ETUDE DE SOURCES INTEGREES LASERS-MODULATEURS POUR TRANSMISSION OPTIQUE A HAUT DEBIT PDF Download
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Author: DANIEL.. DELPRAT
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Languages : fr
Pages : 178
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Book Description
UNE SOURCE MONOLITHIQUE, DESTINEE AUX TRANSMISSIONS PAR FIBRE OPTIQUE A HAUT DEBIT (>10GBIT/S) DE TYPE WDM, A ETE CONCUE ET REALISEE. UN LASER DBR, DE LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION VARIABLE AUTOUR DE 1,55M EST INTEGRE AVEC UN MODULATEUR ELECTRO-ABSORBANT DE GRANDE BANDE PASSANTE. DEUX FILIERES TECHNOLOGIQUES ONT ETE EMPLOYEES POUR REALISER LE COMPOSANT : - LA TECHNIQUE D'EPITAXIE SELECTIVE DE MULTIPUITS QUANTIQUES DE TYPE INGAASP/INGAASP SUR INP A PERMIS DE FABRIQUER, EN UNE SEULE ETAPE, LA COUCHE ACTIVE DU COMPOSANT, AVEC 3 ENERGIES DE TRANSITION DIFFERENTES. L'ACCORDABILITE OBTENUE S'ELEVE A 6NM, ALORS QUE LE TAUX D'EXTINCTION DU MODULATEUR DEPASSE 10DB POUR UNE TENSION DE COMMANDE DE 2V. LA BANDE PASSANTE, DE L'ORDRE DE 15GHZ, POUR LES DIFFERENTS CANAUX DU LASER EST COMPATIBLE AVEC UN FONCTIONNEMENT ALLANT JUSQU'A 20GBIT/S. - UNE NOUVELLE APPROCHE, DITE DE LA STRUCTURE UNIQUE, A ETE UTILISEE POUR FABRIQUER LES 3 SECTIONS DIFFERENTES DU COMPOSANT DANS UNE MEME COUCHE ACTIVE A MULTIPUITS QUANTIQUES CONTRAINTS. LES PREMIERS RESULTATS DE CETTE ETUDE ORIGINALE MONTRENT UNE ACCORDABILITE DE 3,5NM AVEC UN TAUX D'EXTINCTION A -2V DE 10DB ET UNE BANDE PASSANTE SUPERIEURE A 20GHZ. UNE EXPERIMENTATION DE TRANSMISSION A ETE EFFECTUEE POUR LE PREMIERE FOIS AVEC DE TELS COMPOSANTS A 10GBIT/S. UNE PORTEE DE 75KM DE FIBRE DISPERSIVE A ETE ATTEINTE POUR 2 LONGUEURS D'ONDE DIFFERENTES DU LASER. EN PARALLELE, L'ELARGISSEMENT SPECTRAL (CHIRP) DE MONOLITHES LASERS DFB-MODULATEURS A ETE ETUDIE. LES CALCULS, BASES SUR LES RELATIONS DE KRAMERS-KRONIG, ET LES MESURES DU FACTEUR DE HENRY DES MODULATEURS SONT EN BON ACCORD. UNE TRANSMISSION, SUR 125KM DE FIBRE DISPERSIVE, SANS PENALITE, A PU ETRE REALISEE A 10GBIT/S, GRACE A UN FONCTIONNEMENT EN REGIME DE CHIRP NEGATIF OBTENU AVEC LES STRUCTURES A MULTIPUITS QUANTIQUES EMPLOYEES.
