ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DE DEFAUTS GENERES LORS DE L'ELABORATION DE CELLULES SOLAIRES A PARTIR DE SILICIUM POLYCRISTALLIN RAD PDF Download
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Author: TOUNES.. MOUDDA AZZEM
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Languages : fr
Pages : 159
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Book Description
DESCRIPTION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN UTILISE A L'HEURE ACTUELLE DANS LA FABRICATION DES PHOTOPILES ET EN PARTICULIER DU SILICIUM RAD (RIBBON AGAINST DROP). LA QUALITE DES PHOTOPILES FABRIQUEES A PARTIR DE CES CRISTAUX DEPEND A LA FOIS DES DEFAUTS PRESENTS DANS LE MATERIAU DE BASE ET DES DEFAUTS SUPPLEMENTAIRES CREES LORS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ULTERIEURS A LA CROISSANCE. ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES DEFAUTS CREES DANS LE VOLUME LORS DE L'ETAPE DE BRULAGE DU SUPPORT DANS L'OXYGENE ET DES DEFAUTS INDUITS PAR LE PROCESSUS D'ELABORATION DE LA JONCTION N**(+)/P PAR DIFFUSION DU PHOSPHORE (SOURCE POCL::(3))
Author: TOUNES.. MOUDDA AZZEM
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Languages : fr
Pages : 159
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DESCRIPTION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN UTILISE A L'HEURE ACTUELLE DANS LA FABRICATION DES PHOTOPILES ET EN PARTICULIER DU SILICIUM RAD (RIBBON AGAINST DROP). LA QUALITE DES PHOTOPILES FABRIQUEES A PARTIR DE CES CRISTAUX DEPEND A LA FOIS DES DEFAUTS PRESENTS DANS LE MATERIAU DE BASE ET DES DEFAUTS SUPPLEMENTAIRES CREES LORS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ULTERIEURS A LA CROISSANCE. ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES DEFAUTS CREES DANS LE VOLUME LORS DE L'ETAPE DE BRULAGE DU SUPPORT DANS L'OXYGENE ET DES DEFAUTS INDUITS PAR LE PROCESSUS D'ELABORATION DE LA JONCTION N**(+)/P PAR DIFFUSION DU PHOSPHORE (SOURCE POCL::(3))
Author: RAIMOND.. SHARKO
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Languages : fr
Pages : 186
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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE S'INSCRIT DANS LE CADRE DE RECHERCHES VISANT A L'AMELIORATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE PHOTOPILES REALISEES A PARTIR DE MATERIAU POLYCRISTALLIN (RAD) DONT LES JOINTS DE GRAINS CONSTITUENT LES DEFAUTS PROBABLEMENT LES PLUS NEFASTES. LES AUTEURS ONT CONFRONTE L'ASPECT STRUCTURAL DES JOINTS, AINSI QUE LEUR ENVIRONNEMENT AVEC L'ASPECT ELECTRIQUE A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE ET L'ANALYSE EBIC
Author: Catherine Texier
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Languages : fr
Pages : 194
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LES COUCHES OBTENUES SONT FORMEES DE GRAINS DE GRANDES DIMENSIONS ALLONGES DANS LE SENS DU GRADIENT THERMIQUE. EXISTENCE DE JOINTS DE GRAINS, DE MACLES ET DE DISLOCATIONS A L'INTERIEUR DES GRAINS QUI SONT AUTANT DE CENTRES DE RECOMBINAISONS POSSIBLES. CARACTERISATION DES CELLULES SOLAIRES REALISEES A PARTIR DE CES COUCHES: TENSION DE CIRCUIT OUVERT V::(CO), FACTEUR DE FORME FF ET PHOTOCOURANT IPH. ETUDE QUALITATIVE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE EN MODE COURANT INDUIT, DES DEFAUTS ELECTRIQUES DES COUCHES PAR LEUR CONTRASTE. MESURE DES LONGUEURS DE DIFFUSION ET VITESSE DE RECOMBINAISON REDUITE SUR LES DEFAUTS S::(F)
Author: Robert Truche (auteur(e) en cristallographie).)
