METHODE DE CONCEPTION DES DIODES LASER GAAIAS/GAAS EMETTANT DANS LE SPECTRE VISIBLE ET ETUDE DE LEUR PROCESSUS TECHNOLOGIQUE PDF Download
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Author: Pierre Turc
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Languages : fr
Pages : 142
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Book Description
LA PREMIERE PARTIE DU MEMOIRE PRESENTE UNE METHODE DE CONCEPTION DE DIODES LASER GAALAS/GAAS A RUBAN VSIS EMETTANT DANS LE SPECTRE VISIBLE. UN MODELE ANALYTIQUE COMPLET ET ORIGINAL TIENT COMPTE DES PROPRIETES DE LA COUCHE ACTIVE AINSI QUE DES MECANISMES DE DECONFINEMENT ELECTRIQUE ET OPTIQUE DANS LES SENS TRANSVERSE ET LATERAL AUX HETEROJONCTIONS. SUR CETTE BASE, LES PERFORMANCES LIMITES DE CE COMPOSANT SONT ANALYSEES AFIN DE DEDUIRE LES PLUS COURTES LONGUEURS D'ONDE D'EMISSION COMPATIBLES AVEC UN FONCTIONNEMENT EN REGIME CONTINU A TEMPERATURE AMBIANTE. LA DEUXIEME PARTIE DU MEMOIRE CONCERNE LE PROCESSUS TECHNIQUE DE REALISATION DE CES DIODES LASER
Author: Pierre Turc
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Languages : fr
Pages : 142
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LA PREMIERE PARTIE DU MEMOIRE PRESENTE UNE METHODE DE CONCEPTION DE DIODES LASER GAALAS/GAAS A RUBAN VSIS EMETTANT DANS LE SPECTRE VISIBLE. UN MODELE ANALYTIQUE COMPLET ET ORIGINAL TIENT COMPTE DES PROPRIETES DE LA COUCHE ACTIVE AINSI QUE DES MECANISMES DE DECONFINEMENT ELECTRIQUE ET OPTIQUE DANS LES SENS TRANSVERSE ET LATERAL AUX HETEROJONCTIONS. SUR CETTE BASE, LES PERFORMANCES LIMITES DE CE COMPOSANT SONT ANALYSEES AFIN DE DEDUIRE LES PLUS COURTES LONGUEURS D'ONDE D'EMISSION COMPATIBLES AVEC UN FONCTIONNEMENT EN REGIME CONTINU A TEMPERATURE AMBIANTE. LA DEUXIEME PARTIE DU MEMOIRE CONCERNE LE PROCESSUS TECHNIQUE DE REALISATION DE CES DIODES LASER
Author: Philippe Arguel
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Languages : fr
Pages : 161
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Author: Benoît Messant
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Languages : fr
Pages : 214
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Les travaux reportés dans cette thèse concernent la conception et la réalisation technologique d'une diode laser à puits quantiques InGaAsN émettant à 1,3μm, épitaxiée sur substrat de GaAs, et comportant une structure à ruban à base d'un diaphragme d'oxyde d'aluminium (Alox). Nous présentons, tout d'abord, l'étude de modélisation et de conception de ces diodes laser. En nous appuyant sur un outil incluant la modélisation de la structure de bande des puits quantiques InGaAsN/GaAs, une étude complète d'optimisation des propriétés d'émission des puits quantiques est menée. Nous en dégageons les critères de conception de la structure bidimensionnelle pour obtenir une émission laser à 1,3μm présentant de bonnes performances en terme de stabilité thermique et de réponse dynamique, compatible avec les réseaux optiques d'accès. La seconde partie porte sur la réalisation technologique des composants. Nous présentons la mise au point de l'étape d'oxydation latérale humide et au développement d'un procédé technologique complet et reproductible de réalisation de diodes laser avec injection latérale des porteurs et diaphragme d'oxyde en tenant compte des contraintes technologiques des différentes étapes du procédé. La réalisation et la caractérisation de diodes laser à diaphragme d'oxyde ont constitué la dernière phase de ce travail. Après avoir validé le procédé technologique dans la filière AlGaAs/GaAs, nous avons procédé à une caractérisation approfondie des composants à multi puits quantiques InGaAsN/GaAs afin d'évaluer les potentialités de cette nouvelle filière et de confirmer l'intérêt du confinement procuré par le diaphragme Alox pour l'obtention de composants monomodes stables.
