Dépôt chimique en phase vapeur de siliciures pour la microélectronique PDF Download
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Author: Elisabeth Blanquet
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Languages : fr
Pages : 134
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Book Description
LES DISILICIURES DE METAUX REFRACTAIRES SONT D'EXCELLENTS CANDIDATS A UNE UTILISATION COMME MATERIAUX D'INTERCONNEXIONS ET DE CONTACT EN TECHNOLOGIE SILICIUM A TRES HAUT NIVEAU D'INTEGRATION. DANS LE CADRE DES RECHERCHES DE PROCEDES POUR ELABORER DES COUCHES MINCES DE CES MATERIAUX, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A LA TECHNIQUE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD). CETTE ETUDE A PORTE ESSENTIELLEMENT SUR LES DISILICIURES DE TANTALE, TASI#2 ET DE TUNGSTENE, WSI#2. UNE ANALYSE THERMODYNAMIQUE PREALABLE DES SYSTEMES CHIMIQUES TA-SI-H-O-CL ET W-SI-H-O-CL- OU F A PERMIS DE DETERMINER LES VALEURS DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX (TEMPERATURE DE DEPOT, PRESSION TOTALE, PRESSIONS PARTIELLES INITIALES DES GAZ ACTIFS) THEORIQUEMENT FAVORABLES A LA FORMATION DES DISILICIURES. A PARTIR DE CES RESULTATS, UN REACTEUR CVD, A MURS FROIDS, FONCTIONNANT A PRESSION ATMOSPHERIQUE A ETE CONCU. L'ORIGINALITE DE CELUI-CI RESIDE DANS L'ELABORATION ET LE TRANSPORT DU PRECURSEUR METALLIQUE (CHLORURE DE TA ET W) QUI S'EFFECTUENT DANS LA CHAMBRE DE CHLORURATION IN SITU. DES DEPOTS DE SILICIURES DE TANTALE ET DE TUNGSTENE ONT ETE REALISES. LA CONFRONTATION DES RESULTATS THERMODYNAMIQUES ET EXPERIMENTAUX REVELE UN ACCORD TRES SATISFAISANT ENTRE PREVISIONS ET EXPERIENCES
Author: Elisabeth Blanquet
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Pages : 134
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LES DISILICIURES DE METAUX REFRACTAIRES SONT D'EXCELLENTS CANDIDATS A UNE UTILISATION COMME MATERIAUX D'INTERCONNEXIONS ET DE CONTACT EN TECHNOLOGIE SILICIUM A TRES HAUT NIVEAU D'INTEGRATION. DANS LE CADRE DES RECHERCHES DE PROCEDES POUR ELABORER DES COUCHES MINCES DE CES MATERIAUX, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A LA TECHNIQUE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD). CETTE ETUDE A PORTE ESSENTIELLEMENT SUR LES DISILICIURES DE TANTALE, TASI#2 ET DE TUNGSTENE, WSI#2. UNE ANALYSE THERMODYNAMIQUE PREALABLE DES SYSTEMES CHIMIQUES TA-SI-H-O-CL ET W-SI-H-O-CL- OU F A PERMIS DE DETERMINER LES VALEURS DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX (TEMPERATURE DE DEPOT, PRESSION TOTALE, PRESSIONS PARTIELLES INITIALES DES GAZ ACTIFS) THEORIQUEMENT FAVORABLES A LA FORMATION DES DISILICIURES. A PARTIR DE CES RESULTATS, UN REACTEUR CVD, A MURS FROIDS, FONCTIONNANT A PRESSION ATMOSPHERIQUE A ETE CONCU. L'ORIGINALITE DE CELUI-CI RESIDE DANS L'ELABORATION ET LE TRANSPORT DU PRECURSEUR METALLIQUE (CHLORURE DE TA ET W) QUI S'EFFECTUENT DANS LA CHAMBRE DE CHLORURATION IN SITU. DES DEPOTS DE SILICIURES DE TANTALE ET DE TUNGSTENE ONT ETE REALISES. LA CONFRONTATION DES RESULTATS THERMODYNAMIQUES ET EXPERIMENTAUX REVELE UN ACCORD TRES SATISFAISANT ENTRE PREVISIONS ET EXPERIENCES
