Les plasmas pour les interconnexions en microélectronique PDF Download
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Author: Darnon-M
Publisher: Omn.Univ.Europ.
ISBN: 9786131502620
Category : Literary Criticism
Languages : fr
Pages : 316
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Book Description
Pour r duire la taille des dispositifs et les temps de commutation en micro lectronique, les lignes d'interconnexions doivent tre isol es par du SiOCH poreux. Cependant, la r alisation de tranch es troites dans le SiOCH poreux n cessite de revoir les diff rents proc d s par plasmas (gravure, traitements post-gravure) et les sch mas d'int gration, puisque ce mat riau est facilement d grad lorsqu'il est expos un plasma. Cet ouvrage pr sente une analyse des interactions plasmas/mat riaux pour l'int gration des SiOCH poreux dans des tranch es tr s troites (
Author: Darnon-M
Publisher: Omn.Univ.Europ.
ISBN: 9786131502620
Category : Literary Criticism
Languages : fr
Pages : 316
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Book Description
Pour r duire la taille des dispositifs et les temps de commutation en micro lectronique, les lignes d'interconnexions doivent tre isol es par du SiOCH poreux. Cependant, la r alisation de tranch es troites dans le SiOCH poreux n cessite de revoir les diff rents proc d s par plasmas (gravure, traitements post-gravure) et les sch mas d'int gration, puisque ce mat riau est facilement d grad lorsqu'il est expos un plasma. Cet ouvrage pr sente une analyse des interactions plasmas/mat riaux pour l'int gration des SiOCH poreux dans des tranch es tr s troites (
Author: LE TIEC Yannick
Publisher: Lavoisier
ISBN: 2746289180
Category : Chemical detectors
Languages : en
Pages : 386
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Book Description
La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage. Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne.
Author: Maxime Darnon
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 224
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Book Description
Pour réduire la taille des dispositifs et les temps de commutation en microélectronique, les lignes d'interconnexions doivent être isolées par du SiOCH poreux. Cependant, la réalisation de tranchées étroites dans le SiOCH poreux nécessite de revoir les différents procédés par plasmas (gravure, traitements post-gravure) et les schémas d'intégration, puisque ce matériau est facilement dégradé lorsqu'il est exposé à un plasma.Cette thèse porte sur les interactions plasmas/matériaux pour l'intégration des SiOCH poreux dans des tranchées très étroites «100 nm). Les diagnostics des plasmas et l'analyse des matériaux exposés aux plasmas permettent de caractériser et d'optimiser les procédés de transfert de motifs d'un masque métallique ou organique dans un SiOCH poreux ou hybride (rendu poreux en fin d'intégration). La modification des matériaux poreux et hybrides par les plasmas post-gravure est également étudiée.Avec un plasma fluorocarboné, le matériau hybride présente des mécanismes de gravure similaires à ceux d'un SiOCH dense. Le TiN et le matériau organique ont des mécanismes de gravure différents de ceux des diélectriques, ce qui assure une bonne sélectivité. Le procédé de gravure optimisé pour le masque organique permet la gravure de tranchées très étroites avec un profil quasiment vertical. Par contre, le contrôle dimensionnel de tranchées étroites est plus difficile avec un masque en TiN, en raison de dépôts métalliques sur les flancs, de profils en forme de tonneaux, et du flambage des lignes. Après l'étape de gravure, les matériaux poreux et hybrides sont modifiés par les plasmas post-gravure.
Author: Maxime Darnon
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
Pour réduire la taille des dispositifs et les temps de commutation en microélectronique, les lignes d'interconnexions doivent être isolées par du SiOCH poreux. Cependant, la réalisation de tranchées étroites dans le SiOCH poreux nécessite de revoir les différents procédés par plasmas (gravure, traitements post-gravure) et les schémas d'intégration, puisque ce matériau est facilement dégradé lorsqu'il est exposé à un plasma.Cette thèse porte sur les interactions plasmas/matériaux pour l'intégration des SiOCH poreux dans des tranchées très étroites «100 nm). Les diagnostics des plasmas et l'analyse des matériaux exposés aux plasmas permettent de caractériser et d'optimiser les procédés de transfert de motifs d'un masque métallique ou organique dans un SiOCH poreux ou hybride (rendu poreux en fin d'intégration). La modification des matériaux poreux et hybrides par les plasmas post-gravure est également étudiée.Avec un plasma fluorocarboné, le matériau hybride présente des mécanismes de gravure similaires à ceux d'un SiOCH dense. Le TiN et le matériau organique ont des mécanismes de gravure différents de ceux des diélectriques, ce qui assure une bonne sélectivité. Le procédé de gravure optimisé pour le masque organique permet la gravure de tranchées très étroites avec un profil quasiment vertical. Par contre, le contrôle dimensionnel de tranchées étroites est plus difficile avec un masque en TiN, en raison de dépôts métalliques sur les flancs, de profils en forme de tonneaux, et du flambage des lignes. Après l'étape de gravure, les matériaux poreux et hybrides sont modifiés par les plasmas post-gravure.
