Etude des mécanismes de formation du silicium poreux PDF Download
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Author: Isabelle Ronga-Lefebvre (auteur en électrochimie).)
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Book Description
Ce travail est consacré essentiellement à l'étude des transferts de charges à l'origine de la dissolution d'une anode de silicium en présence d'une solution électrolytique fortement concentrée en acide fluorhydrique. Les conditions de formation ainsi que les caractéristiques du silicium poreux sont données dans le premier chapitre. La seconde partie est constituée d'une présentation de l'interface semi-conducteur/électrolyte. Les trois chapitres suivants concernent les résultats expérimentaux et leurs interprétations dont nous donnerons les principales conclusions. Une étude détaillée du comportement électrique de l'interface silicium/électrolyte est présentée sur le silicium de type p. Ces investigations permettent de proposer un modèle qui repose sur le fait que la cinétique de dissolution du silicium est déterminée principalement par la densité de charges positives a l'interface silicium/électrolyte. Ces trous doivent franchir la barrière de Schottky correspondant à la zone de charge d'espace qui existe à l'interface. Un aspect particulièrement intéressant du modèle est qu'il permet de prévoir quantitativement la sélectivité de dissolution du matériau. Sur le silicium de type n l'analyse des caractéristiques i (v) et des mesures d'impédance a conduit à proposer un mécanisme diffèrent ou la cinétique de dissolution est limitée par le transfert d'électrons par effet tunnel à travers la barrière correspondant à la zone de charge d'espace. Enfin, la différence entre le comportement observe lors du premier balayage en potentiel et lors des balayages ultérieurs est étroitement liée à une adsorption de charges positives se produisant à la surface de l'électrode de silicium. Cette adsorption mise en évidence par les mesures d'impédance constitue vraisemblablement le phénomène déclenchant la réaction de dissolution du silicium en milieu acide fluorhydrique
Author: Isabelle Ronga-Lefebvre (auteur en électrochimie).)
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Ce travail est consacré essentiellement à l'étude des transferts de charges à l'origine de la dissolution d'une anode de silicium en présence d'une solution électrolytique fortement concentrée en acide fluorhydrique. Les conditions de formation ainsi que les caractéristiques du silicium poreux sont données dans le premier chapitre. La seconde partie est constituée d'une présentation de l'interface semi-conducteur/électrolyte. Les trois chapitres suivants concernent les résultats expérimentaux et leurs interprétations dont nous donnerons les principales conclusions. Une étude détaillée du comportement électrique de l'interface silicium/électrolyte est présentée sur le silicium de type p. Ces investigations permettent de proposer un modèle qui repose sur le fait que la cinétique de dissolution du silicium est déterminée principalement par la densité de charges positives a l'interface silicium/électrolyte. Ces trous doivent franchir la barrière de Schottky correspondant à la zone de charge d'espace qui existe à l'interface. Un aspect particulièrement intéressant du modèle est qu'il permet de prévoir quantitativement la sélectivité de dissolution du matériau. Sur le silicium de type n l'analyse des caractéristiques i (v) et des mesures d'impédance a conduit à proposer un mécanisme diffèrent ou la cinétique de dissolution est limitée par le transfert d'électrons par effet tunnel à travers la barrière correspondant à la zone de charge d'espace. Enfin, la différence entre le comportement observe lors du premier balayage en potentiel et lors des balayages ultérieurs est étroitement liée à une adsorption de charges positives se produisant à la surface de l'électrode de silicium. Cette adsorption mise en évidence par les mesures d'impédance constitue vraisemblablement le phénomène déclenchant la réaction de dissolution du silicium en milieu acide fluorhydrique
Author: STEPHANE.. BASTIDE
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Languages : fr
Pages : 193
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LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE ET CHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE, CONDUIT SOUS CERTAINES CONDITIONS A LA FORMATION DE SILICIUM POREUX. L'ETUDE DES MECANISMES DE DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE P ET N#+, ET L'OBSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES DU SILICIUM POREUX, ONT ETE REALISEES. L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES DE CE MATERIAU ET DES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES DES JONCTIONS EN SILICIUM P-N#+ AVEC UN EMETTEUR PARTIELLEMENT POREUX, MONTRE QUE LA FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM POREUX EN FACE AVANT DES PHOTOPILES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN, PEUT CONSTITUER UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE DIMINUTION DES PERTES PAR REFLEXION DES PHOTONS