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Guillaume Noircler
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Languages : fr
Pages : 146
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Cette thèse propose des protocoles de caractérisation par Microscopie Electronique à Transmission (MET) de matériaux qui constituent des cellules solaires. Deux études distinctes ont été menées, une sur la caractérisation d'un empilement de couches de passivation du silicium monocristallin (c-Si) constitué d'oxyde d'aluminium amorphe et de nitrure de silicium hydrogéné amorphe (a-AlOx/a-SiNx :H) et une autre sur la caractérisation d'une couche épitaxiée de silicium dopé au bore et fortement hydrogénée. Ces matériaux font partie d'un projet commun de cellule solaire tandem couplant les technologies silicium et pérovskite. L'épitaxie de silicium à basse température (
Author: Richard Monflier
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Languages : fr
Pages : 139
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La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants. Ce procédé utilisé en laboratoire depuis les années 1980 dans la fabrication des cellules solaires offre également de nouvelles possibilités technologiques comme le développement d'architectures 3D. Néanmoins, des dégradations électriques de paramètres sensibles aux défauts tels que la mobilité et le courant inverse d'un transistor MOS ou la durée de vie des porteurs dans le cas de cellule photovoltaïque ont été observées. Dans ce contexte, cette thèse propose une étude rigoureuse des défauts générés par recuit laser en deux volets. Le premier volet traite de l'impact du recuit laser sur les propriétés physiques du silicium et repose essentiellement sur des caractérisations approfondies par spectroscopie infrarouge et photoluminescence d'échantillons silicium non intentionnellement dopés soumis à diverses conditions de recuits par impulsions laser à excimère. L'étude met en évidence la formation de défauts suite au procédé de recuit laser. Leur identification a permis d'affirmer l'introduction d'impuretés d'oxygène et de carbone durant le recuit. A partir de cette identification, le suivi en profondeur par spectroscopie de masse à ionisation secondaire de chacune des impuretés a été effectué révélant une augmentation de la concentration et de la diffusion des impuretés avec l'augmentation de la densité d'énergie du laser et/ou du nombre de tirs. A haute énergie laser, les profils de concentration d'oxygène montrent la présence d'un pic immobile (en concordance avec la solubilité limite de l'oxygène dans le silicium liquide) associé à des cavités de silicium observées par microscopie électronique en transmission (MET). L'origine de ces impuretés est discutée ; la caractérisation de véhicules tests dédiés a permis de définir l'oxyde natif comme étant leurs sources. Le second volet permet de répondre au second objectif qui consiste à évaluer l'impact du recuit laser sur les propriétés électriques de composants à base de silicium et s'appuie sur la caractérisation de diodes Schottky et PN préalablement fabriquées. Les résultats obtenus constituent un moyen supplémentaire pour, non seulement localiser les défauts électriquement actifs, mais également les identifier. Les caractéristiques courant-tension des diodes montrent systématiquement l'impact du recuit sur le courant de fuite, paramètre sensible aux défauts. Plus spécifiquement, le courant de fuite se dégrade avec l'augmentation de la densité d'énergie. Ces mesures électriques ont permis également de mettre en évidence la présence de défauts localisés à l'interface liquide/solide, défauts ayant un fort impact sur les propriétés électriques des diodes. Les résultats sont en accord avec la littérature qui suggère la présence de lacunes à cette interface. Pour aller plus loin, des mesures de DLTS ont été effectuées et dévoilent, selon la localisation (zone fondue ou interface), des signatures singulières laissant présager plusieurs types de défauts.