Author: Eric Mastromatteo
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Languages : fr
Pages : 141
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LES DISILICIURES DE METAUX REFRACTAIRES SONT D'EXCELLENTS CANDIDATS SUSCEPTIBLES D'INTERVENIR COMME MATERIAUX DE CONNEXION ET DE CONTACT EN TECHNOLOGIE SILICIUM A TRES HAUT NIVEAU D'INTEGRATION. L'ELABORATION DE CES MATERIAUX EN COUCHES MINCES PAR LA TECHNIQUE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD) PRESENTE DE NOMBREUX AVANTAGES. EN PARTICULIER, LA POSSIBILITE D'OBTENIR UN DEPOT SELECTIF SELON LA NATURE DU SUBSTRAT PEUT CONDUIRE A UNE SIMPLIFICATION DES PROCEDES DE FABRICATION. CETTE ETUDE A CONCERNE LE DEPOT CVD DU DISILICIURE DE TITANE ET PLUS PRECISEMENT L'ASPECT SELECTIF VIS-A-VIS DU COUPLE SI/SIO#2. L'ANALYSE THERMODYNAMIQUE ET L'ETUDE EXPERIMENTALE DU SYSTEME CHIMIQUE TI-SI-H-CL-O ONT PERMIS D'OBTENIR DIFFERENTS PROCEDES DE DEPOT SELECTIF. CES PROCEDES NECESSITENT LE DECAPAGE DE L'OXYDE NATIF A LA SURFACE DU SILICIUM ET CONDUISENT A UNE CONSOMMATION SYSTEMATIQUE DE CE SILICIUM LORS DE LA CROISSANCE DE TISI2. CET INCONVENIENT MAJEUR, POUR REALISER DES CONTACTS SUR DES JONCTIONS DE FAIBLE PROFONDEUR, PEUT ETRE COMPENSE PAR LE DEPOT SELECTIF PREALABLE DE SILICIUM QUI SERA CONSOMME LORS DE LA CROISSANCE DE TISI2. CETTE SOLUTION A ETE APPLIQUEE AVEC SUCCES DANS UN REACTEUR A LAMPES FONCTIONNANT A PRESSION REDUITE, ET UN MODELE DES DIFFERENTES ETAPES DE CE PROCEDE A ETE PROPOSE. LES DEPOTS SELECTIFS OBTENUS SUR DES MOTIFS DE FAIBLE DIMENSION (0.5 MICRON) ET SUR DES SUBSTRATS DOPES, CONFIRMENT LE POTENTIEL TECHNOLOGIQUE DE CE PROCEDE POUR LES NOUVELLES GENERATIONS DE COMPOSANTS DE TRES FAIBLES DIMENSIONS
Author: CLAIRE.. ATTUYT
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Languages : fr
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LA MINIATURISATION DE PLUS EN PLUS POUSSEE EN MICRO-ELECTRONIQUE CONDUIT A LA RECHERCHE DE MATERIAUX NOUVEAUX PLUS PERFORMANTS, QUE CE SOIT DANS LE DOMAINE DES ISOLANTS ELECTRIQUES COMME DANS CELUI DES CONDUCTEURS. PARMI LES CONDUCTEURS, LE SILICIUM DE TITANE PRESENTE UNE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ENVIRON DIX FOIS PLUS FAIBLE QUE CELLE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN ACTUELLEMENT UTILISE. LA METHODE D'ELABORATION UTILISEE EST LE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A PRESSION REDUITE (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION). CETTE METHODE A L'AVANTAGE DE PERMETTRE DE REALISER DES DEPOTS SELECTIFS (ABSENCE DE DEPOT SUR LES ZONES RECOUVERTES D'OXYDE DE SILICIUM ET DEPOT SUR LES ZONES OU LE SILICIUM SOUS-JACENT A ETE MIS A NU). GRACE A CETTE SELECTIVITE DE DEPOT PLUSIEURS ETAPES DE PHOTOLITHOGRAPHIE ET DE GRAVURE PEUVENT ETRE SUPPRIMEES DU PROCEDE DE FABRICATION DES DISPOSITIFS A CIRCUITS INTEGRES. DANS CE TRAVAIL, UNE NOUVELLE MACHINE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A