Author: DANIEL.. DELPRAT
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Pages : 178
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UNE SOURCE MONOLITHIQUE, DESTINEE AUX TRANSMISSIONS PAR FIBRE OPTIQUE A HAUT DEBIT (>10GBIT/S) DE TYPE WDM, A ETE CONCUE ET REALISEE. UN LASER DBR, DE LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION VARIABLE AUTOUR DE 1,55M EST INTEGRE AVEC UN MODULATEUR ELECTRO-ABSORBANT DE GRANDE BANDE PASSANTE. DEUX FILIERES TECHNOLOGIQUES ONT ETE EMPLOYEES POUR REALISER LE COMPOSANT : - LA TECHNIQUE D'EPITAXIE SELECTIVE DE MULTIPUITS QUANTIQUES DE TYPE INGAASP/INGAASP SUR INP A PERMIS DE FABRIQUER, EN UNE SEULE ETAPE, LA COUCHE ACTIVE DU COMPOSANT, AVEC 3 ENERGIES DE TRANSITION DIFFERENTES. L'ACCORDABILITE OBTENUE S'ELEVE A 6NM, ALORS QUE LE TAUX D'EXTINCTION DU MODULATEUR DEPASSE 10DB POUR UNE TENSION DE COMMANDE DE 2V. LA BANDE PASSANTE, DE L'ORDRE DE 15GHZ, POUR LES DIFFERENTS CANAUX DU LASER EST COMPATIBLE AVEC UN FONCTIONNEMENT ALLANT JUSQU'A 20GBIT/S. - UNE NOUVELLE APPROCHE, DITE DE LA STRUCTURE UNIQUE, A ETE UTILISEE POUR FABRIQUER LES 3 SECTIONS DIFFERENTES DU COMPOSANT DANS UNE MEME COUCHE ACTIVE A MULTIPUITS QUANTIQUES CONTRAINTS. LES PREMIERS RESULTATS DE CETTE ETUDE ORIGINALE MONTRENT UNE ACCORDABILITE DE 3,5NM AVEC UN TAUX D'EXTINCTION A -2V DE 10DB ET UNE BANDE PASSANTE SUPERIEURE A 20GHZ. UNE EXPERIMENTATION DE TRANSMISSION A ETE EFFECTUEE POUR LE PREMIERE FOIS AVEC DE TELS COMPOSANTS A 10GBIT/S. UNE PORTEE DE 75KM DE FIBRE DISPERSIVE A ETE ATTEINTE POUR 2 LONGUEURS D'ONDE DIFFERENTES DU LASER. EN PARALLELE, L'ELARGISSEMENT SPECTRAL (CHIRP) DE MONOLITHES LASERS DFB-MODULATEURS A ETE ETUDIE. LES CALCULS, BASES SUR LES RELATIONS DE KRAMERS-KRONIG, ET LES MESURES DU FACTEUR DE HENRY DES MODULATEURS SONT EN BON ACCORD. UNE TRANSMISSION, SUR 125KM DE FIBRE DISPERSIVE, SANS PENALITE, A PU ETRE REALISEE A 10GBIT/S, GRACE A UN FONCTIONNEMENT EN REGIME DE CHIRP NEGATIF OBTENU AVEC LES STRUCTURES A MULTIPUITS QUANTIQUES EMPLOYEES.
Author: Juan Petit-Ferrufino
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Languages : fr
Pages : 204
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Cette étude se situe au niveau de la couche physique d'un système de transmission optique terrestre de type réseau métropolitain. Il s'agit d'y intégrer un composant, le laser modulateur intégrés (Electroabsorption Modulated Laser ou EML) du III-V Lab Alcatel-Thales, un laboratoire industriel de composants optoélectroniques. Et ceci pour en diminuer la complexité par pré-distorsion apportée par la modulation du laser. Les distances de transmission étant limités par des phénomènes physiques intrinsèques aux fibres optiques, le but est de développer un schéma de fonctionnement des EML pouvant dépasser les limites fixées par la dispersion chromatique des fibres et ses effets non-linéaires, principe qui a été démontré avec un laser et un modulateur discret mais jamais avec un composant intégré. La technique est basée sur une pré-compensation de la dispersion chromatique en appliquant une modulation sur le laser de l'EML qui génère la porteuse optique préchirpée qui est ensuite modulée par le modulateur à électro-absorption, raison du nom donné à l'EML : Dual Electroabsorption Modulated Laser ou D-EML. C'est l'axe majeur de recherche car il met en évidence le principe de la compensation de dispersion permettant d'incrémenter les distances de transmission de 80 km à 160 km pour la première fois avec un composant monolithique. Une application Radio-sur-Fibre pour les réseaux d'accès a été explorée, elle est basée sur une modulation duale analogique, permettant l'extinction d'une raie de modulation optique générant ainsi un signal à bande latérale unique Single Side Band. Ce format permet de transporter des signaux I-Q très haut-débit sur des distances de plus de 100 km.
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Category : Telecommunication
Languages : en
Pages : 540
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Author: Alexis Lestra
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Languages : fr
Pages : 220
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LES LIAISONS OPTIQUES A UNE LONGUEUR D'ONDE DE 1,55 MICROMETRES NECESSITENT DES SOURCES A FAIBLE FLUCTUATIONS DE FREQUENCES. UN LASER DE TYPE DFB INTEGRE AVEC UN MODULATEUR EXTERNE A ELECTRO-ABSORPTION EST UN COMPOSANT-CLE POUR CES TRANSMISSIONS. LA SECTION LASER, UTILISEE EN CONTINU, DOIT CONSTITUER UNE SOURCE MONOMODE A FORTE PUISSANCE. LA MODULATION EXTERNE PEUT ETRE OBTENUE PAR EFFET STARK CONFINE AU MOYEN D'UN RUBAN HAUT DEBIT DE TYPE V-LOADED STRIPE OU RIDGE. LES DEUX SECTIONS SONT INTEGREES PAR COUPLAGE DIRECT ; UNE METHODOLOGIE EST MISE EN OEUVRE POUR ANALYSER LA QUALITE DE LA ZONE DE COUPLAGE. LES FLUCTUATIONS DE LONGUEURS D'ONDE, INDUITES PAR LA REALIMENTATION DU LASER, CONSTITUENT EGALEMENT UN POINT CRITIQUE QUI EST ETUDIE THEORIQUEMENT ET EXPERIMENTALEMENT.
Author: JEROME.. LANGANAY
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Languages : fr
Pages : 200
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LES SYSTEMES DE TRANSMISSION OPTIQUES ACTUELS S'ORIENTENT VERS DES DEBITS DE 2,5 A 10 GBIT/S. LA MISE EN UVRE DE NOUVELLES TECHNIQUES DE PROPAGATION UTILISANT LES IMPULSIONS SOLITONS OU LA CONVERSION DE MODULATION DE FREQUENCE PAR FIBRE DISPERSIVE (DST) S'AVERENT INTERESSANTES POUR LEUR REALISATION. BIEN QUE LARGEMENT EMPLOYEES POUR DE TELLES APPLICATIONS, LES DIODES LASERS DFB ET DBR NE PERMETTENT PAS D'OBTENIR LES PERFORMANCES ADEQUATES. L'ELABORATION D'UNE NOUVELLE SOURCE LASER COMPATIBLE AVEC CES TECHNIQUES DE TRANSMISSION FAIT L'OBJET DE CETTE THESE. L'ETUDE DE MODULATEURS ELECTRO-OPTIQUES, A L'AIDE D'UN MONTAGE EXPERIMENTAL ORIGINAL, MET EN EVIDENCE LES POSSIBILITES DE VARIATION D'ABSORPTION ET D'INDICE EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE ET DE LA LONGUEUR D'ONDE ; CES GRANDEURS ETANT PARTICULIEREMENT UTILES POUR LA CONCEPTION DE L'INTEGRATION MONOLITHIQUE DE CES MODULATEURS AVEC DES DIODES LASERS. LA MODELISATION DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES DE SOURCES LASERS ELECTRO-OPTIQUES INTEGREES SOULIGNE L'INTERET DE LEUR PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT PAR RAPPORT AUX SOURCES EXISTANTES. LES PERFORMANCES THEORIQUES OBTENUES POUR DIFFERENTS PARAMETRES GEOMETRIQUES, ELECTRIQUES ET MATERIAUX INDIQUENT LES LIMITATIONS ET LES OPTIMISATIONS POSSIBLES. LA REALISATION DES DISPOSITIFS UTILISE UN PROCEDE ORIGINAL DE COUPLAGE DIRECT ENTRE SECTIONS DE GAIN ET ELECTRO-OPTIQUES. LES PERFORMANCES EXPERIMENTALES, EN ACCORD AVEC LE MODELE, REVELENT LA QUALITE DE LA TECHNOLOGIE MISE EN UVRE ET CONFIRMENT LES POTENTIALITES NOUVELLES DE CE TYPE DE COMPOSANT POUR LES SYSTEMES DE TRANSMISSION. LES EFFETS SIMULTANES D'ELECTRO-ABSORPTION ET D'ELECTRO-REFRACTION SONT NOTAMMENT RESPONSABLES DU COMPORTEMENT PARABOLIQUE DE LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE APPLIQUE A LA SECTION DE PHASE ET DES PROPRIETES DYNAMIQUES QUI S'ENSUIVENT. EN PARTICULIER, UN POINT DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL PAR RAPPORT A LA VARIATION DE LA FREQUENCE OPTIQUE EST IDENTIFIE. LES POSSIBILITES DE COMPENSATION DU CHIRP PAR MODULATION SIMULTANEE DES SECTIONS DE GAIN ET DE PHASE EN RESULTANT SONT ILLUSTREES PAR LA GENERATION D'IMPULSIONS SOLITONS EFFECTUEE A 5 GHZ
![Conception, fabrication et analyse d'une source intégrée laser-modulateur électro-absorbant à ondes progressives pour des transmissions optiques à haut debit à 1.55 [micro]m sur InP PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/WsEf0AEACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Pascal Pecci
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Languages : fr
Pages : 0
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L'ere d'une societe de communication basee sur les nouvelles technologies est en marche : internet, revolution numerique pour repondre a ce besoin de transmettre toujours plus d'informations, la solution actuellement est d'avoir recours aux transmissions sur fibre optique qui sont capables de vehiculer de hauts debits. En amont de la fibre se situent differents composants photoniques, dont un permettant de coder le signal : le modulateur. Cette these etudie une nouvelle source sur inp constituee d'un laser emettant a 1.55 m integree a un modulateur a ondes progressives. Sa particularite est d'avoir, theoriquement, des bandes-passantes superieures a 40 ghz, d'ou le nom de haut debit, ainsi que des tensions de commande inferieures a 2 v p p. Dans un premier temps, un historique des telecommunications permet de situer la these dans son contexte.
Author: NABIL.. SOULI
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Languages : fr
Pages : 154
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UNE SOURCE MONOLITHIQUE A ETE CONCUE ET REALISEE POUR LA GENERATION ET LE CODAGE D'IMPULSIONS SOLITONS A HAUT DEBIT POUR LA FENETRE 1.5 MICRONS DES FIBRES OPTIQUES. CELLE-CI EST CONSTITUEE D'UN LASER MONOFREQUENCE (DFB), D'UN TANDEM DE MODULATEURS A ELECTRO-ABSORPTION, ET D'UN AMPLIFICATEUR OPTIQUE INTEGRES SUR UN SUBSTRAT EN INP. CETTE INTEGRATION REPOSE SUR UNE METHODE INNOVANTE, UTILISANT LA MEME COUCHE ACTIVE A MULTI-PUITS QUANTIQUES EN INGAASP/INGAASP POUR LES QUATRE FONCTIONS OPTIQUES. UNE PREMIERE REALISATION A VALIDE LE MODULE TANDEM INTEGRANT DEUX MODULATEURS SEPARES PAR UN AMPLIFICATEUR, COMME SOURCE A SOLITONS. LES PERTES FIBRE A FIBRE DE CE COMPOSANT SONT DE SEULEMENT 9 DB, GRACE AU GAIN QUE PROCURE L'AMPLIFICATEUR INTEGRE. LE TAUX D'EXTINCTION DE CHAQUE MODULATEUR EST SUPERIEUR A 10 DB PAR VOLT APPLIQUE. CE COMPOSANT A ETE TESTE COMME SOURCE A UN DEBIT RECORD DE 20 GBIT/S. DANS UNE DEUXIEME PHASE, ET TOUJOURS SELON LA MEME APPROCHE TECHNOLOGIQUE, NOUS AVONS INTEGRE LE LASER AVEC LE TANDEM DE MODULATEURS A ELECTRO-ABSORPTION. LE DIAGRAMME DE L'IL A 10 GBIT/S OBTENU SUR LE LASER-TANDEM EST PARFAITEMENT OUVERT, AVEC UNE PUISSANCE CRETE DES IMPULSIONS (COUPLEES DANS LA FIBRE) DE 0.8 MW. LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DE CE COMPOSANT SONT COMPATIBLES AVEC UN FONCTIONNEMENT A 20 GBIT/S. PARALLELEMENT, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODOLOGIE PERMETTANT DE QUALIFIER UN MODULATEUR ELECTRO-ABSORBANT UTILISE COMME SOURCE A IMPULSIONS SOLITONS. LES IMPULSIONS GENEREES A PARTIR D'UN COMPOSANT TEST ONT ETE CARACTERISEES DANS LE PLAN TEMPOREL ET FREQUENTIEL. NOTRE ETUDE A NOTAMMENT MIS EN EVIDENCE LA TRES FORTE MODULATION DE PHASE QUI PEUT, SELON LES CONDITIONS OPERATOIRES DU MODULATEUR, ACCOMPAGNER LA GENERATION DE CE TYPE D'IMPULSION. NOUS AVONS ENSUITE SIMULE LA PROPAGATION DE CES IMPULSIONS DANS UN SYSTEME SOLITON AFIN DE COMPARER LEURS PERFORMANCES EN TRANSMISSION. CETTE ANALYSE NOUS A PERMIS DE DESSINER UN ABAQUE DES TENSIONS DE COMMANDES OPTIMALES A APPLIQUER AU MODULATEUR TESTE EN VUE D'UNE UTILISATION COMME SOURCE A SOLITONS
Author: Thomas Anfray
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Languages : fr
Pages : 186
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Book Description
Le réseau d’accès constitue le dernier segment de réseau permettant d’acheminer les informations jusqu’aux utilisateurs. L’émergence de nouveaux services toujours plus gourmands en bande passante, notamment les services vidéo et les services de partage de fichiers multimédias, créée un besoin chez les clients qui contraint les opérateurs à augmenter la capacité, c’est-à-dire le débit, de tous les segments du réseau, y compris le réseau d’accès. Les solutions utilisant la fibre optique tendent à remplacer progressivement les liai-sons basées sur la paire cuivrée ou le câble coaxial afin de garantir des capacités de transfert plus importantes. La fibre optique est un medium très attractif car son atténuation linéique est très faible et sa bande passante est importante. Cependant la dispersion chromatique de la fibre associée au chirp des sources optiques limite la montée en débit dans les futurs réseaux d’accès optiques (débits au-delà de 10 Gb/s) NG-PON (Next Genera-tion Passive Optical Network). En effet, la combinaison de ces deux phénomènes provoque un élargissement temporel des impulsions lumineuses portant l’information conduisant à des interférences entre symboles et donc à des erreurs en réception. Dans ce travail de thèse nous avons évalué les performances d’une nouvelle source optique, le D-EML (Dual Electroabsorption Modulated Laser), pour la montée en débit de 10 Gb/s à 40 Gb/s dans le réseau d’accès. Le D-EML est le résultat de l’intégration monolithique d’un laser DFB et d’un modulateur EA. La particularité de cette source est de posséder deux accès de modulation indépendant pour le laser et le modulateur. Le laser est conçu pour jouer le rôle de modulateur de fréquence optique tandis que le modulateur assure la modulation de l’intensité optique. Avec une telle source il est possible de générer un signal OSSB (Optical Single Side Band) moins pénalisé par la dispersion chromatique que les signaux ODSB (Optical Double Side Band) traditionnels. Dans ce manuscrit nous avons pu démontrer par des simulations système que le D-EML était capable d’augmenter les distances maximales de transmission, au-delà de la limite imposée par la dispersion chromatique pour les signaux ODSB classiques, et ceci pour les formats de modulation OOK-NRZ (On-Off Keying-Non-Return to Zero) et OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplexing).
Author: Bertrand Charlet
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Languages : fr
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Book Description
Le développement des sources supercontinuum a engendré des avancées majeures dans de nombreux domaines tels que la spectroscopie, la métrologie ou encore la biologie avec la tomographie optique cohérente. Récemment, l'arrivée des fibres à cristaux photoniques (FCPs) a permis la fabrication de telles sources avec des lasers impulsionnels de pompe moins puissants. Ainsi, de par leur compatibilité avec les fibres optiques, les lasers impulsionnels réalisés en optique intégrée sur verre semblent une alternative intéressante pour la réalisation d'une source supercontinuum intégrée. Notre travail a donc eu pour objectif l'étude et la réalisation d'un laser impulsionnel déclenché par modulation passive des pertes assez puissant et compatible avec les fibres à cristaux photoniques dans le but de générer un supercontinuum. Nous avons alors conçu et fabriqué ce laser constitué d'un guide d'onde amplificateur réalisé par échange d'ions dans un verre dopé au néodyme et d'une cavité Fabry-Perot fermée par un miroir diélectrique en entrée et sans miroir de sortie ce qui permet un couplage direct avec une fibre optique. L'hybridation de l'absorbant saturable sous la forme d'une couche mince d'acétate de cellulose dopée au BDN sur le guide d'onde a permis la génération d'impulsions ayant une puissance crête de (2,8 ± 0,6) kW. La source supercontinuum réalisé avec une FCP pompée par le laser préalablement étudié présente un spectre allant de 440 nm à 1600 nm. Les perspectives de cette étude portent sur le changement de matériau absorbant saturable pour permettre l'émission d'impulsions plus puissantes, ainsi que sur l'intégration monolithique de la FCP pour réaliser un dispositif encore plus compact. Elles portent aussi sur la réalisation de lasers intégrés à modes bloqués utilisant cette technologie. Nous avons démontré sa faisabilité ainsi que son régime de fonctionnement en soliton dissipatif. Des caractérisations préliminaires ont également été effectuées.
Author: Claire Besancon
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Languages : fr
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Book Description
Ce travail présente une approche d'intégration de semiconducteurs III-V sur silicium. L'objectif est de réaliser des sources laser multi-longueur d'onde émettant en bande C pour les télécommunications optiques à partir d'une croissance épaisse de matériaux III-V sur fine couche d'InP collée sur silicium oxydé (InP-SiO2/Si = InPoSi).Afin d'étudier la compatibilité du procédé de collage avec l'élévation en température nécessaire à l'étape de recroissance, de l'ordre de 600°C par MOVPE, une étude de la stabilité en température des substrats InPoSi a été menée. Cette dernière a mis en évidence le délaminage de l'InPoSi avec apparition de "bulles" liée au décollement de la couche d'InP provoqué par la désorption d'hydrogène à 400°C. Une étude de la diffusion latérale de l'hydrogène le long de l'interface de collage a permis de mesurer une longueur de diffusion de l'ordre de 100 μm dans nos conditions expérimentales. Le développement de tranchées de dégazage espacées de 200 μm a ainsi permis d'effectuer la recroissance de matériaux III-V de haute qualité sur InPoSi sans apparition de défectivité de type "bulles" entre ces tranchées.Par la suite, l'amélioration constante des étapes de préparation des surfaces à coller a permis d'obtenir une qualité de matériau InPoSi optimale pour la recroissance à haute température sans faire appel à des procédés de dégazage. L'étude d'une structure active composée de multipuits quantiques (MQWs) à base de matériaux AlGaInAs a été menée par caractérisation in-situ pendant la croissance sur InPoSi. Par la mesure en temps réel de la courbure du substrat InPoSi à température d'épitaxie, une contrainte thermique de 390 ppm a été quantifiée. Cette dernière est créée par la différence de coefficients d'expansion thermique entre InP et Si. Malgré cette contrainte thermique, la recroissance d'une structure diode laser de 3 μm d'épaisseur de grande qualité cristalline a été démontrée sur InPoSi. Des lasers à contact large basée sur cette structure ont été fabriqués et les performances ont été comparées à celles obtenues pour le même composant fabriqué sur substrat InP pour référence. Des courants de seuil de 0,4 kA/cm2 à 20°C en régime pulsé ont été obtenus sur InPoSi. La comparaison des lasers sur InPoSi et InP a montré des courants de seuil, des rendements et une température caractéristique similaires. Ce résultat démontre que la structure épaisse épitaxiée sur InPoSi ne subit pas de dégradation matériau.Enfin, un nouveau procédé de croissance sélective (SAG : Selective Area Growth) a été développé spécifiquement sur InPoSi. Pour cela, la silice de l'InPoSi est déterrée localement par gravure de la couche d'InP afin d'offrir des surfaces diélectriques de tailles variables pour le procédé SAG. La variation des épaisseurs des puits quantiques obtenus par épitaxie sélective en fonction de la surface des masques permet d'atteindre une très large extension en longueur d'onde de photoluminescence, de 1490 à 1650 nm. En utilisant la SAG, des lasers Fabry-Pérot ont été fabriqués en structure shallow-ridge et des émissions laser couvrant 155 nm d'extension spectrale ont été obtenues. Pour une barrette de 500 μm de long, des courants de seuil en dessous de 30 mA à 20°C ont été obtenus en régime continu pour les lasers en bande C. A 70°C, les courants de seuil demeurent en dessous de 60 mA, ce qui traduit une très bonne tenue en température des lasers. L'ensemble de ces résultats valide la méthode d'intégration de III-V sur silicium.
