Author: Frédéric Morancho
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Languages : fr
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Book Description
CE MEMOIRE TRAITE DE LA MODELISATION ET DE L'EVALUATION DES PERFORMANCES D'UN NOUVEAU COMPOSANT DE PUISSANCE, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES. PLUS PRECISEMENT, ON PRESENTE TOUT D'ABORD L'EVOLUTION DES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE BASSE TENSION DEPUIS LES ANNEES 70 JUSQU'AU TRANSISTOR MOS A TRANCHEES DONT LES PRINCIPALES PROPRIETES SONT ENUMEREES. ON REALISE ENSUITE UNE ETUDE DES MECANISMES - ANALYSE STATIQUE A L'ETAT PASSANT ET A L'ETAT BLOQUE, ANALYSE DYNAMIQUE - INTERVENANT DANS LES DIVERSES ZONES DU COMPOSANT. SUR LA BASE DE CETTE ETUDE, ON ETABLIT UN MODELE DE CE TRANSISTOR POUR LE LOGICIEL DE SIMULATION DES CIRCUITS SPICE. LES PROCEDURES D'ACQUISITION DES PARAMETRES DE CE MODELE SONT PRECISEES. CE MODELE AINSI OBTENU EST ENSUITE VALIDE SUR DEUX FAMILLES DE DIVERS COMPOSANTS MOS DE PUISSANCE INDUSTRIELS. ENFIN, LES LIMITES DE PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES DES TRANSISTORS VDMOS ET MOS A TRANCHEES SONT ETUDIEES ET COMPAREES. IL EST PRINCIPALEMENT MONTRE QUE, DANS LE DOMAINE DES BASSES TENSIONS, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES AFFICHE DES PERFORMANCES SUPERIEURES AU TRANSISTOR VDMOS EN TERMES DE RESISTANCE PASSANTE SPECIFIQUE ET DE DENSITE D'INTEGRATION. LES ETUDES ANALYTIQUES ET LES SIMULATIONS BIDIMENSIONNELLES DES DEUX TYPES DE COMPOSANTS MONTRENT EGALEMENT QUE CETTE SUPERIORITE EST APPELEE A S'ACCROITRE DANS LES ANNEES A VENIR.
Le transistor MOS de puissance à tranchées
Author: Frédéric Morancho
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Languages : fr
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CE MEMOIRE TRAITE DE LA MODELISATION ET DE L'EVALUATION DES PERFORMANCES D'UN NOUVEAU COMPOSANT DE PUISSANCE, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES. PLUS PRECISEMENT, ON PRESENTE TOUT D'ABORD L'EVOLUTION DES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE BASSE TENSION DEPUIS LES ANNEES 70 JUSQU'AU TRANSISTOR MOS A TRANCHEES DONT LES PRINCIPALES PROPRIETES SONT ENUMEREES. ON REALISE ENSUITE UNE ETUDE DES MECANISMES - ANALYSE STATIQUE A L'ETAT PASSANT ET A L'ETAT BLOQUE, ANALYSE DYNAMIQUE - INTERVENANT DANS LES DIVERSES ZONES DU COMPOSANT. SUR LA BASE DE CETTE ETUDE, ON ETABLIT UN MODELE DE CE TRANSISTOR POUR LE LOGICIEL DE SIMULATION DES CIRCUITS SPICE. LES PROCEDURES D'ACQUISITION DES PARAMETRES DE CE MODELE SONT PRECISEES. CE MODELE AINSI OBTENU EST ENSUITE VALIDE SUR DEUX FAMILLES DE DIVERS COMPOSANTS MOS DE PUISSANCE INDUSTRIELS. ENFIN, LES LIMITES DE PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES DES TRANSISTORS VDMOS ET MOS A TRANCHEES SONT ETUDIEES ET COMPAREES. IL EST PRINCIPALEMENT MONTRE QUE, DANS LE DOMAINE DES BASSES TENSIONS, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES AFFICHE DES PERFORMANCES SUPERIEURES AU TRANSISTOR VDMOS EN TERMES DE RESISTANCE PASSANTE SPECIFIQUE ET DE DENSITE D'INTEGRATION. LES ETUDES ANALYTIQUES ET LES SIMULATIONS BIDIMENSIONNELLES DES DEUX TYPES DE COMPOSANTS MONTRENT EGALEMENT QUE CETTE SUPERIORITE EST APPELEE A S'ACCROITRE DANS LES ANNEES A VENIR.
