ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE. APPLICATION A LA CARACTERISATION DE SILICIUM POREUX PDF Download
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Author: ABDELJALIL.. YASSFY
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Languages : fr
Pages : 131
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Book Description
L'ELLIPSOMETRIE EST UNE METHODE OPTIQUE, NON DESTRUCTIVE DE CARACTERISATION DE MATERIAUX. ELLE EST UTILISABLE DANS LE CAS D'HETEROSTRUCTURES OBTENUES SUR DES SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS, MAIS NECESSITE UNE MODELISATION. LA VARIATION DES PARAMETRES INTRODUITS DANS LE MODELE, JUSQU'A MINIMISATION D'UNE FONCTION D'ERREUR COMPARANT CE MODELE AUX MESURES REALISEES, CONDUIT A LA CONNAISSANCE DES CONSTANTES DIELECTRIQUES ET DES EPAISSEURS DES DIVERSES COUCHES. NOUS AVONS CHOISI DE METTRE AU POINT UN MINIMISEUR B.F.G.S. AVEC CONTRAINTES PERMETTANT DE LIMITER LA VARIATION DES PARAMETRES DANS DES DOMAINES PHYSIQUEMENT ACCEPTABLES, ET DE CALCULER A L'AIDE D'UN ALGORITHME BASE SUR LA METHODE DE L'ADJOINT LE GRADIENT DE LA FONCTION A COEFFICIENTS COMPLEXES A MINIMISER. LE PROGRAMME INFORMATIQUE EST TESTE SUR DES MODELES SIMULES DE MATERIAUX III-V, SUBSTRAT INP OU PUITS QUANTIQUES INP/INAS/INP. NOUS AVONS UTILISE UN ELLIPSOMETRE SPECTROSCOPIQUE A ANALYSEUR TOURNANT POUR CARACTERISER DES ECHANTILLONS DE SILICIUM POREUX OBTENUS SUR SUBSTRATS DOPES P ET P+. NOS RESULTATS METTENT EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE COUCHE TAPISSANT LES PAROIS DES PORES SUR TOUTE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE, DANS LE CAS DES SUBSTRATS P. ILS ONT EGALEMENT CONFIRME L'ACTION UNIQUEMENT SUPERFICIELLE D'UN BOMBARDEMENT A L'ARGON SOUS ULTRA-VIDE, ET LA REDUCTION DU SQUELETTE DE SILICIUM CONSECUTIVE AU VIEILLISSEMENT, SURTOUT DANS LE CAS DU SUBSTRAT P
Author: ABDELJALIL.. YASSFY
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Languages : fr
Pages : 131
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L'ELLIPSOMETRIE EST UNE METHODE OPTIQUE, NON DESTRUCTIVE DE CARACTERISATION DE MATERIAUX. ELLE EST UTILISABLE DANS LE CAS D'HETEROSTRUCTURES OBTENUES SUR DES SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS, MAIS NECESSITE UNE MODELISATION. LA VARIATION DES PARAMETRES INTRODUITS DANS LE MODELE, JUSQU'A MINIMISATION D'UNE FONCTION D'ERREUR COMPARANT CE MODELE AUX MESURES REALISEES, CONDUIT A LA CONNAISSANCE DES CONSTANTES DIELECTRIQUES ET DES EPAISSEURS DES DIVERSES COUCHES. NOUS AVONS CHOISI DE METTRE AU POINT UN MINIMISEUR B.F.G.S. AVEC CONTRAINTES PERMETTANT DE LIMITER LA VARIATION DES PARAMETRES DANS DES DOMAINES PHYSIQUEMENT ACCEPTABLES, ET DE CALCULER A L'AIDE D'UN ALGORITHME BASE SUR LA METHODE DE L'ADJOINT LE GRADIENT DE LA FONCTION A COEFFICIENTS COMPLEXES A MINIMISER. LE PROGRAMME INFORMATIQUE EST TESTE SUR DES MODELES SIMULES DE MATERIAUX III-V, SUBSTRAT INP OU PUITS QUANTIQUES INP/INAS/INP. NOUS AVONS UTILISE UN ELLIPSOMETRE SPECTROSCOPIQUE A ANALYSEUR TOURNANT POUR CARACTERISER DES ECHANTILLONS DE SILICIUM POREUX OBTENUS SUR SUBSTRATS DOPES P ET P+. NOS RESULTATS METTENT EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE COUCHE TAPISSANT LES PAROIS DES PORES SUR TOUTE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE, DANS LE CAS DES SUBSTRATS P. ILS ONT EGALEMENT CONFIRME L'ACTION UNIQUEMENT SUPERFICIELLE D'UN BOMBARDEMENT A L'ARGON SOUS ULTRA-VIDE, ET LA REDUCTION DU SQUELETTE DE SILICIUM CONSECUTIVE AU VIEILLISSEMENT, SURTOUT DANS LE CAS DU SUBSTRAT P
