GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES COUCHES MINCES DE TUNGSTENE ET DE TANTALE DANS UN PLASMA RADIOFREQUENCE DE SF::(6) PDF Download
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Author: Philippe Briaud
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Languages : fr
Pages : 246
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LA PRESENTE ETUDE PORTE SUR LA GRAVURE SECHE DE DIFFERENTS MATERIAUX UTILISES POUR LA MICROELECTRONIQUE. NOUS AVONS ETUDIE L'INTERACTION ENTRE UN PLASMA RF DE SF, A BASSE PRESSION, ET LES COUCHES MINCES DE TANTALE ET DE TUNGSTENE. POUR CELA NOUS AVONS EFFECTUE UNE ANALYSE DU PLASMA DE SF::(6) AVEC UNE SONDE DE LANGMUIR ET UN ANALYSEUR D'ENERGIE, ET UNE ANALYSE DES SURFACES APRES GRAVURE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS (ESCA OU XPS), SPECTROMETRIE AUGER (AES) ET SPECTROMETRIE DE MASSE DES IONS SECONDAIRES EMIS PAR LA SURFACE (SIMS). POUR LES DEUX REGIMES DE FREQUENCES D'EXCITATION UTILISES AU COURS DE CETTE ETUDE (25-125 KHZ) A BASSE FREQUENCE, ET 13,56 MHZ A HAUTE FREQUENCE, ON A TROUVE QUE LE PLASMA DE SF::(6) ETAIT TRES ELECTRONEGATIF (N>0,9 N::(+), N::(E) EQUIV. A 0,02 A 0,07 N::(+)). A BASSE FREQUENCE, L'ENERGIE DES IONS POSITIFS EST DISTRIBUEE ENTRE 0 ET QV::(RF). LA COMPOSANTE DE BASSE ENERGIE (0-600 EV) A BASSE PRESSION (10 MTORR) DEPEND DE LA NATURE DES ELECTRODES. UNE COMPARAISON AVEC LES DISTRIBUTIONS OBTENUES DANS AR ET CF, POUR LESQUELLES L'INFLUENCE DES PARAMETRES "PRESSION" ET "PUISSANCE" EST INTERPRETEE EN CONSIDERANT LA DECHARGE COMME QUASI CONTINUE, NOUS PERMET D'ATTRIBUER CETTE COMPOSANTE DE BASSE ENERGIE AUX IONS CREES DANS LA GAINE PAR LES ELECTRONS SECONDAIRES EMIS PAR LES ELECTRODES LORSQU'ELLES SONT SOUMISES AU FLUX D'IONS. A HAUTE FREQUENCE, L'ENERGIE DES IONS POSITIFS QUI ATTEIGNENT L'ELECTRODE-MASSE DU REACTEUR EST DISTRIBUEE ENTRE 0 ET 50 EV. A BASSE PRESSION, L'ENERGIE MOYENNE DE LA DISTRIBUTION EST DETERMINEE PAR LE POTENTIEL PLASMA MOYEN V::(P). L'ANALYSE IN-SITU DES SURFACES DE TA ET W, EFFECTUEE PAR SPECTROMETRIE AUGER ET SIMS, APRES GRAVURE DANS SF::(6), INDIQUE LA PRESENCE D'UNE QUANTITE NOTABLE DE SOUFRE SUR LA SURFACE, QUANTITE QUI DIMINUE LORSQUE L'ECHANTILLON EST AU CONTACT DE L'ATMOSPHERE AMBIANT. L'ANALYSE DE CES SURFACES PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS MONTRE QUE LES ESPECES WF::(M)(M
Author: Philippe Briaud
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Pages : 246