Author: Françoise Lozes-Dupuy
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Languages : fr
Pages : 194
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METHODE BASEE SUR L'EVALUATION DU GAIN OPTIQUE DANS LA COUCHE ACTIVE, A PARTIR DES VARIATIONS EN ENERGIE DU COEFFICIENT DE REACTION DE PAIRES ELECTRON-TROU. LES PROPRIETES ELECTRIQUES D'INJECTION ET DE CONFINEMENT DES HETEROJONCTIONS SONT PRISES EN COMPTE A PARTIR DE LA SIMULATION NUMERIQUE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES STRUCTURES A HETEROJONCTIONS EN REGIME DE TRES HAUTE INJECTION DANS LE CAS GENERAL DES BANDES DE CONDUCTION MULTIVALLEES. APPLICATION DE CETTE METHODE AU CAS DES DIODES LASERS GAALAS EMETTANT DANS LE SPECTRE VISIBLE
Author: Françoise Chatenoud
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Languages : fr
Pages : 133
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Author: JEAN.. HOURANY
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Languages : fr
Pages : 218
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CETTE ETUDE SE SITUE DANS LE CONTEXTE DES RECHERCHES, ACTUELLEMENT INTENSIVES, SUR LES NOUVEAUX RESEAUX MULTIPOINTS DE TELECOMMUNICATIONS NUMERIQUES MULTICOLORES SUR FIBRE OPTIQUE. ELLE VISE A CONCEVOIR DES CIRCUITS INTEGRES GAAS POUR LA COMMANDE EN LONGUEUR D'ONDE DE DIODES LASERS ACCORDABLES RAPIDEMENT (EN QUELQUES NANOSECONDES). L'ASSEMBLAGE DE LA DIODE LASER ET DE SON CIRCUIT DE COMMANDE AU SEIN D'UN ENSEMBLE COMPACT EST ETUDIE POUR DEUX TYPES DE MODULES: MODULE DE CONVERSION EN LONGUEUR D'ONDE UTILISANT UN LASER DBR A 3 SECTIONS ET MODULE DE FILTRAGE EN LONGUEUR D'ONDE UTILISANT UN FILTRE DFB ORIGINAL. DANS CES MODULES, L'ACCORD RAPIDE EST EFFECTUE A L'AIDE, RESPECTIVEMENT, DE 1 ET 2 COURANTS ELECTRIQUES. DANS LE CHAPITRE II, DES BRIQUES ELECTRONIQUES DE BASE SONT PROPOSEES ET REALISEES EN UTILISANT DES TECHNOLOGIES A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (P-HEMT). LES PERFORMANCES OBTENUES SONT PRESENTEES ET COMPAREES. LES VARIATIONS BASSE-FREQUENCE DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE ET LES DISPERSIONS TECHNOLOGIQUES SONT PRISES EN COMPTE DANS LA CONCEPTION DES CES ETAGES. LE CHAPITRE III TRAITE DES ARCHITECTURES DES CIRCUITS COMPLETS. COMME PRECEDEMMENT, PLUSIEURS ARCHITECTURES ORIGINALES SONT PRESENTEES, ET TESTEES, EN UTILISANT QUATRE TECHNOLOGIES DIFFERENTES (DONT UNE TECHNOLOGIE P-HEMT DOUBLE-SEUIL). UN EFFORT PARTICULIER EST PORTE A LA REDUCTION DE LA CONSOMMATION. LE PROBLEME DE L'INTEGRATION DE CES CIRCUITS AVEC LES DIODES LASERS EST ABORDE AU CHAPITRE IV: UN CIRCUIT DE DECOUPLAGE TRES LARGE BANDE ET L'ASSEMBLAGE COMPLET DES MODULES ONT ETE OPTIMISES. DES CARACTERISATIONS EXPERIMENTALES DE PLUSIEURS TYPES DE MODULES DE CONVERSION ET DE FILTRAGE ACCORDABLE EN LONGUEUR D'ONDE SONT PRESENTEES. L'ETUDE EST FINALEMENT VALIDEE PAR L'INTEGRATION DE MODULES AU SEIN DES DEUX MATRICES EXPERIMENTALES DE COMMUTATION ATM ASSEMBLEES PAR DEUX LABORATOIRES EUROPEENS EXTERIEURS. CETTE ETUDE OUVRE LA VOIE A DES SYSTEMES FONCTIONNELS ET COMPACTS DE TRAITEMENT DES DONNEES AU SEIN DES NOUVEAUX RESEAUX DE TELECOMMUNICATIONS A HAUT DEBIT BASES SUR LE MULTIPLEXAGE ET LE ROUTAGE DE CELLULES DE DONNEES NUMERIQUES