Author: Isabelle Ronga-Lefebvre
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Languages : fr
Pages : 119
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CE TRAVAIL EST CONSACRE ESSENTIELLEMENT A L'ETUDE DES TRANSFERTS DE CHARGES A L'ORIGINE DE LA DISSOLUTION D'UNE ANODE DE SILICIUM EN PRESENCE D'UNE SOLUTION ELECTROLYTIQUE FORTEMENT CONCENTREE EN ACIDE FLUORHYDRIQUE. LES CONDITIONS DE FORMATION AINSI QUE LES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM POREUX SONT DONNEES DANS LE PREMIER CHAPITRE. LA SECONDE PARTIE EST CONSTITUEE D'UNE PRESENTATION DE L'INTERFACE SEMI-CONDUCTEUR/ELECTROLYTE. LES TROIS CHAPITRES SUIVANTS CONCERNENT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LEURS INTERPRETATIONS DONT NOUS DONNERONS LES PRINCIPALES CONCLUSIONS. UNE ETUDE DETAILLEE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE EST PRESENTEE SUR LE SILICIUM DE TYPE P. CES INVESTIGATIONS PERMETTENT DE PROPOSER UN MODELE QUI REPOSE SUR LE FAIT QUE LA CINETIQUE DE DISSOLUTION DU SILICIUM EST DETERMINEE PRINCIPALEMENT PAR LA DENSITE DE CHARGES POSITIVES A L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE. CES TROUS DOIVENT FRANCHIR LA BARRIERE DE SCHOTTKY CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE QUI EXISTE A L'INTERFACE. UN ASPECT PARTICULIEREMENT INTERESSANT DU MODELE EST QU'IL PERMET DE PREVOIR QUANTITATIVEMENT LA SELECTIVITE DE DISSOLUTION DU MATERIAU. SUR LE SILICIUM DE TYPE N L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES I (V) ET DES MESURES D'IMPEDANCE A CONDUIT A PROPOSER UN MECANISME DIFFERENT OU LA CINETIQUE DE DISSOLUTION EST LIMITEE PAR LE TRANSFERT D'ELECTRONS PAR EFFET TUNNEL A TRAVERS LA BARRIERE CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE. ENFIN, LA DIFFERENCE ENTRE LE COMPORTEMENT OBSERVE LORS DU PREMIER BALAYAGE EN POTENTIEL ET LORS DES BALAYAGES ULTERIEURS EST ETROITEMENT LIEE A UNE ADSORPTION DE CHARGES POSITIVES SE PRODUISANT A LA SURFACE DE L'ELECTRODE DE SILICIUM. CETTE ADSORPTION MISE EN EVIDENCE PAR LES MESURES D'IMPEDANCE CONSTITUE VRAISEMBLABLEMENT LE PHENOMENE DECLENCHANT LA REACTION DE DISSOLUTION DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE
Author: Ahmad Bsiesy
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Languages : fr
Pages : 126
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LES MECANISMES DE TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN SILICE PAR VOIE ANODIQUE ONT ETE ETUDIES. LES CARACTERISTIQUES ELECTROCHIMIQUES CORRESPONDANTES, ET LA COMPOSITION CHIMIQUE DES COUCHES POREUSES OXYDEES ANODIQUEMENT ONT ETE ANALYSEES. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QU'EN MODE INTENTIOSTATIQUE ET POUR DES FAIBLES COURANTS D'OXYDATION LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SE TROUVENT EN DEPLETION ET L'ECHANGE DES TROUS N'EST DONC POSSIBLE QU'AU FOND DES PORES OU L'OXYDATION AURA PRINCIPALEMENT LIEU. POUR DES COURANTS PLUS FORTS, LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SONT DANS UN ETAT DE DEPLETION MOINS PROFOND, VOIRE EN ACCUMULATION, ET L'OXYDATION AURA LIEU A LA FOIS AU FOND DES PORES ET SUR LES FLANCS DE CEUX-CI. UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS PRELIMINAIRES ONT MONTRE QUE LE SILICIUM POREUX PEUT, DANS CERTAINES CONDITIONS, EMETTRE DE LA LUMIERE VISIBLE: LORSQUE LES DIMENSIONS DES FILAMENTS DE SILICIUM CONSTITUANT LE SILICIUM POREUX DEVIENNENT SUFFISAMMENT FINS, LES EFFETS DE CONFINEMENT QUANTIQUE DEPLACENT LES NIVEAUX ELECTRONIQUES ET FONT APPARAITRE UNE LUMINESCENCE DANS LA REGION CORRESPONDANT AUX LONGUEURS D'ONDE VISIBLES
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Publisher: Presses Academiques Francophones
ISBN: 9783841632678
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Languages : fr
Pages : 104
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L'étude du silicium poreux a connu un regain d'intérêt spectaculaire depuis sa découverte, en 1990, à cause de la possibilité de ce matériau d'émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante, cette découverte a relancé l'ensemble des recherches sur ce matériau pourtant connu depuis plus de 70ans. Dans ce livre, on a préparé le silicium poreux par la technique d'électrodéposition et on a pu d'obtenir les différentes morphologies du silicium poreux (macro, méso et nano poreux), le mécanisme de la formation est bien expliqué, tout d'abord on a exposé une étude bibliographique de la fabrication du silicium poreux par la technique d'électrochimie, en décrivant les mécanismes et les paramètres qui gèrent le phénomène de formation des pores et les propriétés des couches poreuses, puis on a décrit les conditions expérimentales et techniques d'électrodéposition utilisées: Voltampérometrie, chronopotentiomertie et chronoamprometrie ainsi que les techniques de caractérisation: DRX, MEB et Spectroscopie (UV- Visible et FTIR). Enfin, on a analysé et interprété les résultats de caractérisation obtenus de nos échantillons pour les différentes morphologies de Si poreux.
