Dépôt chimique en phase vapeur de silice dans une post-décharge micro-onde de grand diamètre

Dépôt chimique en phase vapeur de silice dans une post-décharge micro-onde de grand diamètre PDF Author: Florence Naudin
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Languages : fr
Pages : 192

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DES COUCHES MINCES DE SILICE SONT OBTENUES DANS UN REACTEUR PECVD MICRO-ONDE DE GRAND DIAMETRE, FONCTIONNANT EN MODE POST-DECHARGE, PAR REACTION ENTRE UN GAZ PLASMAGENE (OXYGENE) ET UN GAZ PRECURSEUR (SIH 4/AR). UNE ETUDE PARAMETRIQUE PERMET DE DETERMINER UN POINT DE FONCTIONNEMENT (1600 W ; 0,13 MBAR ; R = 160 RAPPORT DU DEBIT D'OXYGENE ET DU SILANE ; 150\C) CONDUISANT A DES FILMS ADHERENTS DE SILICE AMORPHE DE DENSITE VOISINE DE LA VALEUR THEORIQUE (2,2). DEUX DIAGNOSTICS SONT EMPLOYES POUR CARACTERISER LA DECHARGE ET LA POST-DECHARGE. LES ESPECES IDENTIFIEES PAR SPECTROMETRIE D'EMISSION OPTIQUE PROVIENNENT DU GAZ PLASMAGENE (O, O 2 + ET O 2), DE LA DISSOCIATION DU SILANE (H, SIH) ET DE RECOMBINAISONS EN PHASE GAZEUSE (SIO, OH). LES RESULTATS METTENT EN EVIDENCE QUE LA ZONE DE DEPOT N'EST PAS UNE REELLE POST-DECHARGE ET QU'IL EXISTE DES RECIRCULATIONS DE GAZ PRECURSEUR DANS LE PLASMA. LA TEMPERATURE DU GAZ, DEDUITE DU SPECTRE ROTATIONNEL DE LA BANDE ATMOSPHERIQUE, EST DE L'ORDRE DE 650 A 700 K. LA DENSITE ET LA TEMPERATURE DES ELECTRONS, MESUREES PAR DOUBLE SONDE ELECTROSTATIQUE, PRECISENT QUE LA ZONE DE DEPOT EST UN DOMAINE TRANSITOIRE ENTRE LA DECHARGE ET LA PROCHE POST-DECHARGE. LA MODELISATION DU REACTEUR COMPORTE DEUX PRINCIPALES PARTIES DISTINCTES. UNE ETUDE AERODYNAMIQUE, METTANT EN UVRE UN CODE DE CALCUL NUMERIQUE (ESTET) EN VUE D'OPTIMISER L'INJECTION DU GAZ PRECURSEUR ET DE DEFINIR LE REGIME D'ECOULEMENT, MONTRE QUE L'ECOULEMENT EST PERTURBE ET COMPLEXE. UN MODELE ELECTROMAGNETIQUE, DEVELOPPE PAR L'IRCOM, REVELE QUE LE CHAMP ELECTRIQUE, PRINCIPALEMENT REPARTI DANS LES GAINES ELECTROSTATIQUES ET EN PERIPHERIE DU QUARTZ, SE PROPAGE PEU DANS LA POST-DECHARGE. L'EXCITATION CHOISIE ASSURE DONC UN EXCELLENT COUPLAGE MICRO-ONDE/PLASMA.

Dépôt chimique en phase vapeur de silice dans une post-décharge micro-onde de grand diamètre

