITE, CHAMPS ELECTRIQUES). LA MODELISATION NE PEUT ETRE COMPLETE ET UTILISABLE SANS LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU MODELE; LES MODELES DE TRANSISTOR MOS LES PLUS COMPLETS PEUVENT EN COMPORTER PLUS D'UNE QUARANTAINE. NOUS PROPOSERONS DIFFERENTS PROGRAMMES APPELES INDIFFEREMMENT PROGRAMMES D'AJUSTEMENT, DE FITTAGE OU DE PARAMETRAGE QUI PERMETTENT D'EVALUER LES PARAMETRES D'UN MODELE POUR QUE CELUI-CI FOURNISSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES CALCULEES EN BON ACCORD AVEC SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EXPERIMENTALES. CEUX-CI SONT DES PROGRAMMES D'OPTIMISATION MULTIDIMENSIONNELLE NON LINEAIRE MULTI-CRITERES; LES CRITERES ETANT EXPRIMES SOUS LA FORME DE FONCTIONS OBJECTIFS AYANT POUR VARIABLES LES PARAMETRES A DETERMINER, DANS UN DOMAINE HYPERRECTANGULAIRE. NOUS MONTRERONS QUE DANS LE CAS D'UN PARAMETRAGE EN REGIME DC, SEULES DES MESURES DIRECTES D'UN DISPOSITIF SONT UTILISEES; POUR OBTENIR LES PARAMETRES AC ET TRAN, NOUS AVONS RECOURS A DES MESURES INDIRECTES. DANS LE PREMIER CAS SEULE LA SIMULATION D'UN DISPOSITIF EST EFFECTUEE, DANS LE SECOND IL EST NECESSAIRE DE SIMULER UN CIRCUIT COMPLEXE ENVIRONNANT CE DISPOSITIF. CES TACHES SONT TRAITEES PAR DEUX APPLICATIONS DIFFERENTES FIT-PAC ET OPT-PAC, ASSOCIEES AU SIMULATEUR SPICE-PAC. NOUS PRESENTONS ET DISCUTONS LES RESULTATS DE PARAMETRAGE STATIQUE (DC) ET DYNAMIQUE (TRAN) DU MODELE LEVEL 3 DE SPICE.