ETE UTILISEE: CELLE-CI ALLIANT LES TECHNIQUES DE RECUIT RAPIDE PAR FOUR A LAMPES INFRAROUGES (APPELE RAPID THERMAL PROCESSING) A CELLES DU DEPOT PAR L.P.C.V.D. EST APPELEE RAPID THERMAL LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION. APRES UNE ETUDE PRELIMINAIRE DE DEPOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PERMETTANT DE TESTER CETTE NOUVELLE MACHINE, LE DEPOT SELECTIF DE SILICIURE DE TITANE EST ETUDIE EN UTILISANT PLUSIEURS PHASES GAZEUSES DE DEPART: LE CHLORURE DE TITANE PUR, LE CHLORURE DE TITANE HYDROGENE ET LE MELANGE CHLORURE DE TITANE-HYDROGENE-SILANE. A PARTIR D'UNE ETUDE THERMODYNAMIQUE, BASEE SUR LES RESULTATS EXPERIMENTAUX, LES MECANISMES DE DEPOT CORRESPONDANTS SONT PROPOSES ET COMPARES AVEC CEUX DE LA LITTERATURE
Author: Hèlène Del Puppo
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Languages : fr
Pages : 155
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DES MELANGES O#2/SIH#4 ET N#2O/SIH#4 ONT ETE UTILISES POUR DEPOSER SIO#2 DANS UNE POST-DECHARGE MICRO-ONDE A BASSE TEMPERATURE (
Author: ANNE.. BOUTEVILLE RICHARD
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Languages : fr
Pages : 152
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LES COUCHES MINCES DE SILICIURES DE METAUX REFRACTAIRES SONT UTILISES EN MICROELECTRONIQUE. LE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PERMET UN EXCELLENT RECOUVREMENT DE MARCHE ET LA POSSIBILITE DE DEPOT SELECTIF. CETTE ETUDE TRAITE DE L'OBTENTION PAR CETTE METHODE A BASSE PRESSION DE COUCHES MINCES DE SILICIURES DE TA ET DE TI ET DE LEUR ETUDE. MISE AU POINT DU PROCEDE, INFLUENCE D'UN TRAITEMENT DE RECUIT ET ETUDE DU MECANISME DE CROISSANCE
Author: Roger Botton
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Languages : fr
Pages : 123
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NOUS PROPOSONS UN PROCEDE ORIGINAL POUR EFFECTUER DES DEPOTS DE COUCHES MINCES DE DIELECTRIQUES ET DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A BASSE TEMPERATURE (MOINS DE 300C) ET SOUS BASSE PRESSION (DE 1 A 2 TORR) DE QUALITE MICRO-ELECTRONIQUE. LES GAZ DE LA REACTION CHIMIQUE SONT UTILISES POUR CONSTITUER UNE LAMPE A DECHARGE ELECTRIQUE FICTIVE QUI OPERE EN COURANT CONTINU DANS LA ZONE DE DECHARGE LUMINEUSE NORMALE. LES SUBSTRATS SONT POSITIONNES PARALLELEMENT AUX LIGNES DE COURANT DE LA DECHARGE (MINIMISATION DE LA CONTAMINATION ET DE LA DEGRADATION). PLUSIEURS MODES D'ACTIVATION PEUVENT AINSI INTERVENIR SIMULTANEMENT. LE TUBE FICTIF REALISE EST UN PETIT FOUR TUNNEL NON ETANCHE ET DEMONTABLE PLACE SOUS UNE CLOCHE A VIDE. LES ELECTRODES CONSTITUENT SES EXTREMITES. LES SUBSTRATS A COUVRIR SONT DISPOSES SUR LA SOLE CHAUFFEE. LES REACTIFS SONT INTRODUITS A L'ANODE ET EVACUES A LA CATHODE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES (PRESSION, TEMPERATURE, COMPOSITION, INTENSITE DU COURANT, TEMPS DE DEPOT, LA POSITION LE LONG DE LA DECHARGE) A ETE ETUDIEE QUANT A LA CINETIQUE DE LA FORMATION ET LA QUALITE DES COUCHES. LES FILMS DIELECTRIQUES OBTENUS ONT ETE SOUMIS A UNE ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SPECTROMETRIE INFRAROUGE ET SPECTROSCOPIE RAMAN, ANALYSE SIMS, ELLIPSOMETRIE, ...). UNE EXPLOITATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES STRUCTURES MIS REALISEES PAR METALLISATION DES COUCHES A PERMIS UNE EVALUATION DE LA QUALITE ELECTRIQUE