Author: MICHEL.. LUTTMANN
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Languages : fr
Pages : 244
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CE TRAVAIL APPORTE UNE CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION DES COUCHES MINCES PAR ELLIPSOMERIE SPECTROSCOPIQUE A ANGLE VARIABLE. NOUS PRESENTONS LES DIFFERENTES MODIFICATIONS APPORTEES A L'ELLIPSOMETRE D'ORIGINE ET DECRIVONS LES PROCEDURES D'ETALONNAGE UTILISEES. LA REDUCTION DES ERREURS SYSTEMATIQUES ET ALEATOIRES EST EGALEMENT TRAITEE. UNE ETUDE ORIGINALE A ETE MENEE SUR LES DERIVEES PARTIELLES DES ANGLES ELLIPSOMETRIQUES PSI ET DELTA PAR RAPPORT AUX DIFFERENTS PARAMETRES DE L'ECHANTILLON (EPAISSEURS, INDICES, ANGLE D'INCIDENCE). CELLE-CI NOUS A CONDUIT A INTRODUIRE LE CONCEPT DE SENSIBILITE INTEGRALE RELATIVE (SIR) QUI S'EST AVERE TRES UTILE POUR LOCALISER LES ZONES ANGULAIRES LES PLUS INTERESSANTES ET POUR COMPARER ENTRE ELLES LES SENSIBILITES DE LA MESURE ELLIPSOMETRIQUE AUX DIVERS PARAMETRES DE L'ECHANTILLON. L'INTERET DE MESURES SPECTROSCOPIQUES A PLUSIEURS ANGLES D'INCIDENCE EST DISCUTE. DEUX APPLICATIONS PRINCIPALES ONT ETE TRAITEES DANS CE MEMOIRE: LA PREMIERE CONCERNE LA MESURE DES INDICES DE SEMI-CONDUCTEURS II-VI A GRANDS GAPS. L'ETUDE REALISEE PORTE SUR DES SUBSTRATS MASSIFS DE CDMNTE ET SUR DES COUCHES EPITAXIEES DE CDMGTE. UNE LOI D'INDICE PERMETTANT DE DECRIRE LE COMPORTEMENT DE LA FONCTION DIELECTRIQUE DU CDMGTE SUR L'ENSEMBLE DU DOMAINE SPECTRAL EST PROPOSEE. DANS LA ZONE TRANSPARENTE, DEUX LOIS DE SELLMEIER DONNANT LES INDICES DU CDMNTE ET DU CDMGTE POUR TOUTE CONCENTRATION DE MANGANESE OU DE MAGNESIUM, ONT ETE ETABLIES. LA SECONDE PORTE SUR LA CARACTERISATION DE COUCHES A GRADIENT D'INDICE. UNE METHODE PERMETTANT D'ANALYSER DES COUCHES DE PROFIL D'INDICE A PRIORI QUELCONQUE EST PROPOSEE. ELLE A ETE VALIDEE SUR DES COUCHES INHOMOGENES DE GAALAS ET D'OXY-NITRURE DE SILICIUM. L'ELLIPSOMETRIE S'EST REVELEE ETRE UNE TECHNIQUE BIEN ADAPTEE A CE TYPE DE CARACTERISATION PUISQUE DES PROFILS POLYNOMIAUX DU QUATRIEME DEGRE ONT PU ETRE MIS EN EVIDENCE SUR DES COUCHES D'OXY-NITRURE DE SILICIUM A FORT GRADIENT D'INDICE
Author: MURIEL.. FIRON
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Languages : fr
Pages : 176
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LES ISOLANTS (SIO#2, SI#3N#4) SONT UTILISES SOIT POUR PASSIVER LA SURFACE DES SEMI-CONDUCTEURS, SOIT POUR ISOLER ELECTRIQUEMENT LES CONDUCTEURS. L'ASSOCIATION DE SIO#2 ET SI#3N#4 PERMET D'OBTENIR UN BON ISOLANT DONT LES CONTRAINTES MECANIQUES SONT FAIBLES: L'OXYNITRURE DE SILICIUM (SIO#XN#Y). LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DE CES FILMS, DEPOSES PAR PLASMA (PECVD), DEPENDENT ESSENTIELLEMENT DE LEUR COMPOSITION CHIMIQUE. AFIN DE LA DETERMINER, NOUS AVONS UTILISE PLUSIEURS TECHNIQUES SPECTROSCOPIQUES. LA DETERMINATION DE LA COMPOSITION CHIMIQUE PAR XPS NECESSITE D'ELIMINER LA CONTAMINATION SUPERFICIELLE DES FILMS PAR EROSION IONIQUE A L'ARGON. CETTE METHODE EST DESTRUCTIVE ET PERTURBE LA MESURE DE LA COMPOSITION CHIMIQUE. L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VIS. PERMET UNE ANALYSE NON DESTRUCTIVE DE LA TOTALITE DU FILM. LA COMPOSITION CHIMIQUE DES OXYNITRURES DE SILICIUM EST CALCULEE A L'AIDE DU MODELE DE BRUGGEMAN. LE RESULTAT DE CETTE MESURE N'EST QU'UNE ESTIMATION. DANS CE MODELE, L'OXYNITRURE DE SILICIUM EST CONSIDERE