Modélisation de composants actifs pour le CAO de circuits intégrés analogiques

Modélisation de composants actifs pour le CAO de circuits intégrés analogiques PDF Author: Xavier Marchal
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L'ESSOR DE L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE EST DU PRINCIPALEMENT A L'INTEGRATION ACCRUE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS SUR UN MEME SUPPORT. LES PROGRAMMES DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR (CAO) SONT LES OUTILS INDISPENSABLES DES CONCEPTEURS; ILS PERMETTENT, AVANT FABRICATION, LE TEST EXHAUSTIF DE CIRCUITS COMPLEXES EN EVALUANT LEURS PERFORMANCES POUR DES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT NORMALES OU EXTREMES. PARMI TOUS CES LOGICIELS, CEUX DE SIMULATION ELECTRIQUE SONT LES PLUS LARGEMENT UTILISES. NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX EN INSISTANT SUR LE PROGRAMME SPICE (SIMULATION PROGRAM WITH INTEGRATED CIRCUIT EMPHASIS) DE BERKELEY, RECONNU COMME LA REFERENCE DE LA SIMULATION DE CIRCUITS. CEPENDANT CE PROGRAMME NE PERMET QUE DES ANALYSES STANDARD; NOUS DETAILLONS LE PROGRAMME SPICE-PAC QUI POSSEDE TOUTES LES FONCTIONNALITES DE SPICE, DONT IL EST DERIVE, MAIS PERMET, DU FAIT DE SA STRUCTURE MODULAIRE, DES ANALYSES NOUVELLES ET VARIEES. CEPENDANT LES PROGRAMMES DE SIMULATION LES PLUS PERFORMANTS NE DONNENT DES RESULTATS FIABLES QUE SI LES MODELES DE COMPOSANTS INTRODUITS DANS LE SIMULATEUR SONT SUFFISAMMENT PRECIS. LES TRANSISTORS MOSFET SONT LES DISPOSITIFS LES PLUS FREQUENTS; IL EST PROPOSE DANS SPICE, 3 MODELES DIFFERENTS CLASSES SUIVANT LE RAPPORT TEMPS DE SIMULATION/PRECISION DES RESULTATS. CEPENDANT POUR CERTAINES APPLICATIONS, CEUX-CI NE MODELISENT QUE PARTIELLEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES REELS (EFFET D'AVALANCHE OU FAIBLE INVERSION); IL EST ALORS POSSIBLE D'AFFINER LES RESULTATS AVEC LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CELUI-CI, PAR UNE DESCRIPTION CELLULAIRE DU TRANSISTOR, PERMET L'EVALUATION PLUS FINE DE PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL (CHARGES, MOBILITE, CHAMPS ELECTRIQUES). LA MODELISATION NE PEUT ETRE COMPLETE ET UTILISABLE SANS LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU MODELE; LES MODELES DE TRANSISTOR MOS LES PLUS COMPLETS PEUVENT EN COMPORTER PLUS D'UNE QUARANTAINE. NOUS PROPOSERONS DIFFERENTS PROGRAMMES APPELES INDIFFEREMMENT PROGRAMMES D'AJUSTEMENT, DE FITTAGE OU DE PARAMETRAGE QUI PERMETTENT D'EVALUER LES PARAMETRES D'UN MODELE POUR QUE CELUI-CI FOURNISSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES CALCULEES EN BON ACCORD AVEC SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EXPERIMENTALES. CEUX-CI SONT DES PROGRAMMES D'OPTIMISATION MULTIDIMENSIONNELLE NON LINEAIRE MULTI-CRITERES; LES CRITERES ETANT EXPRIMES SOUS LA FORME DE FONCTIONS OBJECTIFS AYANT POUR VARIABLES LES PARAMETRES A DETERMINER, DANS UN DOMAINE HYPERRECTANGULAIRE. NOUS MONTRERONS QUE DANS LE CAS D'UN PARAMETRAGE EN REGIME DC, SEULES DES MESURES DIRECTES D'UN DISPOSITIF SONT UTILISEES; POUR OBTENIR LES PARAMETRES AC ET TRAN, NOUS AVONS RECOURS A DES MESURES INDIRECTES. DANS LE PREMIER CAS SEULE LA SIMULATION D'UN DISPOSITIF EST EFFECTUEE, DANS LE SECOND IL EST NECESSAIRE DE SIMULER UN CIRCUIT COMPLEXE ENVIRONNANT CE DISPOSITIF. CES TACHES SONT TRAITEES PAR DEUX APPLICATIONS DIFFERENTES FIT-PAC ET OPT-PAC, ASSOCIEES AU SIMULATEUR SPICE-PAC. NOUS PRESENTONS ET DISCUTONS LES RESULTATS DE PARAMETRAGE STATIQUE (DC) ET DYNAMIQUE (TRAN) DU MODELE LEVEL 3 DE SPICE.

MODELISATION DE COMPOSANTS ACTIFS POUR LA CAO DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES PARAMETRAGE ET IMPLANTATION DE MODELES DANS LE SIMULATEUR SPICE-PAC

