INFLUENCE DU SUBSTRAT SEMI-ISOLANT SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP GAAS REALISES PAR IMPLANTATION IONIQUE PDF Download
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Author: JEAN-FRANCOIS.. FAUCHEUX
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 124
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Author: JEAN-FRANCOIS.. FAUCHEUX
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Languages : fr
Pages : 124
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Author: Henri Tranduc (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 158
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Author: Henri Tranduc
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Languages : fr
Pages : 158
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EFFET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS. PROPOSITION D'UNE CONFIGURATION DES BANDES D'ENERGIE A L'INTERFACE SEMIISOLANT-SEMICONDUCTEUR ET DEFINITION DES METHODES DE DETERMINATION DES PARAMETRES PHYSIQUES DE LA STRUCTURE MULTICOUCHE: DOPAGES, MOBILITE, CHARGES D'INTERFACE, EPAISSEUR DE LA COUCHE N. ETUDE DES PHENOMENES DE RELAXATION QUI SE PRODUISENT, EN BASSES FREQUENCES, DANS CES STRUCTURES PLANES SUR SEMI-ISOLANT. EXPLICATION DE L'EXISTENCE DE DIVERSES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION, SITUEES ENTRE 2 LIMITES, ET DE LA FORME CIRCULAIRE DU DIAGRAMME D'ADMITTANCE DE SORTIE EN BASSES FREQUENCES
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Category : Electronics
Languages : fr
Pages : 390
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Author: Djamel Kendil
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Languages : fr
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CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE ET LA REALISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION ET A GAZ D'ELECTRON A L'INTERFACE GAAS-GAALAS. LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SONT ASSOCIES AUX PHOTODETECTEURS. APRES UN BREF APPEL SUR LES DIFFERENTES STRUCTURES REALISEES SUR CE MATERIAU, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A UN NOUVEAU DISPOSITIF FORME D'UNE BARRIERE DE POTENTIEL. CE DISPOSITIF CONSTITUE PAR DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUES S'ASSOCIE CONVENABLEMENT A UN PHOTOCONDUCTEUR. DANS LE DOMAINE DE LA DETECTION DEUX INTEGRATIONS MONOLITHIQUES ONT ETE REALISEES. LA PREMIERE ASSOCIE UNE PHOTODIODE GAAS A UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS, LA DEUXIEME COMPORTE UN PHOTOCONDUCTEUR INTERDIGITE CDTE ET UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS. LES DEUX DISPOSITIFS SONT REALISES SUR UN MEME SUBSTRAT GAAS SEMI-ISOLANT. LA FABRICATION DU TEC A HETEROJONCTION EST ORGANISEE A PARTIR DE LA TECHNIQUE DE L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE. LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION EST DETAILLEE ET LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES DISPOSITIFS IDENTIFIEES. UN GAIN EN COURANT DE 15 ET DES COURANTS INVERSES DE L'ORDRE DE 1 NA POUR LE DISPOSITIF PN-TEC SONT OBTENUS. UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION A REGIONS GAAS ET GAALAS NON DOPEES EST REALISE. LA FORMATION D'UN GAZ BIDIMENSIONNEL D'ELECTRONS A L'INTERFACE DES DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUE EST OBTENUE. LE DISPOSITIF A MONTRE UNE TRANSCONDUCTANCE DE 25 MS/MM
Author: GERARD M.. MARTIN
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Languages : fr