Dépôt chimique en phase vapeur de silice dans une post-décharge micro-onde de grand diamètre PDF Author: Florence Naudin
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DES COUCHES MINCES DE SILICE SONT OBTENUES DANS UN REACTEUR PECVD MICRO-ONDE DE GRAND DIAMETRE, FONCTIONNANT EN MODE POST-DECHARGE, PAR REACTION ENTRE UN GAZ PLASMAGENE (OXYGENE) ET UN GAZ PRECURSEUR (SIH 4/AR). UNE ETUDE PARAMETRIQUE PERMET DE DETERMINER UN POINT DE FONCTIONNEMENT (1600 W ; 0,13 MBAR ; R = 160 RAPPORT DU DEBIT D'OXYGENE ET DU SILANE ; 150\C) CONDUISANT A DES FILMS ADHERENTS DE SILICE AMORPHE DE DENSITE VOISINE DE LA VALEUR THEORIQUE (2,2). DEUX DIAGNOSTICS SONT EMPLOYES POUR CARACTERISER LA DECHARGE ET LA POST-DECHARGE. LES ESPECES IDENTIFIEES PAR SPECTROMETRIE D'EMISSION OPTIQUE PROVIENNENT DU GAZ PLASMAGENE (O, O 2 + ET O 2), DE LA DISSOCIATION DU SILANE (H, SIH) ET DE RECOMBINAISONS EN PHASE GAZEUSE (SIO, OH). LES RESULTATS METTENT EN EVIDENCE QUE LA ZONE DE DEPOT N'EST PAS UNE REELLE POST-DECHARGE ET QU'IL EXISTE DES RECIRCULATIONS DE GAZ PRECURSEUR DANS LE PLASMA. LA TEMPERATURE DU GAZ, DEDUITE DU SPECTRE ROTATIONNEL DE LA BANDE ATMOSPHERIQUE, EST DE L'ORDRE DE 650 A 700 K. LA DENSITE ET LA TEMPERATURE DES ELECTRONS, MESUREES PAR DOUBLE SONDE ELECTROSTATIQUE, PRECISENT QUE LA ZONE DE DEPOT EST UN DOMAINE TRANSITOIRE ENTRE LA DECHARGE ET LA PROCHE POST-DECHARGE. LA MODELISATION DU REACTEUR COMPORTE DEUX PRINCIPALES PARTIES DISTINCTES. UNE ETUDE AERODYNAMIQUE, METTANT EN UVRE UN CODE DE CALCUL NUMERIQUE (ESTET) EN VUE D'OPTIMISER L'INJECTION DU GAZ PRECURSEUR ET DE DEFINIR LE REGIME D'ECOULEMENT, MONTRE QUE L'ECOULEMENT EST PERTURBE ET COMPLEXE. UN MODELE ELECTROMAGNETIQUE, DEVELOPPE PAR L'IRCOM, REVELE QUE LE CHAMP ELECTRIQUE, PRINCIPALEMENT REPARTI DANS LES GAINES ELECTROSTATIQUES ET EN PERIPHERIE DU QUARTZ, SE PROPAGE PEU DANS LA POST-DECHARGE. L'EXCITATION CHOISIE ASSURE DONC UN EXCELLENT COUPLAGE MICRO-ONDE/PLASMA.

Dépôt chimique en phase vapeur d'oxyde de silicium dans une post-décharge micro-onde

Dépôt chimique en phase vapeur d'oxyde de silicium dans une post-décharge micro-onde PDF Author: Hèlène Del Puppo
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Pages : 155

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DES MELANGES O#2/SIH#4 ET N#2O/SIH#4 ONT ETE UTILISES POUR DEPOSER SIO#2 DANS UNE POST-DECHARGE MICRO-ONDE A BASSE TEMPERATURE (

Dépôt chimique de zircone en phase vapeur par réaction entre ZrCl4 et une post-décharge micro-ondes Ar-O2-H2 en écoulement

Dépôt chimique de zircone en phase vapeur par réaction entre ZrCl4 et une post-décharge micro-ondes Ar-O2-H2 en écoulement PDF Author: Jérôme Gavillet
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Pages : 198

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Des revêtements de zircone ont été élabores à basse température (

DEPOT D'OXYDE DE SILICIUM DANS UN REACTEUR PLASMA MICRO-ONDES DE GRAND DIAMETRE EN MELANGE HEXAMETHYLDISILOXANE/ OXYGENE

DEPOT D'OXYDE DE SILICIUM DANS UN REACTEUR PLASMA MICRO-ONDES DE GRAND DIAMETRE EN MELANGE HEXAMETHYLDISILOXANE/ OXYGENE PDF Author: NADIA.. BENISSAD
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Pages : 196