MODELISATION DE COMPOSANTS ACTIFS POUR LA CAO DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES PARAMETRAGE ET IMPLANTATION DE MODELES DANS LE SIMULATEUR SPICE-PAC PDF Author: Xavier Marchal
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L'ESSOR DE L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE EST DU PRINCIPALEMENT A L'INTEGRATION ACCRUE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS SUR UN MEME SUPPORT. LES PROGRAMMES DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR (CAO) SONT LES OUTILS INDISPENSABLES DES CONCEPTEURS; ILS PERMETTENT, AVANT FABRICATION, LE TEST EXHAUSTIF DE CIRCUITS COMPLEXES EN EVALUANT LEURS PERFORMANCES POUR DES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT NORMALES OU EXTREMES. PARMI TOUS CES LOGICIELS, CEUX DE SIMULATION ELECTRIQUE SONT LES PLUS LARGEMENT UTILISES. NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX EN INSISTANT SUR LE PROGRAMME SPICE (SIMULATION PROGRAM WITH INTEGRATED CIRCUIT EMPHASIS) DE BERKELEY, RECONNU COMME LA REFERENCE DE LA SIMULATION DE CIRCUITS. CEPENDANT CE PROGRAMME NE PERMET QUE DES ANALYSES STANDARD; NOUS DETAILLONS LE PROGRAMME SPICE-PAC QUI POSSEDE TOUTES LES FONCTIONNALITES DE SPICE, DONT IL EST DERIVE, MAIS PERMET, DU FAIT DE SA STRUCTURE MODULAIRE, DES ANALYSES NOUVELLES ET VARIEES. CEPENDANT LES PROGRAMMES DE SIMULATION LES PLUS PERFORMANTS NE DONNENT DES RESULTATS FIABLES QUE SI LES MODELES DE COMPOSANTS INTRODUITS DANS LE SIMULATEUR SONT SUFFISAMMENT PRECIS. LES TRANSISTORS MOSFET SONT LES DISPOSITIFS LES PLUS FREQUENTS; IL EST PROPOSE DANS SPICE, 3 MODELES DIFFERENTS CLASSES SUIVANT LE RAPPORT TEMPS DE SIMULATION/PRECISION DES RESULTATS. CEPENDANT POUR CERTAINES APPLICATIONS, CEUX-CI NE MODELISENT QUE PARTIELLEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES REELS (EFFET D'AVALANCHE OU FAIBLE INVERSION); IL EST ALORS POSSIBLE D'AFFINER LES RESULTATS AVEC LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CELUI-CI, PAR UNE DESCRIPTION CELLULAIRE DU TRANSISTOR, PERMET L'EVALUATION PLUS FINE DE PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL (CHARGES, MOBILITE, CHAMPS ELECTRIQUES). LA MODELISATION NE PEUT ETRE COMPLETE ET UTILISABLE SANS LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU MODELE; LES MODELES DE TRANSISTOR MOS LES PLUS COMPLETS PEUVENT EN COMPORTER PLUS D'UNE QUARANTAINE. NOUS PROPOSERONS DIFFERENTS PROGRAMMES APPELES INDIFFEREMMENT PROGRAMMES D'AJUSTEMENT, DE FITTAGE OU DE PARAMETRAGE QUI PERMETTENT D'EVALUER LES PARAMETRES D'UN MODELE POUR QUE CELUI-CI FOURNISSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES CALCULEES EN BON ACCORD AVEC SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EXPERIMENTALES. CEUX-CI SONT DES PROGRAMMES D'OPTIMISATION MULTIDIMENSIONNELLE NON LINEAIRE MULTI-CRITERES; LES CRITERES ETANT EXPRIMES SOUS LA FORME DE FONCTIONS OBJECTIFS AYANT POUR VARIABLES LES PARAMETRES A DETERMINER, DANS UN DOMAINE HYPERRECTANGULAIRE. NOUS MONTRERONS QUE DANS LE CAS D'UN PARAMETRAGE EN REGIME DC, SEULES DES MESURES DIRECTES D'UN DISPOSITIF SONT UTILISEES; POUR OBTENIR LES PARAMETRES AC ET TRAN, NOUS AVONS RECOURS A DES MESURES INDIRECTES. DANS LE PREMIER CAS SEULE LA SIMULATION D'UN DISPOSITIF EST EFFECTUEE, DANS LE SECOND IL EST NECESSAIRE DE SIMULER UN CIRCUIT COMPLEXE ENVIRONNANT CE DISPOSITIF. CES TACHES SONT TRAITEES PAR DEUX APPLICATIONS DIFFERENTES FIT-PAC ET OPT-PAC, ASSOCIEES AU SIMULATEUR SPICE-PAC. NOUS PRESENTONS ET DISCUTONS LES RESULTATS DE PARAMETRAGE STATIQUE (DC) ET DYNAMIQUE (TRAN) DU MODELE LEVEL 3 DE SPICE.

