Author: ABDELMALIK.. BOUYAHYAOUI
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Languages : fr
Pages : 162
Book Description
MODELISATION ET REALISATION DE CES TRANSISTORS AVEC POUR BUT DE MONTRER LEURS POTENTIALITES ET LEUR FAISABILITE. ON A MIS EN EVIDENCE QUE GRACE AUX MECANISMES DE DEGENERESCENCE, LES TRANSISTORS A HOMOJONCTION GARDAIENT LES MEMES PERFORMANCES QUE LES TRANSISTORS A SIMPLE HETEROJONCTION. L'ETUDE DU TRANSISTOR A DOUBLE HETEROJONCTION A MONTRE LE ROLE PREPONDERANT DE L'HETEROJONCTION COLLECTEUR-BASE ET NOTAMMENT DE SA GRADUALITE. LES REALISATIONS PAR EPITAXIE LIQUIDE DE CES DISPOSITIFS ONT SERVI DE SUPPORT EXPERIMENTAL A L'ETUDE THEORIQUE
ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM
Author: ABDELMALIK.. BOUYAHYAOUI
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Languages : fr
Pages : 162
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MODELISATION ET REALISATION DE CES TRANSISTORS AVEC POUR BUT DE MONTRER LEURS POTENTIALITES ET LEUR FAISABILITE. ON A MIS EN EVIDENCE QUE GRACE AUX MECANISMES DE DEGENERESCENCE, LES TRANSISTORS A HOMOJONCTION GARDAIENT LES MEMES PERFORMANCES QUE LES TRANSISTORS A SIMPLE HETEROJONCTION. L'ETUDE DU TRANSISTOR A DOUBLE HETEROJONCTION A MONTRE LE ROLE PREPONDERANT DE L'HETEROJONCTION COLLECTEUR-BASE ET NOTAMMENT DE SA GRADUALITE. LES REALISATIONS PAR EPITAXIE LIQUIDE DE CES DISPOSITIFS ONT SERVI DE SUPPORT EXPERIMENTAL A L'ETUDE THEORIQUE
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Languages : fr
Pages : 162
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MODELISATION ET REALISATION DE CES TRANSISTORS AVEC POUR BUT DE MONTRER LEURS POTENTIALITES ET LEUR FAISABILITE. ON A MIS EN EVIDENCE QUE GRACE AUX MECANISMES DE DEGENERESCENCE, LES TRANSISTORS A HOMOJONCTION GARDAIENT LES MEMES PERFORMANCES QUE LES TRANSISTORS A SIMPLE HETEROJONCTION. L'ETUDE DU TRANSISTOR A DOUBLE HETEROJONCTION A MONTRE LE ROLE PREPONDERANT DE L'HETEROJONCTION COLLECTEUR-BASE ET NOTAMMENT DE SA GRADUALITE. LES REALISATIONS PAR EPITAXIE LIQUIDE DE CES DISPOSITIFS ONT SERVI DE SUPPORT EXPERIMENTAL A L'ETUDE THEORIQUE
Etude et réalisation de transistors bipolaires PNP à homojonction sur arséniure de gallium par implantation ionique
Author: Ana-Suely Ferreira
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Category :
Languages : fr
Pages : 175
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Languages : fr
Pages : 175
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Scientific and Technical Aerospace Reports
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ISBN:
Category : Aeronautics
Languages : en
Pages : 562
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Category : Aeronautics
Languages : en
Pages : 562
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ESSDERC' 84
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Category : Semiconductors
Languages : en
Pages : 464
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Category : Semiconductors
Languages : en
Pages : 464
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ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES PNP A HOMOJONCTION SUR ARSENSIURE DE GALLIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE
Author: Ana Suely Ferreira
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Languages : fr
Pages : 0
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Le transistor bipolaire a homojonction gaas semble ouvrir des horizons nouveaux pour les applications dans les circuits integres bipolaires sur gaas. L'utilisation de l'implantation ionique dans la realisation de ce dispositif rend son processus de fabrication assez facile, conduisant a une plus grande densite d'integration. Cette etude s'inscrit dans la suite des travaux entrepris par j.p. Vannel sur la realisation des circuits integres a integration i#2l. Dans ce type de logique, la cellule de base est alimentee par une source de courant qui peut etre soit une resistance, soit un transistor bipolaire pnp, sujet de notre etude. Apres un rappel theorique des mecanismes regissant le comportement du transistor bipolaire pnp sur gaas, les differentes theories de base de l'implantation ionique (lss, pearson de type iv) sont presentees pour chaque type d'ions utilises a savoir, le silicium comme dopant de type n et le magnesium, comme dopant de type p. Les logiciels developpes correspondant sont egalement detailles. Apres une description des differents moyens technologiques a notre disposition au laboratoire et des differentes methodes de caracterisation des couches implantees, une etude experimentale de l'implantation ionique de mg et de si dans le gaas est effectuee. Les resultats obtenus sont compares avec ceux donnes par la modelisation. La derniere partie est consacree a la realisation des transistors bipolaires pnp sur gaas. Les etapes de fabrication sont decrites pour deux types de structure, planar et mesa et les resultats de la caracterisation electrique associee sont donnes
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Languages : fr
Pages : 0
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Le transistor bipolaire a homojonction gaas semble ouvrir des horizons nouveaux pour les applications dans les circuits integres bipolaires sur gaas. L'utilisation de l'implantation ionique dans la realisation de ce dispositif rend son processus de fabrication assez facile, conduisant a une plus grande densite d'integration. Cette etude s'inscrit dans la suite des travaux entrepris par j.p. Vannel sur la realisation des circuits integres a integration i#2l. Dans ce type de logique, la cellule de base est alimentee par une source de courant qui peut etre soit une resistance, soit un transistor bipolaire pnp, sujet de notre etude. Apres un rappel theorique des mecanismes regissant le comportement du transistor bipolaire pnp sur gaas, les differentes theories de base de l'implantation ionique (lss, pearson de type iv) sont presentees pour chaque type d'ions utilises a savoir, le silicium comme dopant de type n et le magnesium, comme dopant de type p. Les logiciels developpes correspondant sont egalement detailles. Apres une description des differents moyens technologiques a notre disposition au laboratoire et des differentes methodes de caracterisation des couches implantees, une etude experimentale de l'implantation ionique de mg et de si dans le gaas est effectuee. Les resultats obtenus sont compares avec ceux donnes par la modelisation. La derniere partie est consacree a la realisation des transistors bipolaires pnp sur gaas. Les etapes de fabrication sont decrites pour deux types de structure, planar et mesa et les resultats de la caracterisation electrique associee sont donnes
Europhysics Conference Abstracts
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Category : Physics
Languages : en
Pages : 816
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Category : Physics
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Pages : 816
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Government Reports Annual Index
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Category : Research
Languages : en
Pages : 1220
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Sections 1-2. Keyword Index.--Section 3. Personal author index.--Section 4. Corporate author index.-- Section 5. Contract/grant number index, NTIS order/report number index 1-E.--Section 6. NTIS order/report number index F-Z.