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CETTE THESE A POUR BUT D'ETUDIER LE PROCEDE DE DEPOT, DANS UN REACTEUR PLASMA DE COUCHES MINCES D'OXYDES DES SILICIUM. LA SOURCE EST UNE DECHARGE MICRO-ONDES ENTRETENUE PAR UNE ONDE DE SURFACE A 2,45 GHZ. LE SUBSTRAT EST PLACE EN PROCHE POST-DECHARGE ET N'EST DONC PAS EXPOSE A UNE TEMPERATURE ELEVEE. LES GAZ UTILISES SONT L'ARGON, L'OXYGENE ET UN ORGANOSILICIE, L'HEXAMETHYLDISILOXANE HMDSO : O(SI(CH 3) 3) 2. CETTE ETUDE A ETE CONSACREE AUSSI BIEN A LA CARACTERISATION DE LA PHASE GAZEUSE, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SPECTROMETRIE DE MASSE, QU'A L'ANALYSE DES COUCHES MINCES PAR SPECTROSCOPIE INFRA-ROUGE A TRANSFORMEE DE FOURIER, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE ET GRAVURE CHIMIQUE. LA DILUTION DU MONOMERE HMDSO DANS LE MELANGE GAZEUX INITIAL INFLUE CONSIDERABLEMENT SUR LES ESPECES PRESENTES DANS LA PHASE GAZEUSE ET DONC SUR LA NATURE DU MATERIAU DEPOSE. A FORTE DILUTION DE L'ORGANOSILICIE DANS L'OXYGENE, LE HMDSO EST FRAGMENTE ET OXYDE ET ON OBTIENT DES COUCHES MINCES DE TYPE SIO 2. MAIS LORSQUE L'OXYGENE EST DILUE DANS LE MONOMERE, LA DISSOCIATION DE CE DERNIER N'EST PAS SUFFISANTE ET ON DEPOSE ALORS DES FILMS A CARACTERE ORGANIQUE SIO XC YH Z. DES CORRELATIONS ENTRE LA PRESENCE DES ESPECES EXCITEES OH ET CH DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION RESPECTIVEMENT DE SILANOL ET D'HYDROCARBURES DANS LES COUCHES MINCES ONT PU ETRE ETABLIES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE LA PUISSANCE MICRO-ONDES ET DE LA PRESSION SUR LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET LES FILMS ELABORES. CELA A PERMIS DE FAIRE APPARAITRE DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT DU REACTEUR : NOUS AVONS CONSTATE L'EXISTENCE D'UNE PRESSION MAXIMALE AU DESSUS DE LAQUELLE DES POUDRES SE FORMENT DANS LE GAZ ET LES PROPRIETES DE CES FILMS SONT ALTEREES. DE MANIERE GENERALE, LES COUCHES MINCES SE SONT REVELEES POREUSES. MAIS, GRACE A LA POLARISATION RADIO-FREQUENCE (13,56 MHZ) DU PORTE-SUBSTRAT, IL A ETE POSSIBLE D'ELABORER DES FILMS PLUS DENSES ET CE A DES VITESSES PLUS RAPIDES (300 NM/MIN).

ETUDE D'UN PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR UN PLASMA MICRO-ONDE POUR LA REALISATION DE REVETEMENTS DE ZIRCONE YTTRIEE

ETUDE D'UN PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR UN PLASMA MICRO-ONDE POUR LA REALISATION DE REVETEMENTS DE ZIRCONE YTTRIEE PDF Author: STEPHANE.. CHEVILLARD
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Pages : 138