METHODES D'OPTIMISATION POUR LA CAO DE CIRCUITS INTEGRES

METHODES D'OPTIMISATION POUR LA CAO DE CIRCUITS INTEGRES PDF Author: Christian Poivey
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Languages : fr
Pages : 98

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LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES CONSISTE A DETERMINER DES VALEURS ACCEPTABLES DES PARAMETRES AFIN DE SATISFAIRE CERTAINS CRITERES DE FONCTIONNEMENT DU CIRCUIT DONNE PAR SA TOPOLOGIE. LE PROBLEME EST REFORMULE EN UN PROBLEME NON LINEAIRE A PLUSIEURS DIMENSIONS AVEC CONTRAISNTES. LES FONCTIONS A MINIMISER ET LES CONTRAINTES DEPENDENT IMPLICITEMENT DES PARAMETRES D'OPTIMISATION PAR LES EQUATIONS DU CIRCUIT, CE QUI EXIGE UNE SIMULATION COMPLETE POUR OBTENIR L'EVALUATION DE LA FONCTION. LES METHODES DU GRADIENT ET HESSIENNE NE CONVIENNENT PAS. LA METHODE DU SIMPLEX DE NELDER ET HEAD ADJOINTE A UNE METHODE DE RECHERCHE GLOBALE DES MEILLEURS POINTS D'ATTRACTION A ETE RETENUE. TOUTEFOIS, LA DIMENSION N DOIT RESTER INFERIEURE A 10. ON TENTE DE RESOUDRE LE PROBLEME D'UN GRAND NOMBRE DE VARIABLES EN LE FRACTIONNANT: AU LIEU D'AGIR SUR LA TOTALITE DES VARIABLES, ON EFFECTUE DES MINIMISATIONS SUCCESSIVES SUR DES SOUS-ENSEMBLES. DES ESSAIS SUR DES FONCTIONS TESTS COMPORTANT JUSQU'A 100 VARIABLES SONT SATISFAISANTS. ON OBTIENT LA PROPORTIONNALITE DU TEMPS DE CALCUL ET DU NOMBRE DES VARIABLES. CES METHODES ONT ETE INTERFACEES AVEC LE SIMULATEUR ELECTRIQUE SPICE-PAC ET APPLIQUEES A LA CARACTERISATION DE MODELES DE TRANSISTORS ET A L'OPTIMISATION DE CIRCUITS

Le simulateur LTspice IV - 2e éd.

Le simulateur LTspice IV - 2e éd. PDF Author: Gilles Brocard
Publisher: Dunod
ISBN: 2100591398
Category : Technology & Engineering
Languages : fr
Pages : 659

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Book Description
LTspice est un logiciel de simulation électronique qui permet d'anticiper les caractéristiques et les performances d'un circuit électronique en assemblant à l'écran des composants virtuels. A partir du noyau spice développé à l'université Berkeley mais très peu convivial, la société Linar Technology (LT) a développé une version plus visuelle, plus facile d'emploi, et gratuite. Cet ouvrage est à la fois un manuel utilisateur qui va de la prise en main à une utilisation très poussée de LTspice IV, et un recueil d'exemples et de procédures avec plus de 470 illustrations. Toutes les commandes et les définitions sont expliquées et classées par thème. Cette deuxième édition intègre les dernières générations de circuits intégrés produits par Linear Technology.

Développement d'outils CAO pour la synthèse de circuits intégrés analogiques

Développement d'outils CAO pour la synthèse de circuits intégrés analogiques PDF Author: Luc Hebrard
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 290