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LA PRESENTE ETUDE PORTE SUR LA GRAVURE SECHE DE DIFFERENTS MATERIAUX UTILISES POUR LA MICROELECTRONIQUE. NOUS AVONS ETUDIE L'INTERACTION ENTRE UN PLASMA RF DE SF, A BASSE PRESSION, ET LES COUCHES MINCES DE TANTALE ET DE TUNGSTENE. POUR CELA NOUS AVONS EFFECTUE UNE ANALYSE DU PLASMA DE SF::(6) AVEC UNE SONDE DE LANGMUIR ET UN ANALYSEUR D'ENERGIE, ET UNE ANALYSE DES SURFACES APRES GRAVURE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS (ESCA OU XPS), SPECTROMETRIE AUGER (AES) ET SPECTROMETRIE DE MASSE DES IONS SECONDAIRES EMIS PAR LA SURFACE (SIMS). POUR LES DEUX REGIMES DE FREQUENCES D'EXCITATION UTILISES AU COURS DE CETTE ETUDE (25-125 KHZ) A BASSE FREQUENCE, ET 13,56 MHZ A HAUTE FREQUENCE, ON A TROUVE QUE LE PLASMA DE SF::(6) ETAIT TRES ELECTRONEGATIF (N>0,9 N::(+), N::(E) EQUIV. A 0,02 A 0,07 N::(+)). A BASSE FREQUENCE, L'ENERGIE DES IONS POSITIFS EST DISTRIBUEE ENTRE 0 ET QV::(RF). LA COMPOSANTE DE BASSE ENERGIE (0-600 EV) A BASSE PRESSION (10 MTORR) DEPEND DE LA NATURE DES ELECTRODES. UNE COMPARAISON AVEC LES DISTRIBUTIONS OBTENUES DANS AR ET CF, POUR LESQUELLES L'INFLUENCE DES PARAMETRES "PRESSION" ET "PUISSANCE" EST INTERPRETEE EN CONSIDERANT LA DECHARGE COMME QUASI CONTINUE, NOUS PERMET D'ATTRIBUER CETTE COMPOSANTE DE BASSE ENERGIE AUX IONS CREES DANS LA GAINE PAR LES ELECTRONS SECONDAIRES EMIS PAR LES ELECTRODES LORSQU'ELLES SONT SOUMISES AU FLUX D'IONS. A HAUTE FREQUENCE, L'ENERGIE DES IONS POSITIFS QUI ATTEIGNENT L'ELECTRODE-MASSE DU REACTEUR EST DISTRIBUEE ENTRE 0 ET 50 EV. A BASSE PRESSION, L'ENERGIE MOYENNE DE LA DISTRIBUTION EST DETERMINEE PAR LE POTENTIEL PLASMA MOYEN V::(P). L'ANALYSE IN-SITU DES SURFACES DE TA ET W, EFFECTUEE PAR SPECTROMETRIE AUGER ET SIMS, APRES GRAVURE DANS SF::(6), INDIQUE LA PRESENCE D'UNE QUANTITE NOTABLE DE SOUFRE SUR LA SURFACE, QUANTITE QUI DIMINUE LORSQUE L'ECHANTILLON EST AU CONTACT DE L'ATMOSPHERE AMBIANT. L'ANALYSE DE CES SURFACES PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS MONTRE QUE LES ESPECES WF::(M)(M
Author: MARIE-CLAUDE.. PEIGNON
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Languages : fr
Pages : 214
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CE MEMOIRE DE THESE PRESENTE UNE ETUDE DU PROCEDE DE GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES COUCHES MINCES DE TUNGSTENE EN PLASMAS RADIOFREQUENCE DE SF#6/O#2. LE TUNGSTENE DEPOSE EN COUCHES MINCES PAR CVD (CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) CONSTITUE LE PREMIER NIVEAU D'INTERCONNEXION DANS LA TECHNOLOGIE CMOS A DEUX NIVEAUX DE METAL. DANS LES PROCEDES SUBMICRONIQUES, IL CONVIENT DE MAITRISER L'ANISOTROPIE ET LA SELECTIVITE DE LA GRAVURE ET DE MINIMISER LES DOMMAGES ET CONTAMINATIONS INTRODUITES EN FIN DE GRAVURE SUR LES MATERIAUX SOUS-JACENTS. CE TRAVAIL A DONC POUR BUT UNE MEILLEURE MAITRISE DU PROCEDE DE GRAVURE SECHE. IL CONSISTE EN UNE ETUDE DETAILLEE DU MECANISME D'INTERACTION ENTRE LE PLASMA ET LA SURFACE DE TUNGSTENE. UN DIAGNOSTIC GLOBAL DU REACTEUR DE GRAVURE PAR PLASMA A ETE EFFECTUE PAR SPECTROMETRIE OPTIQUE D'EMISSION ET PAR SPECTROMETRIE DE MASSE. NOUS AVONS AINSI CARACTERISE LE PLASMA EN MESURANT NOTAMMENT LES CONCENTRATIONS DES ESPECES NEUTRES REACTIVES (FLUOR ET OXYGENE ATOMIQUES) ET STABLES (SF#4, SF#2, OXYFLUORURES). NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EFFET DE L'APPAUVRISSEMENT EN FLUOR DANS LE PLASMA, DU A LA GRAVURE DU TUNGSTENE ET DU SILICIUM, SUR LA FORMATION D'ESPECES SOUFREES (S#2,S#2F#2,S#2F) POUVANT INTERVENIR DANS LA CONTAMINATION DES SURFACES GRAVEES. LES EFFLUENTS DE GRAVURE DU TUNGSTENE, WF#6 ET WOF#4, ONT ETE DIRECTEMENT IDENTIFIES PAR SPECTROMETRIE DE MASSE. UNE ANALYSE IN-SITU DES SURFACES GRAVEES PAR PLASMA A ETE REALISEE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS (MODE XPS). L'EPAISSEUR ET LA COMPOSITION DE LA COUCHE SUPERFICIELLE PERTURBEE PAR L'ATTAQUE PLASMA ONT ETE ETUDIEES EN FONCTION DES PARAMETRES DU PLASMA ET DU TEMPS DE GRAVURE. CETTE COUCHE, DONT L'EPAISSEUR VARIE DE 7 A 22 A CONTIENT DU SOUFRE, DU FLUOR ET DE L'OXYGENE. LES GROUPEMENTS SUIVANTS ONT ETE IDENTIFIES A LA SURFACE GRAVEE: WS#2,WF#N,WF#6,WOF#4,SO#XF#Y,WO#XF#Y. UNE BONNE CORRELATION A ETE OBTENUE ENTRE LES MESURES DU PLASMA ET L'ANALYSE DE LA SURFACE DU TUNGSTENE GRAVE. CETTE ETUDE NOUS A CONDUIT A PROPOSER UN MECANISME DETAILLE DE L'INTERACTION PLASMA/MATERIAU DANS LEQUEL LES ECHANGES DANS ET AU TRAVERS DE LA COUCHE SUPERFICIELLE S'AVERENT DETERMINANTS POUR LE PROCESSUS DE GRAVURE
Author: CHRISTOPHE.. VIVENSANG
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Languages : fr
Pages : 185
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CE MEMOIRE DE THESE PORTE SUR L'ETUDE DE LA GRAVURE DE COUCHES MINCES DE DIAMANT PAR UN PROCEDE DE GRAVURE IONIQUE REACTIVE (RIE) EN PLASMAS RADIOFREQUENCE D'HEXAFLUORURE DE SOUFRE (SF#6) ET D'OXYGENE. CE TRAVAIL A POUR OBJECTIF DE PROPOSER UN POST-TRAITEMENT DES COUCHES DE DIAMANT PAR GRAVURE RIE PERMETTANT DE REDUIRE LEUR RUGOSITE DE SURFACE. EN EFFET, LES FILMS DEPOSEES PAR MWCVD PRESENTENT UNE RUGOSITE DUE A LA STRUCTURE POLYCRISTALLINE DES FILMS. CETTE RUGOSITE EST UN HANDICAP DANS UN GRAND NOMBRE D'APPLICATIONS OU LES PROPRIETES EXCEPTIONNELLES DU DIAMANT SERAIENT UTILISABLES. PAR EXEMPLE, LORSQUE LE DIAMANT EST UTILISE SOUS FORME DE MEMBRANE, ELLE INDUIT UNE DIFFUSION DU RAYONNEMENT VISIBLE QUI DIMINUE LEUR TRANSPARENCE. DANS LE CAS DES MASQUES POUR LA LITHOGRAPHIE PAR RAYONS X, CETTE TRANSPARENCE EST CRUCIALE POUR LE BON DEROULEMENT DES PROCEDURES D'ALIGNEMENT DU MASQUE SUR LE SUBSTRAT A INSOLER. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE TRAITE DE LA GRAVURE DES COUCHES MINCES DE DIAMANT EN PLASMA DE SF#6. IL EST MONTRE QUE LA NATURE DES INTERACTIONS PLASMA/SURFACE DEPEND DES VALEURS DE L'AUTOPOLARISATION DU SUBSTRAT. LORSQU'ELLE EST FAIBLE (10 V), CES INTERACTIONS SE LIMITENT A UNE FLUORATION DE LA SURFACE SOUS LA FORME DE LIAISONS CF. PAR CONTRE, LORSQUE L'AUTOPOLARISATION EST FORTE (300 V), LE BOMBARDEMENT IONIQUE AMORPHISE LA SURFACE ET LUI DONNE UNE REACTIVITE SIMILAIRE A CELLE DES FILMS A-C:H DURS. IL Y A CREATION DE LIAISONS CF#X (X>1) ET COEXISTENCE ENTRE