Author: VIRGINIE.. CHAMARD
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Languages : fr
Pages : 198
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L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ETUDIER LA STRUCTURE DU SILICIUM POREUX (SP) PAR DES TECHNIQUES DE RAYONS X POUR COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATION. L'ECHELLE NANOMETRIQUE DE LA STRUCTURE POREUSE NECESSITE DES MOYENS D'INVESTIGATION NON DESTRUCTIFS ET SENSIBLES A CETTE ECHELLE. DE PLUS, LE CARACTERE CRISTALLIN CONNU DANS LE CAS DU TYPE P, CONDUIT NATURELLEMENT A L'UTILISATION DE LA DIFFRACTION DES RAYONS X POUR TOUS TYPES DE SP. AINSI, NOUS AVONS SUIVI IN SITU LES DEFORMATIONS PENDANT LA FORMATION ET LA DISSOLUTION CHIMIQUE DU SP. POUR LE TYPE N, L'ETUDE SYSTEMATIQUE EN FONCTION DU TEMPS DE FORMATION, PAR DIFFRACTION ET REFLECTIVITE DE RAYONS X, COMPLETEE PAR DES MESURES DIRECTES, MONTRE DEUX TYPES DE MATERIAUX : FABRIQUE DANS L'OBSCURITE, LA STRUCTURE DU SP EST CONTINUE MAIS NON HOMOGENE EN PROFONDEUR ET LA FORMATION PRESENTE TROIS PHASES DISTINCTES DANS LE TEMPS. FABRIQUE SOUS ILLUMINATION, LA STRUCTURE, STRATIFIEE, SE COMPOSE D'UN CRATERE AU DESSUS DE COUCHES NANOPOREUSE ET MACROPOREUSE. LA DIFFUSION DES RAYONS X EST ENSUITE UTILISEE POUR LA CARACTERISATION STRUCTURALE DES DIVERS TYPES DE SP. LES REFLECTIVITES SPECULAIRE ET HORS SPECULAIRE PERMETTENT L'ETUDE DES INTERFACES DE LA COUCHE. POUR LE FRONT D'ATTAQUE DU TYPE P, LES MESURES SONT COMPAREES AU PROFIL DE LA SURFACE OBTENU DIRECTEMENT PAR MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE ET PROFILOMETRIE. DEUX ECHELLES DE STRUCTURE APPARAISSENT : UNE ECHELLE MESOMETRIQUE OU L'INTERFACE N'EVOLUE PAS AVEC LE TEMPS D'ATTAQUE, POUR UNE LONGUEUR DE CORRELATION AUTOUR DE 100 NM ET UNE ECHELLE MACROSCOPIQUE OU DES DEFAUTS APPARAISSENT EN COURS D'ATTAQUE POUR UNE LONGUEUR DE CORRELATION POUVANT ATTEINDRE 600 NM. FINALEMENT, LA DIFFUSION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE MESUREE HORS DU PLAN CONDUIT A UNE TAILLE DE PARTICULE DE QUELQUES NANOMETRES DE DIAMETRE, ET UNE FORTE CORRELATION DANS LE PLAN DE LA SURFACE EST SYSTEMATIQUEMENT OBSERVEE. LA TRANSITION ENTRE DIFFUSION DE SURFACE ET DE VOLUME EST EGALEMENT MISE EN EVIDENCE.