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LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES (CIS) ANALOGIQUES SOUFFRE D'UN MANQUE CRUCIAL D'OUTILS CAO QUI PERMETTRAIENT DES TEMPS DE DEVELOPPEMENT ACCEPTABLES, COMPARABLES A CEUX DES CIRCUITS DIGITAUX DE MEME COMPLEXITE, ET UNE AMELIORATION DE LA QUALITE. UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION DES CIS ANALOGIQUES EST TOUT D'ABORD PRESENTEE. ELLE FAIT RESSORTIR L'IMPORTANCE DE LA HIERARCHISATION DES ETAPES DE CONCEPTION ET CELLE D'OUTILS SPECIFIQUES DE PRISE EN COMPTE DES PHENOMENES PARASITES (COUPLAGES CAPACITIFS, COURANTS DE FUITE, INTERACTIONS ELECTROTHERMIQUES,...), PHENOMENES PARTICULIEREMENT PERTURBATEURS POUR LE FONCTIONNEMENT DES CIRCUITS ANALOGIQUES. PARMI LA MYRIADE DES PHENOMENES PARASITES A ETUDIER, NOUS NOUS SOMMES OCCUPES DE L'EVALUATION DES INTERACTIONS ELECTROTHERMIQUES, NOTAMMENT RENCONTREES DANS LES CIS ANALOGIQUES OU MIXTES DE PUISSANCE (CONCEPT SMART POWER). NOUS AVONS DEVELOPPE UN SIMULATEUR THERMIQUE TRIDIMENSIONNEL, NOMME PICMOST, QUI, COUPLE A UN SIMULATEUR ELECTRIQUE DU MARCHE (EX. : SPICE3, HSPICE, ELDO,...), CONSTITUE LE SIMULATEUR ELECTROTHERMIQUE SETIPIC. PARALLELEMENT, UN BANC DE MESURES THERMIQUES PAR INFRAROUGE A ETE MIS AU POINT, EN COLLABORATION AVEC L'EQUIPE DE PHOTOLUMINESCENCE DU LABORATOIRE, POUR VALIDER SETIPIC. LA VALIDATION A PORTE SUR UN CI DE LA SOCIETE MOTOROLA ET LES RESULTATS OBTENUS SONT TRES SATISFAISANTS (UN ECART DE MOINS DE 5 % EST OBSERVE ENTRE LA DISTRIBUTION THERMIQUE MESUREE EN SURFACE DE LA PUCE DE SILICIUM ET CELLE OBTENUE APRES SIMULATION ELECTROTHERMIQUE DU CIRCUIT). LES PHENOMENES ELECTROTHERMIQUES SONT PARTICULIEREMENT LIES A LA TOPOLOGIE DU DESSIN DES MASQUES DU CI. NOUS AVONS FINALEMENT DEFINI LES PRINCIPES, DANS LE CADRE D'UN PROJET SUR L'AUTOMATISATION DU LAYOUT EN ANALOGIQUE, D'UN PLACEUR DE CELLULES ELEMENTAIRES TRAVAILLANT PAR RECUIT SIMULE ET PRENANT EN COMPTE TOUT PARTICULIEREMENT LES PHENOMENES THERMIQUES

Le simulateur LTspice IV

Le simulateur LTspice IV PDF Author: Gilles Brocard
Publisher:
ISBN: 9782100588275
Category :
Languages : fr
Pages : 633

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Book Description
LTspice est un logiciel de simulation electronique qui permet d'anticiper les caracteristiques et les performances d'un circuit electronique en assemblant a l'ecran des composants virtuels. A partir du noyau spice developpe a l'universite Berkeley mais tres peu convivial, la societe Linar Technology (LT) a developpe une version plus visuelle, plus facile d'emploi, et gratuite.Cet ouvrage est a la fois un manuel utilisateur qui va de la prise en main a une utilisation tres poussee de LTspice IV, et un recueil d'exemples et de procedures avec plus de470 illustrations. Toutes les commandes et les definitions sont expliquees et classees par theme.Cette deuxieme edition integre les dernieres generations de circuits integres produits par Linear Technology."