Author: Alain Bensoussan (électronicien)
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Languages : fr
Pages : 158
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EVALUATION DES CONDITIONS DE FAISABILITE DE DIODES LASER A SEMICONDUCTEUR GaAlAs EMETTANT DANS LE SPECTRE VISIBLE. ESTIMATION DE LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION MINIMALE REALISABLE AVEC DE TELS DISPOSITIFS
Author: Alain Bensoussan (électronicien)
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Languages : fr
Pages : 135
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ETUDE DU COMPORTEMENT ELECTROMAGNETIQUE DES RESEAUX DE DIODES LASER A RUBANS MULTIPLES COUPLES ET PRESENTATION D'UNE METHODOLOGIE GLOBALE DE CONCEPTION DE CES DISPOSITIFS. LE FORMALISME DES MODES COUPLES ET LA METHODE DE L'INDICE EFFECTIF SONT A LA BASE DE L'ETUDE THEORIQUE GENERALE PERMETTANT D'ANALYSER LE FONCTIONNEMENT MODAL DES RESEAUX, D'ETABLIR UNE METHODE DE CONCEPTION ET DE DEFINIR LES CRITERES QUI CONDUISENT NOTAMMENT A UN DIAGRAMME DE CHAMP LOINTAIN STABLE ET MONOLOBE. ANALYSE SYSTEMATIQUE COMPARATIVE DES FAMILLES DE RUBAN A GUIDAGE PAR L'INDICE REPRESENTATIVES DES FILIERES GAAS/GAALAS ET INP/GAINASP
Author: Lila Nafa
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Languages : fr
Pages : 152
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CE TRAVAIL DE THESE PORTE SUR L'ETUDE D'UN SYSTEME DE MATERIAUX INNOVANTS A BASE DE GAASSB/GAINAS/GAAS SUR SUBSTRAT DE GAAS, EN VUE DE LA REALISATION DE LASERS EMETTANT A 1,3 M. NOUS AVONS D'ABORD MONTRE A PARTIR DE MESURES DE PHOTOLUMINESCENCE ET DE PHOTOVOLTAGE, QUE LA DISCONTINUITE DE BANDES A L'INTERFACE GAASSB/GAAS ETAIT DE TYPE II (QV = 1,35). SUR LA BASE DE CE RESULTAT, NOUS AVONS PROPOSE DEUX STRUCTURES LASERS A DOUBLE PUITS QUANTIQUES GAASSB/GAINAS ET BARRIERE DE GAAS, L'UNE ASYMETRIQUE, L'AUTRE SYMETRIQUE, CAPABLES D'EMETTRE A 1,3 M. CES STRUCTURES LASERS ONT ETE REALISEES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES AU CNET DE BAGNEUX. L'EMISSION STIMULEE A ETE OBTENUE A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES DIODES LASER RIDGE. MALHEUREUSEMENT, LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION ETAIT INFERIEURE A 1,2 M, CE QUI CORRESPOND A UNE TRANSITION ENTRE NIVEAUX QUANTIQUES EXCITES. LE CALCUL DU GAIN OPTIQUE DANS LES DEUX TYPES DE STRUCTURES, MONTRE QUE LA TRANSITION FONDAMENTALE A 1,3 M, PEUT NEANMOINS ETRE OBTENUE SUR DES LASERS A PLUSIEURS PUITS QUANTIQUES (N W = 3) ET A FAIBLES PERTES (
Author: SOPHIE.. COLLET BONNEFONT
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Languages : fr
Pages : 164
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PROPRIETES ELECTROMAGNETIQUES D'UN RESEAU DE DIODES LASER, ETUDIEES A L'AIDE DE LA METHODE DE L'INDICE EFFECTIF ET DE LA THEORIE DES MODES COUPLES. LOGICIEL RESLAS DEVELOPPE POUR DECRIRE LE COMPORTEMENT D'UN RESEAU QUELCONQUE DE DIODES LASER. CONCEPTION ET REALISATION D'UN RESEAU DE DIODES DE TYPE CSP. CONCEPTION ET REALISATION DE RESEAUX DE DIODES GAINASP/INP A COUCHE ACTIVE NERVUREE
