Desarrollo y aplicación de un microscopio óptico de barrido para la microcaracterización de materiales semiconductores en células fotoelectroquímicas PDF Download
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El proyecto de tesis que presento consiste en el desarrollo y aplicación de un sistema experimental para la obtención de imágenes digitales microscópicas de la respuesta fotoinducida en un semiconductor que actúa como fotoelectrodo de una célula fotoelectroquímica. Los contrastes de las imágenes resultantes de fotocorriente, fotovoltaje y electrorreflectancia de electrolito, se interpretan en base a las ecuaciones matemáticas básicas que describen dichos fotoefectos, y reflejan cambios en las propiedades del semiconductor y de su interfase con el electrolito. Mediante los resultados obtenidos, se pone de manifiesto la dependencia con la morfología superficial del fotoelectrodo, de la cinética de la reacción de fotooxidación del ioduro sobre calcogenuros laminares semiconductores (n-wse2 y n-mose2). También se muestra que la presencia de fronteras de antifases en la red cristalina del gaas, crecido epitaxialmente sobre si, produce una disminución de la velocidad de fotogeneración de portadores de carga.
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El proyecto de tesis que presento consiste en el desarrollo y aplicación de un sistema experimental para la obtención de imágenes digitales microscópicas de la respuesta fotoinducida en un semiconductor que actúa como fotoelectrodo de una célula fotoelectroquímica. Los contrastes de las imágenes resultantes de fotocorriente, fotovoltaje y electrorreflectancia de electrolito, se interpretan en base a las ecuaciones matemáticas básicas que describen dichos fotoefectos, y reflejan cambios en las propiedades del semiconductor y de su interfase con el electrolito. Mediante los resultados obtenidos, se pone de manifiesto la dependencia con la morfología superficial del fotoelectrodo, de la cinética de la reacción de fotooxidación del ioduro sobre calcogenuros laminares semiconductores (n-wse2 y n-mose2). También se muestra que la presencia de fronteras de antifases en la red cristalina del gaas, crecido epitaxialmente sobre si, produce una disminución de la velocidad de fotogeneración de portadores de carga.
Author: Antonio Alfonso Martínez Chaparro
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Languages : es
Pages : 119
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