Etudes phénomènes de dégradation des transistos MOS de type porteurs chauds et Negative Bias Temperature Instability (NBTI) PDF Download
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Author: Christelle Bénard
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 239
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Book Description
Ce travail de thèse traite des différents phénomènes de dégradation que peut subir un transistor MOSFET. Les deux modes de dégradation étudiés sont la dégradation par porteurs chauds, HC, et la dégradation NBTI. Dans une première partie, nous étudions de façon détaillée les phénomènes de relaxation caractéristiques des défauts générés par NBTI, afin de mieux comprendre les instabilités qui rendent si complexe la caractérisation de la fiabilité NBTI. Nous examinons, dans une seconde partie, les différentes méthodes de caractérisation du NBTI existantes à ce jour. Il en ressort que la seule technique aujourd'hui valable est la mesure ultra rapide de la tension de seuil évitant les phénomènes de relaxation. Ces études nous ont permis de mieux appréhender les dégradations NBTI en elles-mêmes. Nous avons pu décrire un modèle physique de dégradation NBTI, approuvé sur une vaste gamme de transistors (Tox=23Å jusque Tox=200Å). D'après ce modèle, un double phénomène de génération de défauts est à l'origine de la dérive des paramètres : la rupture d'une liaison Si-H qui génère un état d'interface et un piège à trous dans l'oxyde et le piégeage sur des défauts préexistants (important dans les oxydes fins Tox
Author: Christelle Bénard
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Category :
Languages : fr
Pages : 239
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Book Description
Ce travail de thèse traite des différents phénomènes de dégradation que peut subir un transistor MOSFET. Les deux modes de dégradation étudiés sont la dégradation par porteurs chauds, HC, et la dégradation NBTI. Dans une première partie, nous étudions de façon détaillée les phénomènes de relaxation caractéristiques des défauts générés par NBTI, afin de mieux comprendre les instabilités qui rendent si complexe la caractérisation de la fiabilité NBTI. Nous examinons, dans une seconde partie, les différentes méthodes de caractérisation du NBTI existantes à ce jour. Il en ressort que la seule technique aujourd'hui valable est la mesure ultra rapide de la tension de seuil évitant les phénomènes de relaxation. Ces études nous ont permis de mieux appréhender les dégradations NBTI en elles-mêmes. Nous avons pu décrire un modèle physique de dégradation NBTI, approuvé sur une vaste gamme de transistors (Tox=23Å jusque Tox=200Å). D'après ce modèle, un double phénomène de génération de défauts est à l'origine de la dérive des paramètres : la rupture d'une liaison Si-H qui génère un état d'interface et un piège à trous dans l'oxyde et le piégeage sur des défauts préexistants (important dans les oxydes fins Tox
Author: Mickaël Denais
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Languages : fr
Pages : 238
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Book Description
La miniaturisation croissante des circuits intégrés entraîne une augmentation de la complexité des procédés de fabrication où chaque nouvelle étape peut influer la fiabilité du composant. Les fabricants de semi-conducteurs doivent garantir un niveau de fiabilité excellent pour garantir les performances à long terme du produit final. Pour cela il est nécessaire de caractériser et modéliser les différents mécanismes de défaillance au niveau du transistor MOSFET. Ce travail de thèse porte spécifiquement sur les mécanismes de dégradation de type " Negative Bias Temperature Instability " communément appelé NBTI. Basé sur la génération d'états d'interface, la génération de charges fixes et de piégeage de trous dans l'oxyde, le modèle de dégradation proposé permet de prédire les accélérations en température et en champ électrique, d'anticiper les phénomènes de relaxation, tout en restant cohérent avec les caractères intrinsèques de chaque défaut et les modifications des matériaux utilisés. Ce travail de thèse ouvre le champ à de nouvelles techniques d'analyse basées sur l'optimisation des méthodes de tests et d'extraction de paramètres dans les oxydes ultra minces en évitant les phénomènes de relaxation qui rendent caduques les techniques conventionnelles. Ainsi, une nouvelle technique dite " à la volée " a été développée, et permet d'associer à la fois la mesure et le stress accéléré à l'aide de trains d'impulsions appropriés. Finalement, une nouvelle méthodologie est développée pour tenir compte des conditions réelles de fonctionnement des transistors, et une approche novatrice de compensation du NBTI est proposée pour des circuits numériques et analogiques.
Author: Cheikh Ndiaye
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Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
L'avantage de cette architecture FDSOI par rapport à l'architecture Si-bulk est qu'elle possède une face arrière qui peut être utilisée comme une deuxième grille permettant de moduler la tension de seuil Vth du transistor. Pour améliorer les performances des transistors canal p (PMOS), du Germanium est introduit dans le canal (SiGe) et au niveau des sources/drain pour la technologie 14nm FDSOI. Par ailleurs, la réduction de la géométrie des transistors à ces dimensions nanométriques fait apparaître des effets de design physique qui impactent à la fois les performances et la fiabilité des transistors.Ce travail de recherche est développé sur quatre chapitres dont le sujet principal porte sur les performances et la fiabilité des dernières générations CMOS soumises aux mécanismes de dégradation BTI (Bias Temperature Instability) et par injections de porteurs chauds (HCI) dans les dernières technologies 28nm et 14nm FDSOI. Dans le chapitre I, nous nous intéressons à l'évolution de l'architecture du transistor qui a permis le passage des nœuds Low-Power 130-40nm sur substrat silicium à la technologie FDSOI (28nm et 14nm). Dans le chapitre II, les mécanismes de dégradation BTI et HCI des technologies 28nm et 14nm FDSOI sont étudiés et comparés avec les modèles standards utilisés. L'impact des effets de design physique (Layout) sur les paramètres électriques et la fiabilité du transistor sont traités dans le chapitre III en modélisant les contraintes induites par l'introduction du SiGe. Enfin le vieillissement et la dégradation des performances en fréquence ont été étudiés dans des circuits élémentaires de type oscillateurs en anneau (ROs), ce qui fait l'objet du chapitre IV.