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Languages : fr
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CE MEMOIRE TRAITE DE LA MODELISATION ET DE L'EVALUATION DES PERFORMANCES D'UN NOUVEAU COMPOSANT DE PUISSANCE, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES. PLUS PRECISEMENT, ON PRESENTE TOUT D'ABORD L'EVOLUTION DES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE BASSE TENSION DEPUIS LES ANNEES 70 JUSQU'AU TRANSISTOR MOS A TRANCHEES DONT LES PRINCIPALES PROPRIETES SONT ENUMEREES. ON REALISE ENSUITE UNE ETUDE DES MECANISMES - ANALYSE STATIQUE A L'ETAT PASSANT ET A L'ETAT BLOQUE, ANALYSE DYNAMIQUE - INTERVENANT DANS LES DIVERSES ZONES DU COMPOSANT. SUR LA BASE DE CETTE ETUDE, ON ETABLIT UN MODELE DE CE TRANSISTOR POUR LE LOGICIEL DE SIMULATION DES CIRCUITS SPICE. LES PROCEDURES D'ACQUISITION DES PARAMETRES DE CE MODELE SONT PRECISEES. CE MODELE AINSI OBTENU EST ENSUITE VALIDE SUR DEUX FAMILLES DE DIVERS COMPOSANTS MOS DE PUISSANCE INDUSTRIELS. ENFIN, LES LIMITES DE PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES DES TRANSISTORS VDMOS ET MOS A TRANCHEES SONT ETUDIEES ET COMPAREES. IL EST PRINCIPALEMENT MONTRE QUE, DANS LE DOMAINE DES BASSES TENSIONS, LE TRANSISTOR MOS A TRANCHEES AFFICHE DES PERFORMANCES SUPERIEURES AU TRANSISTOR VDMOS EN TERMES DE RESISTANCE PASSANTE SPECIFIQUE ET DE DENSITE D'INTEGRATION. LES ETUDES ANALYTIQUES ET LES SIMULATIONS BIDIMENSIONNELLES DES DEUX TYPES DE COMPOSANTS MONTRENT EGALEMENT QUE CETTE SUPERIORITE EST APPELEE A S'ACCROITRE DANS LES ANNEES A VENIR.
Transistor MOS de puissance à faible résistance à l'état passant
Author: Nathalie Cézac
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Languages : fr
Pages : 342
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Languages : fr
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Transistor MOS de puissance à faible résistance a l'état passant
Author: Nathalie Batut
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Languages : fr
Pages : 0
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Languages : fr
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Le Transistor M.O.S. de puissance
Author: Mariano Gamboa Zun̂iga (auteur d'une thèse de sciences)
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Languages : fr
Pages : 176
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Languages : fr
Pages : 176
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POWER/HVMOS Devices Compact Modeling
Author: Wladyslaw Grabinski
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 9048130468
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 210
Book Description
Semiconductor power electronics plays a dominant role due its increased efficiency and high reliability in various domains including the medium and high electrical drives, automotive and aircraft applications, electrical power conversion, etc. Power/HVMOS Devices Compact Modeling will cover very extensive range of topics related to the development and characterization power/high voltage (HV) semiconductor technologies as well as modeling and simulations of the power/HV devices and smart power integrated circuits (ICs). Emphasis is placed on the practical applications of the advanced semiconductor technologies and the device level compact/spice modeling. This book is intended to provide reference information by selected, leading authorities in their domain of expertise. They are representing both academia and industry. All of them have been chosen because of their intimate knowledge of their subjects as well as their ability to present them in an easily understandable manner.
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 9048130468
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 210
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Semiconductor power electronics plays a dominant role due its increased efficiency and high reliability in various domains including the medium and high electrical drives, automotive and aircraft applications, electrical power conversion, etc. Power/HVMOS Devices Compact Modeling will cover very extensive range of topics related to the development and characterization power/high voltage (HV) semiconductor technologies as well as modeling and simulations of the power/HV devices and smart power integrated circuits (ICs). Emphasis is placed on the practical applications of the advanced semiconductor technologies and the device level compact/spice modeling. This book is intended to provide reference information by selected, leading authorities in their domain of expertise. They are representing both academia and industry. All of them have been chosen because of their intimate knowledge of their subjects as well as their ability to present them in an easily understandable manner.
Transistors Mos de puissance
Author: Herrmann Schreiber
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Category :
Languages : fr
Pages : 126
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Pages : 126
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Modélisation électrique et thermique de la diode et du transistor MOS de puissance
Author: Zakia Bestaoui
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Languages : fr
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Routledge French Technical Dictionary Dictionnaire technique anglais
Author: Yves Arden
Publisher: Routledge
ISBN: 1134831714
Category : Reference
Languages : en
Pages : 813
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The French-English volume of this highly acclaimed set consists of some 100,000 keywords in both French and English, drawn from the whole range of modern applied science and technical terminology. Covers over 70 subject areas, from engineering and chemistry to packaging, transportation, data processing and much more.
Publisher: Routledge
ISBN: 1134831714
Category : Reference
Languages : en
Pages : 813
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The French-English volume of this highly acclaimed set consists of some 100,000 keywords in both French and English, drawn from the whole range of modern applied science and technical terminology. Covers over 70 subject areas, from engineering and chemistry to packaging, transportation, data processing and much more.
Le Transistor M.O.S. de puissance
Author: Mariano Gamboa Zun̂iga (auteur d'une thèse de sciences)
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Languages : fr
Pages : 176
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Pages : 176
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Caractérisation d'un transistor mosfet silicium de puissance et utilisation en hyperfréquences
Author: Babil TORRALBA
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Languages : fr
Pages : 414
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Pages : 414
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