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MISE EN EVIDENCE DES NIVEAUX EL2 ET HL1, EL6 ET HL9 ET HL10 PAR CONDUCTION THERMOSTIMULEE, SPECTROMETRIE DE COURANT TRANSITOIRE OPTIQUE DERIVEE DE LA SPECTROMETRIE TRANSITOIRE A NIVEAU PROFOND (ANALYSE DE LA TRANSITOIRE DE COURANT PAR LA METHODE DE SPECTROMETRIE TRANSITOIRE A NIVEAU PROFOND APRES EXCITATIONS LUMINEUSES REPETITIVES). FONCTION DE FERMI DES NIVEAUX CR HL1 ET EL2. MESURE DE LA CONCENTRATION DES NIVEAUX EL2 ET CR DANS GAAS ISOLANT PAR ABSORPTION OPTIQUE. ETUDE DU ROLE DU CHROME ET DE L'OXYGENE. INTERPRETATION DE LA COMPENSATION DES MATERIAUX ISOLANTS PAR LE NIVEAU CR ACCEPTEUR ET LE NIVEAU DONNEUR EL2. MESURES D'EFFET HALL SUR LE CORPS NON DOPE. ON ETABLIT LES CONDITIONS NECESSAIRES POUR QU'UN SUBSTRAT REPONDE A L'ATTENTE DANS LE CAS D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP OU DE CIRCUITS INTEGRES
Author: Benoît Lambert
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Languages : fr
Pages : 0
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Ces travaux présentent une étude sur le mécanisme d'ionisation par impact se produisant dans les transistors à effet de champ de puissance sur substrat GaAs. Ce mécanisme est un effet parasite des FETs et consiste en la création de paires électrons/trous dans le canal induit par les électrons fortement accélérés par 1e champ électrique. Cette étude porte sur quatre technologies de FETs (MESFET DCFET, PHEMT et PHEMT de puissance). L'influence du mécanisme d'ionisation, par impact sur les performances électriques statiques des dispositifs a été évalué, notamment sur les caractéristiques de grille, de transfert et sur les lieux de claquage mesurés à l'aide d'une technique d'injection de courant. Le banc de mesure du bruit aux basses fréquences associé au courant de grille développé durant cette thèse, est décrit dans la deuxième partie. La caractérisation du bruit de grille des FETs en régime d'ionisation par impact a permis de modéliser le bruit en 1/f comme étant proportionnel au taux d'ionisation au carré. De plus, l'analyse du bruit en courant des contacts Schottky s'est révélée efficace pour la détection des dégradations localisées aux interfaces passivation/semiconducteur et passivation/métallisation. La dernière partie de ce document présente une étude de fiabilité menée sur les technologies MESFET, PHEMT et PHEMT de puissance ayant subies des vieillissements sous polarisations statiques associés ou non à un fonctionnernent dynamique en régime de compression du gain. Il apparaît que le mécanisme d'ionisation par impact associé au champ électrique est un mécanisme de dégradation présentant des modes de dégradation qui dépendent de la technologie.
Author: RIADH.. HAJLAOUI
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Languages : fr
Pages : 139
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L'ETUDE STRUCTURALE DES POLYMERES CONJUGUES MONTRE QUE LEUR DESORDRE MOLECULAIRE ET STRUCTURAL LIMITE LA QUALITE DE LEUR PROPRIETES ELECTRONIQUES, ET RESTREINT DONC LEUR EVENTUELLE APPLICATION A DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'UTILISATION DE SYSTEMES MOLECULAIRES STRUCTURALEMENT BIEN DEFINIS DEVRAIT PAR CONTRE PERMETTRE DE S'AFFRANCHIR DE CES DEFAUTS CHIMIQUES ET PHYSIQUES, ET D'AMELIORER AINSI L'EFFICACITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS CES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS. CETTE DEMARCHE EST ILLUSTREE ICI PAR L'ETUDE DU SEXITHIOPHENE (6T) ET DE SES DERIVES SUBSTITUES. LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A LA DESCRIPTION DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES DE PREPARATION DES FILMS MINCES, PUIS DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES REALISES A PARTIR DE CES SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES, TELS QUE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHE MINCE ET DIODES ELECTROLUMINESCENTES. L'ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES ET OPTIQUES A MIS EN EVIDENCE QUE CES FILMS SONT POLYCRISTALLINS, ET QUE L'ORIENTATION DES CHAINES MOLECULAIRES SUR LE SUBSTRAT EST CONTROLEE PAR LA NATURE DU SUBSTRAT, PAR LA TEMPERATURE DE DEPOT ET PAR LA POSITION DE SUBSTITUTION DE GROUPES ALKYLES SUR CETTE MOLECULE (6T). LES MESURES DE CONDUCTIVITE ET DE MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DU SEXITHIOPHENE ET DE SES DERIVES MONTRENT QUE POUR LE , -DIHEXYL-SEXITHIOPHENE, LA CONDUCTIVITE PRESENTE UNE ANISOTROPIE IMPORTANTE, ALORS QUE B,B'-DIHEXYL-SEXITHIOPHENE SE COMPORTE COMME UN ISOLANT. LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT UTILISEE LORS DU DEPOT DU FILM INFLUE SUR LA CONDUCTIVITE ET SUR LA MOBILITE DU SEXITHIOPHENE. LA MOBILITE PLUS FAIBLE DE 6T A TEMPERATURE AMBIANTE EST ATTRIBUEE A UNE PLUS GRANDE CONCENTRATION DE DEFAUTS TELS QUE JOINTS DE GRAINS. LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES, DONT LES COUCHES ACTIVES SONT CONSTITUEES DE SEXITHIOPHENE OU DE L'UN DE SES DERIVES, MONTRENT UN EFFET REDRESSEUR (SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE-P). LES CARACTERISTIQUES TRANSITOIRES MONTRENT UN COURANT CAPACITIF BREF, SUIVI D'UN COURANT PERMANENT DONNANT LIEU A EMISSION LUMINEUSE. DANS UNE STRUCTURE BICOUCHE, ON REMARQUE UNE AUGMENTATION DE L'EMISSION LUMINEUSE ET UNE AUGMENTATION DU RENDEMENT D'ELECTROLUMINESCENCE PAR RAPPORT A LA STRUCTURE MONOCOUCHE. L'INTENSITE DU SPECTRE D'ELECTROLUMINESCENCE ENREGISTRE POUR LA STRUCTURE BICOUCHE DANS LA GAMME 500-700 NM MONTRE QU'EN BAISSANT LA TEMPERATURE L'EMISSION AUGMENTE, CECI EST ATTRIBUE A UNE DIMINUTION DU RENDEMENT DES TRANSITIONS NON RADIATIVES
Author: Michel Da Silva
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 148
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Author: Fouad Sabry
Publisher: One Billion Knowledgeable
ISBN:
Category : Technology & Engineering
Languages : fr
Pages : 541
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Qu'est-ce qu'un transistor à effet de champ à nanotube de carbone Un transistor à effet de champ à nanotube de carbone, également connu sous le nom de CNTFET, est une sorte de transistor à effet de champ qui utilise un nanotube de carbone unique ou un réseau de nanotubes de carbone comme matériau de canal à la place du silicium en vrac, comme cela se fait dans la construction MOSFET conventionnelle. Depuis leur première exposition en 1998, la technologie CNTFET a connu des avancées significatives. Comment vous en bénéficierez (I) Insights et validations sur les sujets suivants : Chapitre 1 : Transistor à effet de champ à nanotube de carbone Chapitre 2 : Nanotube de carbone Chapitre 3 : JFET Chapitre 4 : Barrière Schottky Chapitre 5 : Mobilité électronique Chapitre 6 : Systèmes nanoélectromécaniques Chapitre 7 : Tension de seuil Chapitre 8 : Transistor à effet de champ organique Chapitre 9 : Conduction balistique Chapitre 10 : Cellule solaire hybride Chapitre 11 : Applications potentielles des nanotubes de carbone Chapitre 12 : Les nanotubes de carbone dans le photovoltaïque Chapitre 13 : Propriétés optiques des nanotubes de carbone Chapitre 14 : Nanomoteur à nanotubes de carbone Chapitre 15 : NanoIntegris Chapitre 16 : Conduction balistique dans les nanotubes de carbone à simple paroi Chapitre 17 : Transistor à effet de champ tunnel Chapitre 18 : Tran à effet de champ sistor Chapitre 19 : Nanotubes de carbone dans les interconnexions Chapitre 20 : Synthèse de nanotubes de carbone Chapitre 21 : Réseaux de nanotubes de carbone alignés verticalement (II) Répondre aux principales questions du public sur les transistors à effet de champ à nanotubes de carbone. (III) Exemples concrets d'utilisation du transistor à effet de champ à nanotubes de carbone dans de nombreux domaines. ( IV) 17 annexes pour expliquer, brièvement, 266 technologies émergentes dans chaque industrie pour avoir une compréhension complète à 360 degrés des technologies des transistors à effet de champ à nanotubes de carbone. À qui ce livre est destiné Professionnels, étudiants de premier cycle et diplômés, passionnés, amateurs et ceux qui veulent aller au-delà des connaissances ou des informations de base pour tout type de transistor à effet de champ à nanotubes de carbone.