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LES OBJECTIFS FIXES DANS LE CADRE DE CE TRAVAIL ETAIENT D'UNE PART DE CHOISIR UN COUPLE DE PRECURSEURS POUR LE DEPOT SIMULTANE DE ZIRCONE ET D'YTTRINE ET D'AUTRE PART DE CONCEVOIR UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR UN PLASMA MICRO-ONDE CAPABLE DE DEPOSER DE LA ZIRCONE YTTRIEE COLONNAIRE, A PARTIR DES PRECURSEURS CHOISIS, AVEC DE FORTES VITESSES DE DEPOT (SUPERIEURE A 50 MICROMETRE PAR HEURE) ET SANS HETEROGENEITE D'EPAISSEUR SUR SUBSTRAT PLAN DE 20 MM DE DIAMETRE. IL A ETE CHOISI RESPECTIVEMENT, POUR LE PRECURSEUR DE ZIRCONIUM ET POUR LE PRECURSEUR D'YTTRIUM, LE TETRACHLORURE DE ZIRCONIUM ET LE TETRAMETHYLHEPTANDIONATE D'YTTRIUM. LE REACTEUR PECVD A PERMIS DE REALISER, A PARTIR DE CES PRECURSEURS, DES DEPOTS DE ZIRCONE YTTRIEE COLONNAIRE AVEC UNE VITESSE DE DEPOT ELEVEE MAIS SANS TOUTEFOIS REPONDRE AU CRITERE D'HOMOGENEITE D'EPAISSEUR. BIEN QUE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT AIT PEU D'INFLUENCE SUR LA VITESSE DE DEPOT, ELLE JOUE UN ROLE MAJEUR, DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURE EXPLORE (400 A 750 DEGRE CELSIUS), SUR LA PURETE DES DEPOTS ET SUR LA POROSITE. EN EFFET, UNE TEMPERATURE ELEVEE D'UNE PART D'EVITER L'INCORPORATION D'IMPURETES TELLES QUE LE CARBONE ET LE CHLORE ET D'AUTRE PART D'OBTENIR DES DEPOTS PLUS DENSES. L'ETUDE STRUCTURALE MONTRE QUE LE RETOUR A L'ETAT D'EQUILIBRE LORS DE RECUIT A 1200C SOUS AIR DES DEPOTS DE ZIRCONE YTTRIEE STABILISES DANS LA PHASE T' EST EN ACCORD AVEC LES TRAVAUX DEJA PUBLIES. TOUTEFOIS, IL EST A REMARQUER QUE CE RETOUR VERS L'ETAT D'EQUILIBRE EST RELATIVEMENT RAPIDE COMPARE A DES REVETEMENTS SIMILAIRES ELABORES PAR PROJECTION PLASMA. CETTE ACCELERATION EST VRAISEMBLABLEMENT DUE A LA FORTE POROSITE DU DEPOT (54 POUR CENT) QUI FACILITERAIT LA DIFFUSION DES CATIONS Y#3#+. ENFIN, UNE ETUDE DE LA DECHARGE MICRO-ONDE PAR SPECTROMETRIE D'EMISSION OPTIQUE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES ESPECES INTERMEDIAIRES RESPONSABLES DU DEPOT DE ZIRCONE YTTRIEE, IL S'AGIT DE ZRO, YO, O ET/OU O#2.

Dépôt de couches minces de SiCN par dépot chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde

Dépôt de couches minces de SiCN par dépot chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde PDF Author: Simon Bulou
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Les films à base de Si, C et N présentent de très intéressantes propriétés mécaniques, optiques et électroniques. L'objectif de ce travail est de mettre au point le procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde permettant l'élaboration, à partir d'hexaméthyldisilazane (HMDSN), de films minces de SiCN dont l'indice de réfraction et le gap peuvent être modulés en modifiant des paramètres expérimentaux. Un mélange à base de N2/Ar/HMDSN permet le dépôt de films durs, adhérents et transparents. Ceux-ci sont de type SiNx:H avec une faible teneur en carbone (

Dépôt chimique en phase vapeur à l'intérieur d'une décharge électrique de courant continu

Dépôt chimique en phase vapeur à l'intérieur d'une décharge électrique de courant continu PDF Author: Roger Botton
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Pages : 123