Author: Yannick Le Tiec
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 1118578120
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 261
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Book Description
Microelectronics is a complex world where many sciences need to collaborate to create nano-objects: we need expertise in electronics, microelectronics, physics, optics and mechanics also crossing into chemistry, electrochemistry, as well as biology, biochemistry and medicine. Chemistry is involved in many fields from materials, chemicals, gases, liquids or salts, the basics of reactions and equilibrium, to the optimized cleaning of surfaces and selective etching of specific layers. In addition, over recent decades, the size of the transistors has been drastically reduced while the functionality of circuits has increased. This book consists of five chapters covering the chemicals and sequences used in processing, from cleaning to etching, the role and impact of their purity, along with the materials used in “Front End Of the Line” which corresponds to the heart and performance of individual transistors, then moving on to the “Back End Of the Line” which is related to the interconnection of all the transistors. Finally, the need for specific functionalization also requires key knowledge on surface treatments and chemical management to allow new applications. Contents 1. Chemistry in the “Front End of the Line” (FEOL): Deposits, Gate Stacks, Epitaxy and Contacts, François Martin, Jean-Michel Hartmann, Véronique Carron and Yannick Le Tiec. 2. Chemistry in Interconnects, Vincent Jousseaume, Paul-Henri Haumesser, Carole Pernel, Jeffery Butterbaugh, Sylvain Maîtrejean and Didier Louis. 3. The Chemistry of Wet Surface Preparation: Cleaning, Etching and Drying, Yannick Le Tiec and Martin Knotter. 4. The Use and Management of Chemical Fluids in Microelectronics, Christiane Gottschalk, Kevin Mclaughlin, Julie Cren, Catherine Peyne and Patrick Valenti. 5. Surface Functionalization for Micro- and Nanosystems: Application to Biosensors, Antoine Hoang, Gilles Marchand, Guillaume Nonglaton, Isabelle Texier-Nogues and Francoise Vinet. About the Authors Yannick Le Tiec is a technical expert at CEA-Leti, Minatec since 2002. He is a CEA-Leti assignee at IBM, Albany (NY) to develop the advanced 14 nm CMOS node and the FDSOI technology. He held different technical positions from the advanced 300 mm SOI CMOS pilot line to different assignments within SOITEC for advanced wafer development and later within INES to optimize solar cell ramp-up and yield. He has been part of the ITRS Front End technical working group at ITRS since 2008.
Author: Régis Bouyssou
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 197
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Book Description
La miniaturisation des circuits intégrés permet à la fois d'augmenter les performances mais aussi de réduire leur coût. Cependant, cette réduction des dimensions provoque la prépondérance du temps de transit dans les interconnexions devant le temps de commutation des transistors. Ainsi, un matériau diélectrique de plus faible permittivité de type SiOC poreux est intégré malgré une sensibilité plus élevée au plasma de gravure. Ce travail de recherche s'intéresse au développement de procédés plasmas in situ réalisés après la gravure de l'empreinte de la ligne métallique dans le diélectrique poreux. Ces traitements, utilisant des chimies réductrices, oxydantes et à base d'hydrocarbures, ont pour but de 1) limiter la croissance de résidus qui provoquent parfois des pertes de rendement dans! le cas de l'utilisation d'un masque dur métallique et 2) limiter la diffusion de la barrière métallique en TaN/Ta. Cependant, ces traitements (NH3, 02, CH4, H2) ont été optimisés afin de ne pas augmenter la modification induite par l'étape de gravure seule. La caractérisation de la modification induite dans le diélectrique situé sur le fond et les flancs des lignes par les plasmas, été effectuée notamment en développant des techniques de caractérisation spécifiques. Ainsi, l'ensemble des traitements plasma induisent tous une couche modifiée dans le matériau avec des caractéristiques différentes sur le fond et les flancs (composition de surface, épaisseur, perméation...). Le traitement à base de méthane limite la croissance de résidus sans modifier le diélectrique plus que l'étape de gravure. Ce procédé a été implémenté en production par l'entreprise
Author: Régis Bouyssou
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
La miniaturisation des circuits intégrés permet à la fois d'augmenter les performances mais aussi de réduire leur coût. Cependant, cette réduction des dimensions provoque la prépondérance du temps de transit dans les interconnexions devant le temps de commutation des transistors. Ainsi, un matériau diélectrique de plus faible permittivité de type SiOC poreux est intégré malgré une sensibilité plus élevée au plasma de gravure. Ce travail de recherche s'intéresse au développement de procédés plasmas in situ réalisés après la gravure de l'empreinte de la ligne métallique dans le diélectrique poreux. Ces traitements, utilisant des chimies réductrices, oxydantes et à base d'hydrocarbures, ont pour but de 1) limiter la croissance de résidus qui provoquent parfois des pertes de rendement dans! le cas de l'utilisation d'un masque dur métallique et 2) limiter la diffusion de la barrière métallique en TaN/Ta. Cependant, ces traitements (NH3, 02, CH4, H2) ont été optimisés afin de ne pas augmenter la modification induite par l'étape de gravure seule. La caractérisation de la modification induite dans le diélectrique situé sur le fond et les flancs des lignes par les plasmas, été effectuée notamment en développant des techniques de caractérisation spécifiques. Ainsi, l'ensemble des traitements plasma induisent tous une couche modifiée dans le matériau avec des caractéristiques différentes sur le fond et les flancs (composition de surface, épaisseur, perméation...). Le traitement à base de méthane limite la croissance de résidus sans modifier le diélectrique plus que l'étape de gravure. Ce procédé a été implémenté en production par l'entreprise.