LA STRUCTURE ORDONNEE DU DIAMANT ET UNE STRUCTURE DESORDONNEE INDUITE PAR LA GRAVURE. DES TRAITEMENTS SIMILAIRES EN PLASMA D'OXYGENE MONTRENT QUE LES VITESSES DE GRAVURE ELEVEES EMPECHENT, DANS CE CAS, LA FORMATION D'UNE COUCHE AMORPHISEE. LA SECONDE PARTIE DE CE TRAVAIL PORTE SUR LA PLANARISATION DE LA SURFACE DES FILMS DE DIAMANT. UNE COUCHE PLANARISANTE A ETE UTILISEE CAR UNE GRAVURE DIRECTE N'APPORTE PAS DE REDUCTION DE LA RUGOSITE. LE PRINCIPE DE LA METHODE EST DE PROTEGER LES JOINTS DE GRAINS PENDANT QUE LES SOMMETS DES CRISTALLITES SONT GRAVES. LE MATERIAU UTILISE DOIT DONC PRESENTER UNE SELECTIVITE DE GRAVURE AVEC LE DIAMANT EGALE A L'UNITE. DIFFERENTS MATERIAUX ONT ETE ETUDIES POUR SERVIR DE COUCHE PLANARISANTE. LE CHOIX S'EST FINALEMENT PORTE SUR DE LA SILICE DEPOSEE PAR THERMIE RAPIDE (RTCVD) ET LE BICOUCHE SILICE/DIAMANT A ETE GRAVE EN MELANGE SF#6/O#2. PAR CE PROCEDE, LA RUGOSITE MOYENNE STATISTIQUE (RQ) DE FILMS DE 2 MICRONS D'EPAISSEUR A PU ETRE REDUITE DE 40 NM A 14 NM
Author: PHILIPPE.. ESTRACHE
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Languages : fr
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AUJOURD'HUI, LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES PHOTOMASQUES NECESSITE UN PROCEDE DE GRAVURE SECHE AFIN DE REALISER LES MICROSTRUCTURES AVEC PRECISION ET AVEC UN HAUT DEGRE D'AUTOMATISATION. LA GRAVURE SECHE DU CHROME, METAL TRADITIONNELLEMENT EMPLOYE DANS LES MASQUES, POSE DES PROBLEMES A LA FOIS SUR LE PLAN DU RENDEMENT EN RAISON D'UNE VITESSE DE GRAVURE PEU ELEVEE (ENVIRON 20 NM/MIN) ET AU NIVEAU DU RESPECT DES DIMENSIONS (ENVIRON 0,3 MICRON D'ATTAQUE LATERALE) DE PART LA NATURE CHIMIQUE DES MELANGES GAZEUX REQUIS. DE NOUVELLES PLAQUES A BASE DE MOSI#2 ONT ETE DEVELOPPEES POUR CONTOURNER CES PROBLEMES; LE MOSI#2 POSSEDE EN EFFET DES PROPRIETES OPTIQUES PRATIQUEMENT EQUIVALENTES A CELLES DU CHROME MAIS UNE BIEN MEILLEURE REACTIVITE A LA GRAVURE PLASMA. L'OBJET DE CE TRAVAIL EST D'UNE PART D'ETUDIER LA FAISABILITE D'UN PROCEDE DE GRAVURE IONIQUE REACTIVE DE MASQUES MOSI#2 EN PLASMA SF#6, ET D'AUTRE PART, D'OPTIMISER LE DEPOT DE FILM MINCE DE SILICIURE DE MOLYBDENE EN VUE D'UNE APPLICATION DANS LES MASQUES. DANS LES CONDITIONS PLASMA OPTIMALES, C'EST-A-DIRE A BASSE PRESSION ET FAIBLE DENSITE DE PUISSANCE, LE MEILLEUR COMPROMIS ENTRE LES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES DE LA GRAVURE PEUT ETRE OBTENU. L'EROSION LATERALE EN BORD DE MOTIF PEUT ETRE MAINTENUE A DES VALEURS COMPRISES ENTRE 0,1 ET 0,2 MICRON ET LA VITESSE DE GRAVURE DU MOSI#2 RESTE EGALE A 60 NM/MIN. LE DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE DC MAGNETRON PEUT FOURNIR DES FILMS MINCES DE SILICIURE DE MOLYBDENE, D'UNE EPAISSEUR DE 100 NM, SATISFAISANTS POUR LES MASQUES. UN PLUS HAUT DEGRE DE PURETE EST CEPENDANT NECESSAIRE POUR AMELIORER LEUR REACTIVITE A LA GRAVURE PLASMA
Author: Richard Petri