Définition et conception d'un simulateur de circuits analogiques non linéaires à modèles par zones et ordres variables

Définition et conception d'un simulateur de circuits analogiques non linéaires à modèles par zones et ordres variables PDF Author: Bertrand Raiff
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 184

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Book Description
CE TRAVAIL PRESENTE UNE TECHNIQUE DE MODELISATION DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES, DESTINEE A OPTIMISER LA SIMULATION DES CIRCUITS ELECTRIQUES UTILISANT LES METHODES DITES CONVENTIONNELLES. CETTE OPTIMISATION CONSISTE EN UNE MEILLEURE ADEQUATION DE LA FONCTION DE SIMULATION AUX BESOINS DE L'UTILISATEUR ET A L'ETAT DE SES CONNAISSANCES QUANT AUX COMPOSANTS MIS EN JEU (PARAMETRES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES) ET UN GAIN DE TEMPS PAR LE BAIS D'UN ALLEGEMENT DES STRUCTURES DESCRIPTIVES DU CIRCUIT ET DES CALCULS DE RESOLUTION. ELLE EST REALISEE PAR L'INTRODUCTION DE MODELES D'ORDRES VARIABLES, C'EST-A-DIRE DE COMPLEXITE ET DE PRECISION VARIABLES, ET PAR UNE TECHNIQUE DE MODELISATION PAR ZONES D'ETAT, C'EST-A-DIRE QU'UN MEME COMPOSANT, A UN NIVEAU DE COMPLEXITE DONNE, SERA MODELISE PAR UNE STRUCTURE DIFFERENTE SELON LA ZONE DE FONCTIONNEMENT OU IL SE TROUVE. LE CHOIX DE L'ORDRE DU MODELE SERA LAISSE A L'UTILISATEUR, TANDIS QUE LE CHANGEMENT DE ZONE D'ETAT ET DONC DE STRUCTURE DU MODELE RELEVE D'UN AUTOMATISME DU LOGICIEL DE SIMULATION

Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes

Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes PDF Author: François Lémery
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 284

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Book Description
POUR POUVOIR INTEGRER SUR UNE SEULE PUCE DES SYSTEMES TOUJOURS PLUS COMPLEXES COMPORTANT A LA FOIS DES FONCTIONS NUMERIQUES ET ANALOGIQUES, L'UTILISATION D'UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION HIERARCHIQUE EST INDISPENSABLE. BASEE SUR LA MODELISATION COMPORTEMENTALE DE CHAQUE ELEMENT DU CIRCUIT, AVANT TOUT CHOIX D'ARCHITECTURE, UNE TELLE APPROCHE PERMET EN EFFET DE REDUIRE LES TEMPS DE SIMULATION, DE CONCEPTION ET D'AMELIORER LA FIABILITE. APPLIQUE AVEC SUCCES DANS LE DOMAINE DIGITAL, CE PARADIGME DOIT MAINTENANT ETRE ETENDU A L'ANALOGIQUE. CELA EST AUJOURD'HUI POSSIBLE GRACE A L'OFFRE RECENTE DE PUISSANTS LANGAGES DE MODELISATION COMPORTEMENTALE ANALOGIQUE ET MIXTE. CETTE THESE A PERMIS D'INTRODUIRE L'UTILISATION DE CES LANGAGES AU SEIN DE LA COMMUNAUTE DES CONCEPTEURS, PAR LE DEVELOPPEMENT D'UN ENVIRONNEMENT CAO D'AIDE A LA CONCEPTION DE MODELES ANALOGIQUES ET MIXTES. IL EST BASE SUR UNE BIBLIOTHEQUE FONCTIONNELLE ADAPTEE A LA MODELISATION DE CIRCUITS ELEMENTAIRES (AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS) MAIS AUSSI DE SYSTEMES TRES COMPLEXES, TELS QU'UN SYSTEME DE SECURITE AIR-BAG. PLUSIEURS TECHNIQUES DE DESCRIPTION ONT ETE ABORDEES: MACRO-MODELISATION SPICE ET MODELISATION COMPORTEMENTALE A L'AIDE DE PLUSIEURS LANGAGES DONT LES PROPRIETES ONT ETE COMPAREES (FAS, CFAS, HDL-A ET MAST). CET ENVIRONNEMENT COMPORTE AUSSI UN OUTIL DE CARACTERISATION ANALOGIQUE QUI PERMET DE GENERER RAPIDEMENT LES PARAMETRES DES MODELES EN FONCTION DE MESURES DES PERFORMANCES DU CIRCUIT ASSOCIE, PAR DES SIMULATIONS ELECTRIQUES. EN OUTRE, POUR FACILITER LES ECHANGES DE MODELES ET TRANSFERER DES BIBLIOTHEQUES VERS DES LANGAGES DIFFERENTS, DES TRADUCTEURS AUTOMATIQUES ONT DU ETRE ELABORES, TELS QUE FAS VERS CFAS, FAS VERS MAST ET FAS VERS HDL-A