Author: Chisato Niikura
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Languages : fr
Pages : 286
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CETTE THÈSE EST CONSACRÉE À L'ÉTUDE DES COUCHES EN SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGÉNÉ ("micro"C-SI:H) PRÉPARÉES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR FlLAMENT CHAUD (HWCVD) PROPOSÉ COMME UNE ALTERNATIVE À LA MÉTHODE CONVENTIONELLE DE DÉPÔT PAR PLASMA, AYANT POUR OBJECTIF L'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DES COUCHES POUR L'APPLICATION SUR CELLULES SOLAIRES. PROPRIÉTÉS PHYSIQUES DES COUCHES PRÉPARÉES UTILISANT SIH4 DILUÉ DANS H2 AVEC DIFFÉRENTES VALEURS DE DILUTION DH ONT ÉTÉ CARACTÉRISÉES PAR DIFFÉRENTES TECHNIQUES. PARTICULIÈREMENT, ANALYSE IN-SITU D'ELLIPROMÉTRIE INFRAROUGE A ÉTÉ, POUR LA PREMIÈRE FOIS, APPLIQUÉE A LA CROISSANCE DES COUCHES PAR HWCVD: ÉVOLUTION DE LA CONFIGURATION DES LIAISONS Sl-H A ÉTÉ CORRELÉE AVEC LES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. MEILLEURE LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS A ÉTÉ OBTENUE POUR LES COUCHES EN "micro"C-SI:H PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES AMORPHE ET MICROCRISTALLINE: CECI PEUT ÉTRE DU AU RÉSEAU AMORPHE RELAXE QUI EST AMENÉ PAR RÉACTIONS DE RECONSTRUCTION INDUITES PAR DIFFUSION DES ATOMES H PENDANT LA CROISSANCE, ÉTANT SUGGÉRÉ PAR ANALYSES DES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. CEPENDANT, IL A ÉTÉ MONTRÉ QU'IL Y A UNE COUCHE D'INCUBATION AMORPHE ÉPAISSE FORMÉE AVANT LE NOYAUTAGE DES MICROCRISTAUX, QUI EMPÉCHE LE TRANSPORT ÉLECTRONIQUE DANS LA DIRECTION TRANSVERSALE DE CES COUCHES. DANS LE BUT D'AVOIR DES COUCHES EN "micro"C-Sl:H SANS COUCHE D'INCUBATION ET AVEC LES PROPRIÉTÉS FAVORABLES DE LA VOLUME ASSOCIÉES AUX COUCHES PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES, NOUS AVONS PROPOSE UN PROCÈDÉ DE DH VARIABLE TENANT COMPTE DES RÉSULTATS TRÉS POSITIFS GRÂCE AU PROCÉDÉ DE DH VARIABLE, DES COUCHES INTRINSÈQUES EN "micro"C-SI:H PRÉPARÉES PAR HWCVD ONT ÉTÉ APPLIQUÉES À LA FABRICATION DES CELLULES SOLAIRES. UN RENDEMENT DE 5,1 % OBTENU POUR DES CELLULES DE LA STRUCTURE N-l-P SUR SUBSTRAT EN VERRE A CONFIRMÉ UNE BONNE QUALITÉ DES COUCHES INTRINSÈQUES.LA VOIE POUR L'AMÉLIORATION DE LA PERFORMANCE DES CELLULES EST DlSCUTÉE EN CONSIDÉRATION DES RÉSULTATS.
Author: LE TIEC Yannick
Publisher: Lavoisier
ISBN: 2746289180
Category : Chemical detectors
Languages : en
Pages : 386
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Book Description
La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage. Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne.