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Languages : fr
Pages : 169
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DES 1987, LE TUNGSTENE A ETE UTILISE COMME METAL D'INTERCONNEXION DANS LES FILIERES 1 M. LE PROBLEME CRUCIAL DE LA GRAVURE DE CE MATERIAU EST LE CONTROLE DE L'ANISOTROPIE (FLANCS VERTICAUX). CE PARAMETRE EST DEVENU CRITIQUE POUR LES FILIERES 0,7 M. AFIN DE FOURNIR UN PROCEDE COMPATIBLE AVEC LE CAHIER DES CHARGES DES FILIERES 0,5 ET 0,35 M (ET, NOUS L'ESPERONS, AU-DELA), NOUS AVONS ETUDIE LA GRAVURE DU TUNGSTENE EN PLASMA SF#6, A BASSE TEMPERATURE DE SURFACE, DE MEME QUE L'UTILISATION DE REACTEURS BASSE-PRESSION, HAUTE DENSITE ELECTRONIQUE, ET A POLARISATION INDEPENDANTE. NOTRE TRAVAIL A CONSISTE D'ABORD EN UNE CARACTERISATION DU PLASMA UTILISE, ET DES SURFACES APRES GRAVURE. NOUS AVONS RECHERCHE UNE CORRELATION ENTRE CES ETUDES ET LES CINETIQUES DE GRAVURE MESUREES EXPERIMENTALEMENT. NOUS AVONS MONTRE QUE LA GRAVURE S'OPERE PAR LA FORMATION D'UNE COUCHE REACTIVE EN SURFACE, PUIS PAR SA DESTRUCTION (PAR PULVERISATION) SOUS FAISCEAU D'IONS. CES RESULTATS EXPERIMENTAUX, TANT QUE POUR LE TUNGSTENE QUE POUR LE SILICIUM, SONT EN BON ACCORD AVEC UN MODELE DECRIVANT CES PHENOMENES. LE ROLE PARTICULIER DE LA TEMPERATURE A ETE MIS EN EVIDENCE DANS LES MECANISMES DE GRAVURE: LE GEL DE LA DESORPTION SPONTANEE PERMET D'OBTENIR UNE PARFAITE ANISOTROPIE, CE QUI, SUR UN PLAN TECHNOLOGIQUE, REPRESENTE UN INTERET CONSIDERABLE
Author: Fadi Zoubian
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Languages : fr
Pages : 0
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Le but de ce travail de thèse est d'étudier les propriétés d'un plasma réactif ainsi que les caractéristiques structurales, optiques et électriques de couches minces d'oxynitrure de tantale (TaOxNy) élaborées par pulvérisation cathodique radiofréquence. L'élaboration de ce matériau ternaire par pulvérisation d'une cible de tantale au moyen d'un plasma contenant à la fois de l'argon, de l'oxygène et de l'azote est complexe en raison de phénomènes d'empoisonnement de la cible. L'analyse de la composition du plasma par spectroscopie d'émission optique et le suivi de l'évolution de certaines raies représentatives d'espèces excitées dans le milieu, nous ont permis de déterminer les conditions optimales au dépôt de films de types TaOxNy sur une large gamme de compositions. Grâce à une étude par diffraction des rayons X et spectroscopie de photoélectrons X, nous avons suivi les évolutions structurales de couches ayant subi ou non un recuit thermique. Nous avons montré de quoi étaient constituées les parties amorphes et cristallisées de ces films et déterminé la taille des domaines de cohérence. Enfin, les propriétés optiques (indice de réfraction, gap optique, paramètre d'Urbach) et diélectriques ont été corrélées à la structure des matériaux.