COMME UN MELANGE DE DEUX PHASES DISTINCTES (SIO#2 ET SI#3N#4), CEPENDANT LES RESULTATS ELLIPSOMETRIQUES SONT REPRODUCTIBLES. LES RESULTATS DE CES DEUX TYPES DE MESURES SONT SOUS ESTIMES PAR RAPPORT A CEUX DE L'ANALYSE PAR REACTION NUCLEAIRE. NOUS AVONS MONTRE QUE L'ANALYSE QUANTITATIVE ET L'ARRANGEMENT ATOMIQUE PEUVENT ETRE DEDUITS DES SPECTRES INFRAROUGES EN TRANSMISSION (FILMS MINCES) ET EN REFLEXION POLARISEE (FILMS ULTRAMINCES), POURVU QUE L'ON DISPOSE D'UN MODELE APPROPRIE. DANS LE CAS DU FILM DE SIO#XN#Y PUR, IL EXISTE DES MODELES QUI PERMETTENT DE DECRIRE DE MANIERE SATISFAISANTE LA REPARTITION DES ATOMES DANS LES MATERIAUX ET PEUVENT ETRE UTILISES POUR DEDUIRE LA COMPOSITION CHIMIQUE, A PARTIR DE LA POSITION DES BANDES DE VIBRATION. EN PRATIQUE, DE L'HYDROGEENE EST LE PLUS SOUVENT PRESENT DANS LES FILMS D'OXYNITRURE DE SILICIUM. IL EST EN EFFET DIFFICILE DE S'AFFRANCHIR DE SA PRESENCE. IL N'EXISTE ACTUELLEMENT AUCUN MODELE QUI PRENNE EN COMPTE LA PRESENCE D'HYDROGENE ; NOUS AVONS SUGGERE LES MODIFICATIONS QU'IL FAUT APPORTER AU MODELE EXISTANT POUR EN TENIR COMPTE
Author: Christine Robert-Pierrisnard
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Languages : fr
Pages : 202
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DURANT CES DERNIERES ANNEES, LE DEVELOPPEMENT DES COMPOSES III-V TELS QUE L'ARSENIURE DE GALLIUM OU LE PHOSPHURE D'INDIUM FUT SPECTACULAIRE. CES COMPOSES SONT TRES INTERESSANTS POUR LES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES. OR LES CARACTERISTIQUES DE CES MATERIAUX ET DES COMPOSANTS REALISES SONT TRES SENSIBLES A LEUR ETAT DE SURFACE ET D'INTERFACE. IL EST DEVENU ESSENTIEL DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATIONS DES STRUCTURES POUR MAITRISER AU MIEUX LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS REALISES. PLUS RECEMMENT, UN NOUVEAU MATERIAU LE SILICIUM POREUX EST APPARU COMME ETANT TRES PROMETTEUR DANS LE DOMAINE DE L'OPTOELECTRONIQUE. CELUI-CI A FAIT RECEMMENT L'OBJET DE NOMBREUSES RECHERCHES COMPTE TENU DE SES PROPRIETES LUMINESCENTES DONT L'ORIGINE EST ENCORE DISCUTEE. CES PROPRIETES SEMBLENT DEPENDRE BEAUCOUP DES ETATS DE SURFACE ET D'INTERFACE. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DE LA SURFACE ET DE LA CONCENTRATION EN HYDROGENE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POREUX. LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS RETRODIFFUSES ELASTIQUEMENT (EPES) S'EST AVEREE TRES PERFORMANTE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE CALCULER LE COEFFICIENT DE REFLEXION ELASTIQUE POUR DIFFERENTES POROSITES. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UN CHANGEMENT DE MORPHOLOGIE DES COUCHES POREUSES LORS DE L'AUGMENTATION DE LA POROSITE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL ENTRE DANS LE CADRE DES ETUDES CONSACREES A LA REALISATION DE STRUCTURES MIS (METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR). NOUS NOUS SOMMES ATTACHEES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DE L'INTERFACE ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR. AFIN DE REALISER DE TELLES STRUCTURES, NOUS AVONS PROCEDE DANS UN PREMIER TEMPS A LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'ALUMINE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM (100). EN EFFET, UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET UN CONTROLE DES PARAMETRES D'ELABORATION DE L'ISOLANT SONT EXIGES POUR ABOUTIR A L'AMELIORATION PROGRESSIVE DE LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES. DANS UN SECOND TEMPS DES DEPOTS D'ALUMINE ONT ETE REALISES SUR DES SUBSTRATS DE PHOSPHURE D'INDIUM (100). EN NOUS APPUYANT SUR DES TRAVAUX ANTERIEURS FAITS AU LABORATOIRE LASMEA SUR LA STABILISATION DES SURFACES D'INP(100) PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, NOUS AVONS EFFECTUE DES ETUDES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES DU TYPE HG/AL#2O#3/INP ET HG/AL#2O#3/INSB/INP. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, L'AMELIORATION SENSIBLE DE LA QUALITE DE L'ISOLANT LORS D'UNE RESTRUCTURATION DE LA SURFACE D'INP PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, UNE REDUCTION DE LA MIGRATION DES ELEMENTS DU SEMI-CONDUCTEUR ETANT OBSERVEE. NOUS AVONS PU CORRELER L'HISTORIQUE DE LA FORMATION DES STRUCTURES A LA MESURE ELECTRIQUE FINALE, CE QUI EST PARTICULIEREMENT IMPORTANT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES SE PRODUISANT AUX INTERFACES
Author: Yann MONIN
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 108
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Author: Keltoume Belalia
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Languages : fr
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Author: Marie Dominique BRUNI
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 156
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Author: MICHEL.. STCHAKOVSKY
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
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L'ELLIPSOMETRIE EST UNE METHODE DE CARACTERISATION OPTIQUE TRES REPANDUE. CE TRAVAIL RELATE LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'UN NOUVEL ELLIPSOMETRE A MODULATION DE PHASE FONCTIONNANT DANS LE DOMAINE SPECTRAL UV-VISIBLE. IL S'AGIT DU PROTOTYPE DE L'APPAREIL COMMERCIAL UVISEL DE LA SOCIETE JOBIN-YVON. CET ELLIPSOMETRE AUTOMATIQUE COMBINE LA MODULATION HAUTE FREQUENCE PRODUITE PAR UN MODULATEUR PHOTOELASTIQUE A UN TRAITEMENT NUMERIQUE DU SIGNAL PERFORMANT, BASE SUR L'UTILISATION DU MICROPROCESSEUR DSP56001. SON CARACTERE MODULAIRE ET COMPACT EST PARTICULIEREMENT BIEN ADAPTE A LA CARACTERISATION IN SITU DE COUCHES MINCES. L'ELLIPSOMETRE A ETE COUPLE A UN REACTEUR DE DEPOT DE COUCHES MINCES PAR PLASMA RADIOFREQUENCE. DEUX ETUDES PAR ELLIPSOMETRIE SONT APPLIQUEES A: A) LA FORMATION DE SILICIURES DE PALLADIUM, B) LES INTERFACES ENTRE LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) ET LE NITRURE DE SILICIUM (A-SIN#X)
Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Jean-Philippe Piel
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 247
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ON CARACTERISE A L'AIDE DE DEUX TECHNIQUES PLUSIEURS TYPES DE DEPOTS D'ISOLANTS (SIO::(2) ET SI::(3)N::(4)) SUR INP SUSCEPTIBLES DE L'INTEGRER DANS LA TECHNOLOGIE DU TRANSISTOR A EFFET CHAMP A GRILLE ISOLEE. ON EVALUE, PAR LA MESURE DE L'ADMITTANCE DES STRUCTURES MIS, LE PROFIL DE DENSITE D'ETATS D'INTERFACE PAR LA METHODE DE LA CONDUCTANCE DE NICOLLIAN ET GOETZBERGER. LA SECONDE METHODE, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE CONSISTE A ETUDIER LA REPONSE OPTIQUE DE LA STRUCTURE ISOLANT-SEMICONDUCTEUR SOUMIS A UN FAISCEAU LUMINEUX POLARISE RECTILIGNEMENT. ON DECRIT EN DETAIL L'ENSEMBLE DES CORRECTIONS A APPORTER AUX MESURES BRUTES AFIN DE TENIR COMPTE DES LIMITATIONS DE L'INSTRUMENT. LES SPECTRES EXPERIMENTAUX SONT INTERPRETES A L'AIDE D'UN MODELE MULTICOUCHE
