GRAVURE IONIQUE REACTIVE EN PLASMA DE SF#6 DE FILMS MINCES DE SILICIURE DE MOLYBDENE POUR PHOTOMASQUES PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download GRAVURE IONIQUE REACTIVE EN PLASMA DE SF#6 DE FILMS MINCES DE SILICIURE DE MOLYBDENE POUR PHOTOMASQUES PDF full book. Access full book title GRAVURE IONIQUE REACTIVE EN PLASMA DE SF#6 DE FILMS MINCES DE SILICIURE DE MOLYBDENE POUR PHOTOMASQUES by PHILIPPE.. ESTRACHE. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: PHILIPPE.. ESTRACHE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
AUJOURD'HUI, LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES PHOTOMASQUES NECESSITE UN PROCEDE DE GRAVURE SECHE AFIN DE REALISER LES MICROSTRUCTURES AVEC PRECISION ET AVEC UN HAUT DEGRE D'AUTOMATISATION. LA GRAVURE SECHE DU CHROME, METAL TRADITIONNELLEMENT EMPLOYE DANS LES MASQUES, POSE DES PROBLEMES A LA FOIS SUR LE PLAN DU RENDEMENT EN RAISON D'UNE VITESSE DE GRAVURE PEU ELEVEE (ENVIRON 20 NM/MIN) ET AU NIVEAU DU RESPECT DES DIMENSIONS (ENVIRON 0,3 MICRON D'ATTAQUE LATERALE) DE PART LA NATURE CHIMIQUE DES MELANGES GAZEUX REQUIS. DE NOUVELLES PLAQUES A BASE DE MOSI#2 ONT ETE DEVELOPPEES POUR CONTOURNER CES PROBLEMES; LE MOSI#2 POSSEDE EN EFFET DES PROPRIETES OPTIQUES PRATIQUEMENT EQUIVALENTES A CELLES DU CHROME MAIS UNE BIEN MEILLEURE REACTIVITE A LA GRAVURE PLASMA. L'OBJET DE CE TRAVAIL EST D'UNE PART D'ETUDIER LA FAISABILITE D'UN PROCEDE DE GRAVURE IONIQUE REACTIVE DE MASQUES MOSI#2 EN PLASMA SF#6, ET D'AUTRE PART, D'OPTIMISER LE DEPOT DE FILM MINCE DE SILICIURE DE MOLYBDENE EN VUE D'UNE APPLICATION DANS LES MASQUES. DANS LES CONDITIONS PLASMA OPTIMALES, C'EST-A-DIRE A BASSE PRESSION ET FAIBLE DENSITE DE PUISSANCE, LE MEILLEUR COMPROMIS ENTRE LES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES DE LA GRAVURE PEUT ETRE OBTENU. L'EROSION LATERALE EN BORD DE MOTIF PEUT ETRE MAINTENUE A DES VALEURS COMPRISES ENTRE 0,1 ET 0,2 MICRON ET LA VITESSE DE GRAVURE DU MOSI#2 RESTE EGALE A 60 NM/MIN. LE DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE DC MAGNETRON PEUT FOURNIR DES FILMS MINCES DE SILICIURE DE MOLYBDENE, D'UNE EPAISSEUR DE 100 NM, SATISFAISANTS POUR LES MASQUES. UN PLUS HAUT DEGRE DE PURETE EST CEPENDANT NECESSAIRE POUR AMELIORER LEUR REACTIVITE A LA GRAVURE PLASMA
Author: PHILIPPE.. ESTRACHE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
AUJOURD'HUI, LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES PHOTOMASQUES NECESSITE UN PROCEDE DE GRAVURE SECHE AFIN DE REALISER LES MICROSTRUCTURES AVEC PRECISION ET AVEC UN HAUT DEGRE D'AUTOMATISATION. LA GRAVURE SECHE DU CHROME, METAL TRADITIONNELLEMENT EMPLOYE DANS LES MASQUES, POSE DES PROBLEMES A LA FOIS SUR LE PLAN DU RENDEMENT EN RAISON D'UNE VITESSE DE GRAVURE PEU ELEVEE (ENVIRON 20 NM/MIN) ET AU NIVEAU DU RESPECT DES DIMENSIONS (ENVIRON 0,3 MICRON D'ATTAQUE LATERALE) DE PART LA NATURE CHIMIQUE DES MELANGES GAZEUX REQUIS. DE NOUVELLES PLAQUES A BASE DE MOSI#2 ONT ETE DEVELOPPEES POUR CONTOURNER CES PROBLEMES; LE MOSI#2 POSSEDE EN EFFET DES PROPRIETES OPTIQUES PRATIQUEMENT EQUIVALENTES A CELLES DU CHROME MAIS UNE BIEN MEILLEURE REACTIVITE A LA GRAVURE PLASMA. L'OBJET DE CE TRAVAIL EST D'UNE PART D'ETUDIER LA FAISABILITE D'UN PROCEDE DE GRAVURE IONIQUE REACTIVE DE MASQUES MOSI#2 EN PLASMA SF#6, ET D'AUTRE PART, D'OPTIMISER LE DEPOT DE FILM MINCE DE SILICIURE DE MOLYBDENE EN VUE D'UNE APPLICATION DANS LES MASQUES. DANS LES CONDITIONS PLASMA OPTIMALES, C'EST-A-DIRE A BASSE PRESSION ET FAIBLE DENSITE DE PUISSANCE, LE MEILLEUR COMPROMIS ENTRE LES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES DE LA GRAVURE PEUT ETRE OBTENU. L'EROSION LATERALE EN BORD DE MOTIF PEUT ETRE MAINTENUE A DES VALEURS COMPRISES ENTRE 0,1 ET 0,2 MICRON ET LA VITESSE DE GRAVURE DU MOSI#2 RESTE EGALE A 60 NM/MIN. LE DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE DC MAGNETRON PEUT FOURNIR DES FILMS MINCES DE SILICIURE DE MOLYBDENE, D'UNE EPAISSEUR DE 100 NM, SATISFAISANTS POUR LES MASQUES. UN PLUS HAUT DEGRE DE PURETE EST CEPENDANT NECESSAIRE POUR AMELIORER LEUR REACTIVITE A LA GRAVURE PLASMA
Author: MARIE-CLAUDE.. PEIGNON
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 214
Get Book Here
Book Description
CE MEMOIRE DE THESE PRESENTE UNE ETUDE DU PROCEDE DE GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES COUCHES MINCES DE TUNGSTENE EN PLASMAS RADIOFREQUENCE DE SF#6/O#2. LE TUNGSTENE DEPOSE EN COUCHES MINCES PAR CVD (CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) CONSTITUE LE PREMIER NIVEAU D'INTERCONNEXION DANS LA TECHNOLOGIE CMOS A DEUX NIVEAUX DE METAL. DANS LES PROCEDES SUBMICRONIQUES, IL CONVIENT DE MAITRISER L'ANISOTROPIE ET LA SELECTIVITE DE LA GRAVURE ET DE MINIMISER LES DOMMAGES ET CONTAMINATIONS INTRODUITES EN FIN DE GRAVURE SUR LES MATERIAUX SOUS-JACENTS. CE TRAVAIL A DONC POUR BUT UNE MEILLEURE MAITRISE DU PROCEDE DE GRAVURE SECHE. IL CONSISTE EN UNE ETUDE DETAILLEE DU MECANISME D'INTERACTION ENTRE LE PLASMA ET LA SURFACE DE TUNGSTENE. UN DIAGNOSTIC GLOBAL DU REACTEUR DE GRAVURE PAR PLASMA A ETE EFFECTUE PAR SPECTROMETRIE OPTIQUE D'EMISSION ET PAR SPECTROMETRIE DE MASSE. NOUS AVONS AINSI CARACTERISE LE PLASMA EN MESURANT NOTAMMENT LES CONCENTRATIONS DES ESPECES NEUTRES REACTIVES (FLUOR ET OXYGENE ATOMIQUES) ET STABLES (SF#4, SF#2, OXYFLUORURES). NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EFFET DE L'APPAUVRISSEMENT EN FLUOR DANS LE PLASMA, DU A LA GRAVURE DU TUNGSTENE ET DU SILICIUM, SUR LA FORMATION D'ESPECES SOUFREES (S#2,S#2F#2,S#2F) POUVANT INTERVENIR DANS LA CONTAMINATION DES SURFACES GRAVEES. LES EFFLUENTS DE GRAVURE DU TUNGSTENE, WF#6 ET WOF#4, ONT ETE