Author: Jean-Jacques Yon
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Languages : fr
Pages : 134
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DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) PEUVENT ETRE OBTENUES A PARTIR DE SILICIUM POREUX A CONDITION DE CONTROLER L'OXYDATION THERMIQUE DU MATERIAU. CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDATION DU SILICIUM POREUX. CE TRAVAIL A PERMIS DE FIXER LES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A LA FORMATION REPRODUCTIBLE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX HOMOGENES. L'ETUDE DETAILLEE DE L'OXYDATION DE CE MATERIAU A PERMIS DE DEGAGER UN MECANISME PHENOMENOLOGIQUE QUI REND COMPTE DE LA TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN OXYDE AUX PROPRIETES IDENTIQUES A CELLES DE LA SILICE CLASSIQUE. LE MECANISME PROCEDE PAR UNE OXYDATION CHIMIQUE COUPLEE A UNE DENSIFICATION, TRES ACTIVEE EN TEMPERATURE, DE LA SILICE. CES RESULTATS ONT ETE APPLIQUES A LA REALISATION DE STRUCTURES SOI
Author: Abdelhak Belaidi
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Languages : fr
Pages : 149
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LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N DANS DES SOLUTIONS DE HF A ETE ETUDIEE DANS L'OBSCURITE ET SOUS ECLAIREMENT. DANS L'OBSCURITE, UN FAIBLE COURANT ANODIQUE EST OBSERVE POUR DES POTENTIELS VARIANT ENTRE 0,37 ET 4V. LA VALEUR DE CE COURANT CHANGE AVEC LE PH, LA CONCENTRATION DE FLUOR ET LA NATURE DES CATIONS PRESENTS DANS LA SOLUTION. UN MODELE SIMPLE EST PROPOSE POUR EXPLIQUER LA DEPENDANCE DU COURANT ANODIQUE EN FONCTION DE CES PARAMETRES. SOUS FAIBLE INTENSITE LUMINEUSE, LA DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE N CONDUIT A LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. SOUS FORTE INTENSITE LUMINEUSE, LE COMPORTEMENT DU SILICIUM DE TYPE N EST SIMILAIRE A CELUI DU TYPE P. LES MESURES D'IMPEDANCES ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT PERMIS D'ETUDIER LA CHIMIE DE SURFACE. L'EFFET DU PH, DE LA CONCENTRATION DE FLUOR ET DE LA NATURE DES CATIONS ONT EGALEMENT FAIT L'OBJET D'UNE ANALYSE DANS CE CAS. LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N, EN PRESENCE DU COUPLE REDOX NO +/NO, A ETE DEMONTREE DANS L'OBSCURITE. LA CHIMIE DE SURFACE PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES PROCESSUS INTERFACIAUX. POUR CETTE ETUDE, LES COURBES COURANT-TEMPS ET LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE UTILISEES. ON A CONCLU QUE L'OXYDE EST PRESENT PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. EN MEME TEMPS, LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H AUGMENTE A LA SURFACE DU SILICIUM. UN MODELE BASE SUR L'EXISTENCE D'UNE SURFACE ACTIVE ELECTROCHIMIQUEMENT EST PROPOSE. CE MODELE PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H ET SI-O A LA SURFACE. PAR AILLEURS, L'EFFET DE L'HYDROGENE SUR LA SURFACE DU SILICIUM A ETE EXAMINE. DANS L'OBSCURITE, UNE FAIBLE DISSOLUTION DU SILICIUM S'ACCOMPAGNE DE LA FORMATION D'HYDROGENE. L'ETAT DE SURFACE OBTENU DEPEND DE LA DUREE D'IMMERSION DU SILICIUM DANS HF. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE DES ETATS DE SURFACE PEUT S'EXPLIQUER PAR LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LE SILICIUM.