Author: Francine Fayolle (Chimiste)
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 215
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Book Description
LE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD) EST LE PROCEDE LE PLUS UTILISE DANS L'INDUSTRIE MICRO-ELECTRONIQUE POUR REALISER DES COUCHES MINCES, EFFECTUEES LE PLUS SOUVENT DANS DES REACTEURS TUBULAIRES A MURS CHAUDS. L'UNE DES APPLICATIONS DE LA CVD EST LA FABRICATION DE COUCHES DE SILICIUM PARTIELLEMENT OXYDE, ET SEMI-ISOLANTES (APPELE SIPOS), A PARTIR D'UN MELANGE DE SILANE ET DE PROTOXYDE D'AZOTE. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CORRESPOND A L'ETUDE ET L'ETABLISSEMENT D'UN SYSTEME CHIMIQUE COMPORTANT DEUX PHASES (GAZEUSE ET SOLIDE) ET REPRESENTATIF DU DEPOT. LES CONSTANTES CINETIQUES CORRESPONDANT AUX REACTIONS HOMOGENES SONT EVALUEES A PARTIR DE DIFFERENTES METHODES, EN PARTICULIER LA METHODE QRRK. LA SECONDE PARTIE COMPREND LE DEVELOPPEMENT ET L'UTILISATION DE DEUX LOGICIELS PERMETTANT DE MODELISER LES ECOULEMENTS ET LE TRANSFERT DE MATIERE DANS UN REACTEUR DE DEPOT DE SIPOS EN UTILISANT LE SYSTEME CHIMIQUE DECRIT PRECEDEMMENT. LE PREMIER LOGICIEL, CVD2 MODELISE UN ESPACE INTERPLAQUETTE. IL A PERMIS D'IDENTIFIER LES CONSTANTES DE DEPOT EN PHASE HETEROGENE. LE LOGICIEL CWCVD A PERMIS D'ETUDIER LA ZONE D'ENTREE DU REACTEUR. LES RESULTATS DE CES SIMULATIONS SONT COMPARES AVEC DES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS A L'USINE MOTOROLA DE TOULOUSE. CEUX-CI SONT DETAILLES AINSI QUE LES METHODES D'ANALYSE UTILISEES. LE BON ACCORD OBTENU ENTRE LA SIMULATION ET LES EXPERIENCES PERMET DE VALIDER LES CHOIX EFFECTUES AU NIVEAU DU MECANISME CHIMIQUE ET D'AVANCER DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES MIS EN JEU LORS DU DEPOT DE SIPOS. UNE DERNIERE PARTIE UTILISE LA METHODE QRRK POUR UN AUTRE TYPE DE DEPOT D'OXYDE, CETTE FOIS TOTALEMENT ISOLANT, A PARTIR D'UN MELANGE D'OXYGENE ET DE SILANE (LTO). LE TYPE DE REACTEUR DE DEPOT NE PERMETTANT PAS L'UTILISATION DIRECTE DES LOGICIELS DECRITS PRECEDEMMENT, SEULE UNE PREMIERE ANALYSE DU SYSTEME CHIMIQUE A PU ETRE EFFECTUEE
Author: Mohamed Adnen Tounsi
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 201
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LE PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD) PRESENTE UNE GRANDE IMPORTANCE DANS DE NOMBREUX SECTEURS INDUSTRIELS ET, EN PARTICULIER, POUR LA MICROELECTRONIQUE. LE BUT DE CE TRAVAIL ETAIT D'ETABLIR UN MODELE DE SIMULATION NUMERIQUE DU COMPORTEMENT CINETIQUE DES REACTEURS DE DEPOT LPCVD DE SILICIUM PUR ET DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PUIS DE RECHERCHER LES CORRELATIONS QUI EXISTENT ENTRE LA STRUCTURE ET LES PROPRIETES DES FILMS MINCES ET LES CONDITIONS DE LEUR ELABORATION. POUR CE QUI CONCERNE L'ANALYSE CINETIQUE, NOUS AVONS PERFECTIONNE PUIS UTILISE SYSTEMATIQUEMENT LE LOGICIEL CVD 2, PRECEDEMMENT ELABORE PAR DES CHERCHEURS DE NOTRE LABORATOIRE. IL S'AGIT D'UN MODELE BIDIMENSIONNEL D'ETUDE LOCALE QUI INTEGRE LES EQUATIONS DE NAVIER-STOKES ET DE TRANSFERT DE MATIERE, COUPLEE AUX LOIS CINETIQUES DES REACTIONS CHIMIQUES MISES EN JEU. POUR CE QUI CONCERNE L'ETUDE DE LA STRUCTURE ET DES PROPRIETES DES COUCHES, NOUS AVONS UTILISE DIVERSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ET, TOUT PARTICULIEREMENT, L'ELLIPSOMETRIE; CETTE PARTIE DE NOTRE TRAVAIL A ETE EFFECTUEE EN ETROITE COLLABORATION AVEC LE LAAS DU CNRS. DU POINT DE VUE DE LA NATURE DES DEPOTS, ENFIN, NOTRE EFFORT A ETE ORGANISE AUTOUR DE TROIS AXES, L'ANALYSE DE L'INFLUENCE DE LA LONGUEUR DE LA ZONE D'ENTREE DANS LE REACTEUR, L'EXAMEN DETAILLE DE L'INFLUENCE DE LA CONCENTRATION DE PHOSPHINE, GAZ QUI DEPOSE LES ATOMES DE PHOSPHORE QUI DOPENT LE SILICIUM ET, ENFIN, PLUS BRIEVEMENT, L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE L'ADDITION DE FAIBLES FRACTIONS DE DISILANE AU MONOSILANE QUI CONSTITUE LA SOURCE DE SILICIUM