DIRECTEMENT IDENTIFIES PAR SPECTROMETRIE DE MASSE. UNE ANALYSE IN-SITU DES SURFACES GRAVEES PAR PLASMA A ETE REALISEE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS (MODE XPS). L'EPAISSEUR ET LA COMPOSITION DE LA COUCHE SUPERFICIELLE PERTURBEE PAR L'ATTAQUE PLASMA ONT ETE ETUDIEES EN FONCTION DES PARAMETRES DU PLASMA ET DU TEMPS DE GRAVURE. CETTE COUCHE, DONT L'EPAISSEUR VARIE DE 7 A 22 A CONTIENT DU SOUFRE, DU FLUOR ET DE L'OXYGENE. LES GROUPEMENTS SUIVANTS ONT ETE IDENTIFIES A LA SURFACE GRAVEE: WS#2,WF#N,WF#6,WOF#4,SO#XF#Y,WO#XF#Y. UNE BONNE CORRELATION A ETE OBTENUE ENTRE LES MESURES DU PLASMA ET L'ANALYSE DE LA SURFACE DU TUNGSTENE GRAVE. CETTE ETUDE NOUS A CONDUIT A PROPOSER UN MECANISME DETAILLE DE L'INTERACTION PLASMA/MATERIAU DANS LEQUEL LES ECHANGES DANS ET AU TRAVERS DE LA COUCHE SUPERFICIELLE S'AVERENT DETERMINANTS POUR LE PROCESSUS DE GRAVURE
Author: CHRISTOPHE.. VIVENSANG
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 185
Get Book Here
Book Description
CE MEMOIRE DE THESE PORTE SUR L'ETUDE DE LA GRAVURE DE COUCHES MINCES DE DIAMANT PAR UN PROCEDE DE GRAVURE IONIQUE REACTIVE (RIE) EN PLASMAS RADIOFREQUENCE D'HEXAFLUORURE DE SOUFRE (SF#6) ET D'OXYGENE. CE TRAVAIL A POUR OBJECTIF DE PROPOSER UN POST-TRAITEMENT DES COUCHES DE DIAMANT PAR GRAVURE RIE PERMETTANT DE REDUIRE LEUR RUGOSITE DE SURFACE. EN EFFET, LES FILMS DEPOSEES PAR MWCVD PRESENTENT UNE RUGOSITE DUE A LA STRUCTURE POLYCRISTALLINE DES FILMS. CETTE RUGOSITE EST UN HANDICAP DANS UN GRAND NOMBRE D'APPLICATIONS OU LES PROPRIETES EXCEPTIONNELLES DU DIAMANT SERAIENT UTILISABLES. PAR EXEMPLE, LORSQUE LE DIAMANT EST UTILISE SOUS FORME DE MEMBRANE, ELLE INDUIT UNE DIFFUSION DU RAYONNEMENT VISIBLE QUI DIMINUE LEUR TRANSPARENCE. DANS LE CAS DES MASQUES POUR LA LITHOGRAPHIE PAR RAYONS X, CETTE TRANSPARENCE EST CRUCIALE POUR LE BON DEROULEMENT DES PROCEDURES D'ALIGNEMENT DU MASQUE SUR LE SUBSTRAT A INSOLER. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE TRAITE DE LA GRAVURE DES COUCHES MINCES DE DIAMANT EN PLASMA DE SF#6. IL EST MONTRE QUE LA NATURE DES INTERACTIONS PLASMA/SURFACE DEPEND DES VALEURS DE L'AUTOPOLARISATION DU SUBSTRAT. LORSQU'ELLE EST FAIBLE (10 V), CES INTERACTIONS SE LIMITENT A UNE FLUORATION DE LA SURFACE SOUS LA FORME DE LIAISONS CF. PAR CONTRE, LORSQUE L'AUTOPOLARISATION EST FORTE (300 V), LE BOMBARDEMENT IONIQUE AMORPHISE LA SURFACE ET LUI DONNE UNE REACTIVITE SIMILAIRE A CELLE DES FILMS A-C:H DURS. IL Y A CREATION DE LIAISONS CF#X (X>1) ET COEXISTENCE ENTRE LA STRUCTURE ORDONNEE DU DIAMANT ET UNE STRUCTURE DESORDONNEE INDUITE PAR LA GRAVURE. DES TRAITEMENTS SIMILAIRES EN PLASMA D'OXYGENE MONTRENT QUE LES VITESSES DE GRAVURE ELEVEES EMPECHENT, DANS CE CAS, LA FORMATION D'UNE COUCHE AMORPHISEE. LA SECONDE PARTIE DE CE TRAVAIL PORTE SUR LA PLANARISATION DE LA SURFACE DES FILMS DE DIAMANT. UNE COUCHE PLANARISANTE A ETE UTILISEE CAR UNE GRAVURE DIRECTE N'APPORTE PAS DE REDUCTION DE LA RUGOSITE. LE PRINCIPE DE LA METHODE EST DE PROTEGER LES JOINTS DE GRAINS PENDANT QUE LES SOMMETS DES CRISTALLITES SONT GRAVES. LE MATERIAU UTILISE DOIT DONC PRESENTER UNE SELECTIVITE DE GRAVURE AVEC LE DIAMANT EGALE A L'UNITE. DIFFERENTS MATERIAUX ONT ETE ETUDIES POUR SERVIR DE COUCHE PLANARISANTE. LE CHOIX S'EST FINALEMENT PORTE SUR DE LA SILICE DEPOSEE PAR THERMIE RAPIDE (RTCVD) ET LE BICOUCHE SILICE/DIAMANT A ETE GRAVE EN MELANGE SF#6/O#2. PAR CE PROCEDE, LA RUGOSITE MOYENNE STATISTIQUE (RQ) DE FILMS DE 2 MICRONS D'EPAISSEUR A PU ETRE REDUITE DE 40 NM A 14 NM
Author: Philippe Briaud
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 246
Get Book Here
Book Description
LA PRESENTE ETUDE PORTE SUR LA GRAVURE SECHE DE DIFFERENTS MATERIAUX UTILISES POUR LA MICROELECTRONIQUE. NOUS AVONS ETUDIE L'INTERACTION ENTRE UN PLASMA RF DE SF, A BASSE PRESSION, ET LES COUCHES MINCES DE TANTALE ET DE TUNGSTENE. POUR CELA NOUS AVONS EFFECTUE UNE ANALYSE DU PLASMA DE SF::(6) AVEC UNE SONDE DE LANGMUIR ET UN ANALYSEUR D'ENERGIE, ET UNE ANALYSE DES SURFACES APRES GRAVURE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS (ESCA OU XPS), SPECTROMETRIE AUGER (AES) ET SPECTROMETRIE DE MASSE DES IONS SECONDAIRES EMIS PAR LA SURFACE (SIMS). POUR LES DEUX REGIMES DE FREQUENCES D'EXCITATION UTILISES AU COURS DE CETTE ETUDE (25-125 KHZ) A BASSE FREQUENCE, ET 13,56 MHZ A HAUTE FREQUENCE, ON A TROUVE QUE LE PLASMA DE SF::(6) ETAIT TRES ELECTRONEGATIF (N>0,9 N::(+), N::(E) EQUIV. A 0,02 A 0,07 N::(+)). A BASSE FREQUENCE, L'ENERGIE DES IONS POSITIFS EST DISTRIBUEE ENTRE 0 ET QV::(RF). LA COMPOSANTE DE BASSE ENERGIE (0-600 EV) A BASSE PRESSION (10 MTORR) DEPEND DE LA NATURE DES ELECTRODES. UNE COMPARAISON AVEC LES DISTRIBUTIONS OBTENUES DANS AR ET CF, POUR LESQUELLES L'INFLUENCE DES PARAMETRES "PRESSION" ET "PUISSANCE" EST INTERPRETEE EN CONSIDERANT LA DECHARGE COMME QUASI CONTINUE, NOUS PERMET D'ATTRIBUER CETTE COMPOSANTE DE BASSE ENERGIE AUX IONS CREES DANS LA GAINE PAR LES ELECTRONS SECONDAIRES EMIS PAR LES ELECTRODES LORSQU'ELLES SONT SOUMISES AU FLUX D'IONS. A HAUTE FREQUENCE, L'ENERGIE DES IONS POSITIFS QUI ATTEIGNENT L'ELECTRODE-MASSE DU REACTEUR EST DISTRIBUEE ENTRE 0 ET 50 EV. A BASSE PRESSION, L'ENERGIE MOYENNE DE LA DISTRIBUTION EST DETERMINEE PAR LE POTENTIEL PLASMA MOYEN V::(P). L'ANALYSE IN-SITU DES SURFACES DE TA ET W, EFFECTUEE PAR SPECTROMETRIE AUGER ET SIMS, APRES GRAVURE DANS SF::(6), INDIQUE LA PRESENCE D'UNE QUANTITE NOTABLE DE SOUFRE SUR LA SURFACE, QUANTITE QUI DIMINUE LORSQUE L'ECHANTILLON EST AU CONTACT DE L'ATMOSPHERE AMBIANT. L'ANALYSE DE CES SURFACES PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS MONTRE QUE LES ESPECES WF::(M)(M