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Category : Research
Languages : en
Pages : 1220
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Sections 1-2. Keyword Index.--Section 3. Personal author index.--Section 4. Corporate author index.-- Section 5. Contract/grant number index, NTIS order/report number index 1-E.--Section 6. NTIS order/report number index F-Z.
Government Reports Announcements & Index
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Category : Science
Languages : en
Pages : 1736
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Category : Science
Languages : en
Pages : 1736
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INIS Atomindeks
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Category : Nuclear energy
Languages : en
Pages : 814
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Category : Nuclear energy
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Pages : 814
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EVALUATION DE LA LOGIQUE A INJECTION SUR ARSENIURE DE GALLIUM ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAIAS/GAAS PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
Author: Raja Touahni
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Languages : fr
Pages : 192
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CE MEMOIRE PRESENTE D'ABORD L'EVALUATION DE LA FILIERE LOGIQUE I**(2)L A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A DOUBLE HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. LES AVANTAGES APPORTES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES DES HETEROJONCTIONS ET LES QUALITES INTRINSEQUES DE L'ARSENIURE DE GALLIUM SONT REPERTORIES. UNE SIMULATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN REGIME DYNAMIQUE DE LA STRUCTURE, QUI S'APPUIE SUR DES MODELES PRECIS A CONTROLE DE CHARGE, EST UTILISEE POUR ANALYSER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES ET DISCUTER LES CRITERES D'OPTIMISATION. LES PERFORMANCES THEORIQUES AINSI DETERMINEES SONT ALORS FAVORABLEMENT COMPAREES AUX POSSIBILITES DES AUTRES FILIERES LOGIQUES SUR LE PLAN DE LA RAPIDITE, DE LA CONSOMMATION ET DE LA CAPACITE D'INTEGRATION A GRANDE ECHELLE; ON EVALUE EN PARTICULIER POUR UNE REGLE DE DESSIN "1 MICROMETRE", UN FACTEUR DE MERITE DE 3 FJ POUR UN TEMPS DE PROPAGATION DE L'ORDRE DE 300 PS. LA DEUXIEME PARTIE DU MEMOIRE EST CONSACREE A LA MISE EN OEUVRE D'UN PROCESSUS DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A SIMPLE HETEROJONCTION ET A DOUBLE HETEROJONCTION A PARTIR DE LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
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Languages : fr
Pages : 192
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CE MEMOIRE PRESENTE D'ABORD L'EVALUATION DE LA FILIERE LOGIQUE I**(2)L A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A DOUBLE HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. LES AVANTAGES APPORTES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES DES HETEROJONCTIONS ET LES QUALITES INTRINSEQUES DE L'ARSENIURE DE GALLIUM SONT REPERTORIES. UNE SIMULATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN REGIME DYNAMIQUE DE LA STRUCTURE, QUI S'APPUIE SUR DES MODELES PRECIS A CONTROLE DE CHARGE, EST UTILISEE POUR ANALYSER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES ET DISCUTER LES CRITERES D'OPTIMISATION. LES PERFORMANCES THEORIQUES AINSI DETERMINEES SONT ALORS FAVORABLEMENT COMPAREES AUX POSSIBILITES DES AUTRES FILIERES LOGIQUES SUR LE PLAN DE LA RAPIDITE, DE LA CONSOMMATION ET DE LA CAPACITE D'INTEGRATION A GRANDE ECHELLE; ON EVALUE EN PARTICULIER POUR UNE REGLE DE DESSIN "1 MICROMETRE", UN FACTEUR DE MERITE DE 3 FJ POUR UN TEMPS DE PROPAGATION DE L'ORDRE DE 300 PS. LA DEUXIEME PARTIE DU MEMOIRE EST CONSACREE A LA MISE EN OEUVRE D'UN PROCESSUS DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A SIMPLE HETEROJONCTION ET A DOUBLE HETEROJONCTION A PARTIR DE LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES