Étude de la modification, contrôlée par grille isolée, de la vitesse de recombinaison en surface des transistors bipolaires, après avalanche de la jonction base-émetteur PDF Download
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Author: Jean-Paul Dom
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 197
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Book Description
ETUDE DE L'EVOLUTION DES PHENOMENES DE SURFACE QUI APPARAISSENT DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE DE CONTROLE APRES CONTRAINTE D'AVALANCHE. RAPPEL DES PHENOMENES DE SURFACE ET IMPORTANCE DE L'INTERFACE SI-SIO::(2). ETUDE DE L'EVOLUTION DES CARACTERISTIQUES DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE DE CONTROLE LORSQUE CES COMPOSANTS SONT SOUMIS A UNE CONTRAINTE PAR AVALANCHE DE LA JONCTION BASE-EMETTEUR. MODELE DE LA DEGRADATION RESULTANTE DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET DE SON CONTROLE PAR LE POTENTIEL DE GRILLE. APPLICABILITE DE CE PHENOMENE REVERSIBLE DE "DEGRADATION-RESTAURATION" DU GAIN DE CE TYPE DE COMPOSANT A LA REALISATION DE CELLULES MEMOIRES NON VOLATILES, REPROGRAMMABLES ELECTRIQUEMENT
Author: Jean-Paul Dom
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Category :
Languages : fr
Pages : 197
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Book Description
ETUDE DE L'EVOLUTION DES PHENOMENES DE SURFACE QUI APPARAISSENT DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE DE CONTROLE APRES CONTRAINTE D'AVALANCHE. RAPPEL DES PHENOMENES DE SURFACE ET IMPORTANCE DE L'INTERFACE SI-SIO::(2). ETUDE DE L'EVOLUTION DES CARACTERISTIQUES DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE DE CONTROLE LORSQUE CES COMPOSANTS SONT SOUMIS A UNE CONTRAINTE PAR AVALANCHE DE LA JONCTION BASE-EMETTEUR. MODELE DE LA DEGRADATION RESULTANTE DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET DE SON CONTROLE PAR LE POTENTIEL DE GRILLE. APPLICABILITE DE CE PHENOMENE REVERSIBLE DE "DEGRADATION-RESTAURATION" DU GAIN DE CE TYPE DE COMPOSANT A LA REALISATION DE CELLULES MEMOIRES NON VOLATILES, REPROGRAMMABLES ELECTRIQUEMENT
Author: Gae͏̈lle Giroult-Matlakowski
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 330
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Book Description
CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE DE L'ETUDE D'UN COMPOSANT BIPOLAIRE COMPATIBLE AVEC LA TECHNOLOGIE CMOS DU CENTRE NATIONAL D'ETUDE DES TELECOMMUNICATIONS DE MEYLAN. APRES AVOIR RAPPELE L'INTERET DE POUVOIR MIXER DES COMPOSANTS BIPOLAIRES ET CMOS SUR UNE MEME PUCE, ET DONNE UNE VUE GENERALE DES TECHNOLOGIES BICMOS DEVELOPPEES DANS LES PRINCIPALES FONDERIES DU MONDE, NOUS DECRIVONS LA STRUCTURE DE NOTRE DISPOSITIF BIPOLAIRE AUTOALIGNE A EMETTEUR GRAVE, DERIVEE DE CELLE DU TRANSISTOR PMOS, ET SON PROCEDE DE FABRICATION. DANS UN PREMIER TEMPS, L'ETUDE PORTE SUR L'ORIGINE DU DYSFONCTIONNEMENT A FAIBLE INJECTION DES TRANSISTORS REALISES EN TECHNOLOGIE POLYSILICIUM SILICIURE TUNGSTENE. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES RESPONSABLES DES COURANTS DE FUITE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE CONDUIRA A L'OPTIMISATION DU PROCEDE DE FABRICATION DES TRANSISTORS EN TECHNOLOGIE POLYSILICIUM, PUIS A TERME AVEC SILICIURATION TITANE AUTOALIGNEE. LES MECANISMES PHYSIQUES CONTROLANT LES PERFORMANCES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE AUX PETITES DIMENSIONS SONT ALORS DISCUTES: LES ROLES DE LA SURGRAVURE DE L'EMETTEUR, DE LA PHASE DE REOXYDATION DE CELUI-CI AVANT LA FORMATION DES ESPACEURS, ET LE ROLE DE L'IMPLANTATION DE BASE EXTRINSEQUE FAIBLEMENT DOPEE SONT ANALYSES DE FACON COMPLETE ET NOUS DONNONS LES CONDITIONS D'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. LE ROLE DE L'INTERFACE POLYSILICIUM/SILICIUM EST EXPERIMENTALEMENT MIS EN EVIDENCE ET DECRIT THEORIQUEMENT. NOUS EN DEDUISONS LA VALEUR DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON EFFECTIVE, RELIEE A LA NATURE PHYSIQUE DE CETTE INTERFACE
Author: Nezha Toufik
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 224
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Book Description
L'étude proposée consiste à préciser les processus de dégradation de transistors bipolaires soumis à une contrainte électrique par polarisation inverse, en régime d'avalanche, de la jonction émetteur-base. La finalité est de déterminer les conditions de stabilité de l'émission lumineuse de la jonction afin d'envisager des applications optoélectroniques du composant au silicium. La méthode de caractérisation utilisée consiste à déterminer, au cours du temps et en fonction de la contrainte, l'évolution des paramètres de la jonction (courant inverse de recombinaison, facteur d'idéalité et résistance série) obtenus à partir de la description des caractéristiques courant-tension avec des modèles à deux exponentielles. Les processus de dégradation ainsi que leurs effets aussi bien sur la structure du composant que sur les phénomènes de transport des porteurs ont été précisés. L'analyse des résultats a montré qu'il y a existence de deux périodes de dégradation de paramètres durant le stress électrique, caractérisées par deux taux différents. L'origine de ces périodes a été liée aux phénomènes de libération et de mobilité d'ions hydrogène à l'interface de la jonction émetteur-base et à la modification locale de la structure cristalline. Il est souligné que ces périodes correspondent aux deux phases d'émission lumineuse, d'abord tout le long de la jonction et ensuite en des points très localisés