Author: PASCAL.. CZYPRYNSKI
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 165
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Book Description
CETTE ETUDE VISE A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES MECANISMES DE GRAVURE PAR PLASMA DES MATERIAUX POUR REALISER LES INTERCONNEXIONS EN MICROELECTRONIQUE SILICIUM (AL ET SIO 2). LES PRINCIPALES TECHNIQUES DE CARACTERISATION EMPLOYEES SONT LA SPECTROSCOPIE DE PHOTO-ELECTRONS X (XPS) IN-SITU ET L'ANALYSE PAR FLUORESCENCE X (WDXRF) PERMETTANT DE REALISER DES ANALYSES DE SURFACE. L'EMISSION OPTIQUE A ETE UTILISE POUR CARACTERISER LA PHASE GAZEUSE DU PLASMA. DANS LE CAS DE LA GRAVURE DE LIGNES D'ALUMINIUM EN PLASMA CL 2/BCL 3, L'ANALYSE PAR XPS MONTRE QUE L'ANISOTROPIE DE GRAVURE EST OBTENUE GRACE A LA FORMATION D'UNE COUCHE DE PASSIVATION CONSTITUEE DE CARBONE DE LA RESINE REDEPOSEE SUR LES FLANCS DES MOTIFS. LE CHLORE RESIDUEL PRESENT DANS LE FILM DE PASSIVATION EST QUANTIFIE PAR XPS ET WDXRF APRES TRAITEMENTS ANTICORROSION. CES TECHNIQUES PERMETTENT DE QUANTIFIER ET DE LOCALISER LE CHLORE RESIDUEL SUR LES LIGNES APRES TRAITEMENTS ANTICORROSION. PARALLELEMENT A CES ETUDES, UN PROCEDE DE GRAVURE PERMETTANT DE REDUIRE LA CONSOMMATION RESINE A ETE DEVELOPPE. L'ACTINOMETRIE ET LES MESURES DE SONDE ELECTROSTATIQUE ONT PERMIS DE CARACTERISER LA PHASE GAZEUSE DU PLASMA FONCTIONNANT DANS UN REGIME BASSE DENSITE ET, UN MODELE BASE SUR CES MESURES EST PRESENTE EXPLIQUANT LA DIMINUTION DE LA CONSOMMATION RESINE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL PRESENTE LES RESULTATS DES ANALYSES XPS REALISEES DANS DES TROUS DE CONTACT A FORT FACTEUR D'ASPECT GRAVES DANS DEUX SOURCES INDUSTRIELLES. CETTE ETUDE PERMET DE CARACTERISER LES POLYMERES FLUOROCARBONES DEPOSES AU FOND DES MOTIFS EN FONCTION DU FACTEUR D'ASPECT. L'ANALYSE TOPOGRAPHIQUE CHIMIQUE PAR XPS PERMET D'ANALYSER LA COMPOSITION ET L'EPAISSEUR DU FILM FLUOROCARBONE EN FONCTION DES PLASMAS DE GRAVURE. A L'ISSU DE CES ANALYSES, UN MODELE BASE SUR L'INFLUENCE DES EFFETS DE CHARGE LOCAUX EST PRESENTE PERMETTANT D'EXPLIQUER LES MECANISMES DE GRAVURE DE L'OXYDE DANS LES DIVERSES SOURCES PLASMA UTILISEES DANS CETTE ETUDE.
Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Astrophysics
Languages : en
Pages : 720
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Book Description
Author: Rainee N. Simons
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 0471463930
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 461
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Book Description
Up-to-date coverage of the analysis and applications of coplanar waveguides to microwave circuits and antennas The unique feature of coplanar waveguides, as opposed to more conventional waveguides, is their uniplanar construction, in which all of the conductors are aligned on the same side of the substrate. This feature simplifies manufacturing and allows faster and less expensive characterization using on-wafer techniques. Coplanar Waveguide Circuits, Components, and Systems is an engineer's complete resource, collecting all of the available data on the subject. Rainee Simons thoroughly discusses propagation parameters for conventional coplanar waveguides and includes valuable details such as the derivation of the fundamental equations, physical explanations, and numerical examples. Coverage also includes: Discontinuities and circuit elements Transitions to other transmission media Directional couplers, hybrids, and magic T Microelectromechanical systems based switches and phase shifters Tunable devices using ferroelectric materials Photonic bandgap structures Printed circuit antennas