Author: SOPHIE.. BILLAT
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Languages : fr
Pages : 135
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CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE QUI ACCOMPAGNE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DE CE MATERIAU. DANS UNE PREMIERE PARTIE BIBLIOGRAPHIQUE, NOUS PRESENTONS LES CONDITIONS ET LES MECANISMES DE FORMATION DU SILICIUM POREUX AINSI QUE LES PROPRIETES PRINCIPALES DU MATERIAU. NOUS ABORDONS ENSUITE LES DIFFERENTS MODELES INVOQUES POUR INTERPRETER L'ORIGINE DE LA PHOTOLUMINESCENCE OBSERVEE DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. NOUS PRESENTONS DANS UNE SECONDE PARTIE L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX EN RELATION AVEC LA MORPHOLOGIE DU MATERIAU. UNE ANALYSE CONJOINTE DE L'ELECTRO- ET DE LA PHOTO-LUMINESCENCE, MENEE LORS D'UNE ANODISATION A COURANT CONSTANT, MONTRE UNE VARIATION D'INTENSITE COMMUNE AINSI QU'UN DEPLACEMENT SPECTRAL EN FONCTION DU NIVEAU D'OXYDATION DE LA COUCHE. CES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES SONT DISCUTEES ET INTERPRETEES DANS LE CADRE D'UN MODELE SIMPLE REPOSANT SUR LA NOTION DE CONFINEMENT QUANTIQUE DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES DE SILICIUM CONSTITUANT LA STRUCTURE POREUSE. CE MODELE FAIT INTERVENIR SELECTIVITE D'INJECTION DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES ET EFFET DE PASSIVATION DU A LA FORMATION DE L'OXYDE. UNE ETUDE DES PHENOMENES DE LUMINESCENCE LORS D'UNE OXYDATION EFFECTUEE A POTENTIEL CONTROLE A PERMIS DE SEPARER LES DIFFERENTS PARAMETRES QUI DETERMINENT L'EMISSION LUMINEUSE. ELLE MONTRE NOTAMMENT QUE L'ENERGIE DES RADIATIONS EMISES EST RELIEE DE MANIERE LINEAIRE A LA TENSION APPLIQUEE. DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AU CARACTERE TRANSITOIRE DU SIGNAL D'ELECTROLUMINESCENCE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA CHUTE DE L'INTENSITE LUMINEUSE PEUT ETRE LIEE A UNE DEPASSIVATION DE LA SURFACE DES CRISTALLITES
Author: IRINA.. MIHALCESCU
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Languages : fr
Pages : 205
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Book Description
DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE CERTAINS ASPECTS DU MECANISME DE LA LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX. LA PARTICULARITE DE L'APPROCHE A ETE LE SUIVI SIMULTANE DE L'INTENSITE, DES TEMPS DE VIE ET DE LA FORME DU DECLIN DE LA PL EN FONCTION DES PLUSIEURS PARAMETRES TELS QUE: LA TEMPERATURE, LE NIVEAU D'OXYDATION ANODIQUE ET L'INTENSITE D'EXCITATION. NOUS DECRIVONS LA STRUCTURE POREUSE COMME UN ENSEMBLE DE CRISTALLITES DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES, INTERCONNECTEES PAR DES PONTS DE SILICIUM OU DE SILICE. LE PREMIER NIVEAU EXCITE DANS CES CRISTALLITES EST LOCALISE, LES PORTEURS SE RETROUVANT CONFINES DANS UN POINT QUANTIQUE. PAR CONTRE, LES NIVEAUX EXCITES SUPERIEURS SONT ETENDUS SUR PLUSIEURS CRISTALLITES, LES PORTEURS ETANT CONFINES DANS UN FIL QUANTIQUE. POUR DES TEMPERATURES PLUS PETITES QUE 250K, NOUS AVONS CONCLU QUE LES PORTEURS SONT LOCALISES ET UNE DESCRIPTION DE LA DYNAMIQUE DE RECOMBINAISON LIMITEE PAR L'EFFET TUNNEL EST VALABLE DANS TOUTE CETTE GAMME DES TEMPERATURES. A PLUS HAUTES TEMPERATURES, LE CHANGEMENT DE LA FORME DU DECLIN ET LA FORTE DECROISSANCE DE L'INTENSITE DE LA PL ONT ETE ASSOCIES A UNE DELOCALISATION PROGRESSIVE DES PORTEURS PAR ACTIVATION THERMIQUE. DANS CE CADRE, L'EVOLUTION CONTRAIRE, ENREGISTREE AU COURS DE L'OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM POREUX, EST ASSIMILEE A UNE LOCALISATION PROGRESSIVE DES PORTEURS PAR L'ACCROISSEMENT DES BARRIERES DE POTENTIEL DU A L'OXYDATION DES PONTS RELIANT LES CRISTALLITES. LE DERNIER VOLET DE CE TRAVAIL COMPORTE UNE ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'INTENSITE DE LA PL EN FONCTION DE L'INTENSITE D'EXCITATION. LA SATURATION DE LA PL, DETECTEE DANS UN REGIME DE FORTES INTENSITES D'EXCITATION, A ETE ATTRIBUEE A UNE INTENSIFICATION DE LA RECOMBINAISON AUGER. LA MEME EXPLICATION EST ENSUITE UTILISEE POUR JUSTIFIER LA DIMINUTION DU RENDEMENT DE LUMINESCENCE DANS UN REGIME DE FORTE INJECTION ELECTRIQUE