Author: NADINE.. COUCHMAN-GOURGUEN
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Pages : 267
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CE MEMOIRE DE THESE, PREPARE DANS LE CADRE D'UN CONTRAT CIFRE AVEC LA SOCIETE MATRA MHS DE NANTES, PRESENTE UNE ETUDE DES COUCHES MINCES DE TUNGSTENE D'INTERCONNEXION POUR LES TECHNOLOGIES CMOS SUBMICRONIQUES. LE TUNGSTENE, DEPOSE PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD), EST UTILISE COMME PREMIER NIVEAU DE METALLISATION AINSI QUE POUR LE REMPLISSAGE DES VIAS DANS LE PROCEDE CMOS 0,7 MICRON A TROIS NIVEAUX DE METALLISATION ETUDIE DURANT CE TRAVAIL DE THESE. CETTE ETUDE A POUR BUT D'ACQUERIR UNE CONNAISSANCE APPROFONDIE DU SYSTEME DE METALLISATION A BASE DE TUNGSTENE AFIN D'OPTIMISER SES CARACTERISTIQUES ET AINSI D'ASSURER UNE BONNE FIABILITE DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS AVONS COMPARE LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DES DEPOTS DE TUNGSTENE REALISES PAR REDUCTION DE L'HEXAFLUORURE DE TUNGSTENE (WF#6) PAR LE SILANE (SIH#4) ET PAR L'HYDROGENE (H#2) SUR QUATRE COUCHES D'ACCROCHAGE DIFFERENTS: TI, TIN, TIW ET TIWN. UNE ANALYSE APPROFONDIE DES INTERFACES ENTRE LE TUNGSTENE ET LA COUCHE SOUS-JACENTE A ETE REALISEE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS (XPS) COUPLEE AVEC LA TECHNIQUE D'EROSION IONIQUE. L'ETUDE DES POSITIONS ENERGETIQUES DES DIFFERENTS ELEMENTS DETECTES AUX INTERFACES A MENE A L'IDENTIFICATION DES GROUPEMENTS SUIVANTS, PIEGES LORS DU DEPOT DU TUNGSTENE: WF#X, TIF#X, TIO#XF#Y, SIF#X ET SIO#XF#Y. NOUS AVONS, EN CONCLUSION, SELECTIONNE L'ALLIAGE TIW COMME MATERIAU PROMOTEUR D'ADHERENCE ET OPTIMISE LA CHIMIE DE LA REACTION DE DEPOT DU TUNGSTENE. DANS LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS COMPARE LE COMPORTEMENT DES INTERFACES W/TI ET W/TIW VIS-A-VIS DE PLASMAS RADIOFREQUENCES DE SF#6 ET SF#6/O#2 PAR ANALYSE XPS IN-SITU DES SURFACES APRES GRAVURE. UNE DIFFERENCE DE COMPORTEMENT DU TITANE VIS-A-VIS DU PLASMA DE SF#6 PUR DANS UNE COUCHE DE TITANE ET DANS L'ALLIAGE TITANE (5%)-TUNGSTENE A AINSI ETE MISE EN EVIDENCE ET A CONFIRME L'INTERET DU TIW
Author: Philippe Laporte (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 149
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Author: D.. COLLOBERT
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Languages : fr
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PRINCIPES DE LA PULVERISATION CATHODIQUE, ET ETUDE DES DIFFERENTS TYPES SUIVANTS DISPOSITIF DIODE CONTINU, DISPOSITIF HAUTE FREQUENCE, DISPOSITIF TRIODE CONTINU, "BIAS SPUTTERING". INTERET D'UNE ETUDE CONCERNANT LA PULVERISATION DE TANTALE (PROPRIETES ELECTRIQUES INTERESSANTES POUR LES COMPOSANTS PASSIFS; TAN UTILISE POUR LES CIRCUITS RESISTIFS ET TA::(2)O::(5) UTILISE POUR LES CIRCUITS CAPOCITIFS), EXISTENCE DE PLUSIEURS FORMES CRISTALLINES POUR LE TANTALE EN COUCHE MINCE. ETUDE DES PARAMETRES QUI AGISSENT SUR LA CREATION D'UNE COUCHE MINCE DE TA (MATIERE DU TANTALE BETA ET FACTEURS QUI INFLUENT SUR SON DEPOT, ETUDE DES PLASMAS DE PULVERISATION)