Author: ALAIN.. MAGOARIEC
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Languages : fr
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LES DIVERSES TECHNIQUES DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION ONT ETE MISES EN UVRE POUR ETUDIER LES PROPRIETES STRUCTURALES DU SILICIUM POLYCRISTALLIN, MATERIAU D'UN USAGE CROISSANT DANS SES APPLICATIONS SOLAIRES ET ELECTRONIQUES. LES PROCEDES STANDARD DE REPERAGE DES DIRECTIONS CRISTALLOGRAPHIQUES, UTILISANT LES ANGLES D'INCLINAISON DE LA PLATINE PORTE-OBJET SONT GENERALEMENT LIMITES EN PRECISION. UNE ANALYSE FINE DES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE, COUPLEE A UN TRAITEMENT STATISTIQUE DES RESULTATS, A PERMIS DE MONTRER QUE L'ORIENTATION RELATIVE DE DEUX GRAINS ADJACENTS PEUT-ETRE DETERMINEE AVEC UNE INCERTITUDE D'UNE MINUTE D'ARC. OUTRE SA PRECISION, CETTE TECHNIQUE PRESENTE L'INTERET D'ETRE ADAPTABLE SUR UN SYSTEME INFORMATIQUE AFIN D'ETRE AUTOMATISEE. L'OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM EST UNE OPERATION COURANTE DANS LA FABRICATION DES DISPOSITIFS. NOS OBSERVATIONS SUR DEUX TYPES DE MATERIAUX METTENT EN EVIDENCE UNE FORTE RELATION ENTRE LA MORPHOLOGIE DES INTERFACES ET LA QUALITE CRISTALLINE DES SUBSTRATS. DANS LE VOLUME DES MATERIAUX, UNE ATTENTION PARTICULIERE EST PORTEE A L'IDENTIFICATION DES DEFAUTS. IL RESSORT DE CES EXPERIENCES QU'A L'ISSUE DE RECUIT, LES MECANISMES DE SEGREGATION ET DE PRECIPITATION DES IMPURETES NE DONNENT PAS D'EFFETS OBSERVABLES DANS DES STRUCTURES COMPORTANT UNE FORTE DENSITE DE MACLES (111)#3, (211)#3 ET DE DEFAUTS D'EMPILEMENT
Author:
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Author: Abdouraman Bary
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Languages : fr
Pages : 172
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CARACTERISATION, PAR MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE ET PAR LA TECHNIQUE DU COURANT INDUIT PAR FAISCEAU ET ELECTRON, DE L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES JOINTS DE GRAINS. ETUDE PAR MICROSCOPE ELECTRONIQUE DE TRANSMISSION, DE LEUR STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE. MISE EN EVIDENCE D'UNE CORRELATION ETROITE ENTRE L'ACTIVITE ELECTRONIQUE DES JOINTS DE GRAINS ET LEUR STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE ET LA SEGREGATION D'IMPURETES
Author: Amina Merabet
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Languages : fr
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De récents travaux consacrés à l'étude des propriétés des matériaux aux petites échelles ont souligné des différences exceptionnelles dans le comportement mécanique des nano-objets par rapport aux matériaux massifs. Dans le cas du silicium, une transition fragile-ductile à température ambiante a été observée lorsque la taille des échantillons est réduite. Cependant, les défauts et les mécanismes à l'origine de ce changement de comportement n'ont pas été clairement identifiés. Ce travail repose sur l'étude post mortem de nanopiliers déformés, en utilisant différentes techniques de microscopie électronique. Les nanopiliers étudiés ont été préparés par gravure plasma et déformés en compression à température ambiante. Les résultats obtenus durant cette thèse, confirment la différence de comportement des nano-objets par rapport au matériau massif. Par ailleurs, une grande variété de défauts produits lors de la compression a été observée. L'orientation cristallographique de l'axe de sollicitation semble avoir un impact important sur les mécanismes à l'origine du comportement ductile observé. La comparaison entre images HRTEM expérimentales et simulées témoigne de la propagation simultanée de dislocations partielles et parfaites dans les plans {111}. De plus, des événements plastiques ont également été observés dans des plans {115}. Divers mécanismes de déformation possibles impliqués lors de la compression des piliers sont décrits à partir des observations microscopiques. Un modèle tenant compte de l'influence sur la mobilité des dislocations des interactions entre systèmes de glissement est proposé afin d'expliquer la transition fragile-ductile observé aux petites échelles.