Modélisation comportementale paramétrée de fonctions analogiques pour la simulation des systèmes de transmission, en technologie bipolaire

Modélisation comportementale paramétrée de fonctions analogiques pour la simulation des systèmes de transmission, en technologie bipolaire PDF Author: Martine Sebeloue
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 187

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Book Description
Les concepteurs de circuits intégrés passent par des étapes de simulations qui leur permettent de réduire les coûts de fabrication. Cependant, dans le domaine analogique, l'intégration d'un grand nombre de fonctions rend souvent impossibles les simulations, à cause des problèmes de convergences et augmente considérablement les temps de simulations. Une solution consiste à remplacer lors des simulations, les blocs constitutifs de ces circuits par leurs modèles respectifs afin d'étudier le comportement des systèmes dans des temps très courts. L'objectif et l'originalité de ce travail de recherche consistent à réaliser des modèles d'ordre progressif de fonctions électroniques de base, très utilisées dans l'instrumentation et dans les télécommunications, tout en maintenant un compromis acceptable entre simplicité et précision. La technique de modélisation proposée consiste à créer des modèles simples, en ne considérant que les principaux paramètres intervenant dans la fonctionnalité de ces circuits. Nous présentons donc des macromodèles paramétrables de haut niveau d'un oscillateur contrôlé en tension et d'une boucle à verrouillage de phase. Partant de leur topologie en technologie bipolaire, nous réalisons des modèles d'ordre variable, valables quelle que soit la zone de fonctionnement qui prennent en compte les incertitudes des paramètres principaux des transistors (courant de saturation, gain direct en courant) et les variations en température. Les modèles réalisés sont utilisés dans le simulateur PSPICE, et sont validés par comparaisin de résultats de simulations avec les mesures effectuées avec IC-CAP. L'ensemble de l'étude montre que la technique de modélisation proposée permet de développer des modèles de haut niveau de fonctions électroniques complexes, qui ne consomment pas trop de temps de calcul tout en gardant une bonne précision.

Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes

Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes PDF Author: François Lémery
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 0

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Book Description
Pour pouvoir integrer sur une seule puce des systemes toujours plus complexes comportant a la fois des fonctions numeriques et analogiques, l'utilisation d'une methodologie de conception hierarchique est indispensable. Basee sur la modelisation comportementale de chaque element du circuit, avant tout choix d'architecture, une telle approche permet en effet de reduire les temps de simulation, de conception et d'ameliorer la fiabilite. Applique avec succes dans le domaine digital, ce paradigme doit maintenant etre etendu a l'analogique. Cela est aujourd'hui possible grace a l'offre recente de puissants langages de modelisation comportementale analogique et mixte. Cette these a permis d'introduire l'utilisation de ces langages au sein de la communaute des concepteurs, par le developpement d'un environnement cao d'aide a la conception de modeles analogiques et mixtes. Il est base sur une bibliotheque fonctionnelle adaptee a la modelisation de circuits elementaires (amplificateurs operationnels) mais aussi de systemes tres complexes, tels qu'un systeme de securite air-bag. Plusieurs techniques de description ont ete abordees: macro-modelisation spice et modelisation comportementale a l'aide de plusieurs langages dont les proprietes ont ete comparees (fas, cfas, hdl-a et mast). Cet environnement comporte aussi un outil de caracterisation analogique qui permet de generer rapidement les parametres des modeles en fonction de mesures des performances du circuit associe, par des simulations electriques. En outre, pour faciliter les echanges de modeles et transferer des bibliotheques vers des langages differents, des traducteurs automatiques ont du etre elabores, tels que fas vers cfas, fas vers mast et fas vers hdl-a.