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NOUS PROPOSONS UN PROCEDE ORIGINAL POUR EFFECTUER DES DEPOTS DE COUCHES MINCES DE DIELECTRIQUES ET DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A BASSE TEMPERATURE (MOINS DE 300C) ET SOUS BASSE PRESSION (DE 1 A 2 TORR) DE QUALITE MICRO-ELECTRONIQUE. LES GAZ DE LA REACTION CHIMIQUE SONT UTILISES POUR CONSTITUER UNE LAMPE A DECHARGE ELECTRIQUE FICTIVE QUI OPERE EN COURANT CONTINU DANS LA ZONE DE DECHARGE LUMINEUSE NORMALE. LES SUBSTRATS SONT POSITIONNES PARALLELEMENT AUX LIGNES DE COURANT DE LA DECHARGE (MINIMISATION DE LA CONTAMINATION ET DE LA DEGRADATION). PLUSIEURS MODES D'ACTIVATION PEUVENT AINSI INTERVENIR SIMULTANEMENT. LE TUBE FICTIF REALISE EST UN PETIT FOUR TUNNEL NON ETANCHE ET DEMONTABLE PLACE SOUS UNE CLOCHE A VIDE. LES ELECTRODES CONSTITUENT SES EXTREMITES. LES SUBSTRATS A COUVRIR SONT DISPOSES SUR LA SOLE CHAUFFEE. LES REACTIFS SONT INTRODUITS A L'ANODE ET EVACUES A LA CATHODE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES (PRESSION, TEMPERATURE, COMPOSITION, INTENSITE DU COURANT, TEMPS DE DEPOT, LA POSITION LE LONG DE LA DECHARGE) A ETE ETUDIEE QUANT A LA CINETIQUE DE LA FORMATION ET LA QUALITE DES COUCHES. LES FILMS DIELECTRIQUES OBTENUS ONT ETE SOUMIS A UNE ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SPECTROMETRIE INFRAROUGE ET SPECTROSCOPIE RAMAN, ANALYSE SIMS, ELLIPSOMETRIE, ...). UNE EXPLOITATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES STRUCTURES MIS REALISEES PAR METALLISATION DES COUCHES A PERMIS UNE EVALUATION DE LA QUALITE ELECTRIQUE

Depot chimique en phase vapeur a l'interieur d'une decharge electrique de courant continu. Application au nitrure de silicium

Depot chimique en phase vapeur a l'interieur d'une decharge electrique de courant continu. Application au nitrure de silicium PDF Author: Roger Botton
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Etude et modélisation d'un dépôt chimique en phase vapeur de silice à partir de tétraéthoxysilane

Etude et modélisation d'un dépôt chimique en phase vapeur de silice à partir de tétraéthoxysilane PDF Author: Bernard Delperier
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Pages : 264

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Couches minces en silicium microcristallin préparées par dépôt chimique en phase vapeur par filament chaud: de l'analyse des propriétés des couches à la réalisation des cellules solaires

Couches minces en silicium microcristallin préparées par dépôt chimique en phase vapeur par filament chaud: de l'analyse des propriétés des couches à la réalisation des cellules solaires PDF Author: Chisato Niikura
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Pages : 286

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CETTE THÈSE EST CONSACRÉE À L'ÉTUDE DES COUCHES EN SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGÉNÉ ("micro"C-SI:H) PRÉPARÉES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR FlLAMENT CHAUD (HWCVD) PROPOSÉ COMME UNE ALTERNATIVE À LA MÉTHODE CONVENTIONELLE DE DÉPÔT PAR PLASMA, AYANT POUR OBJECTIF L'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DES COUCHES POUR L'APPLICATION SUR CELLULES SOLAIRES. PROPRIÉTÉS PHYSIQUES DES COUCHES PRÉPARÉES UTILISANT SIH4 DILUÉ DANS H2 AVEC DIFFÉRENTES VALEURS DE DILUTION DH ONT ÉTÉ CARACTÉRISÉES PAR DIFFÉRENTES TECHNIQUES. PARTICULIÈREMENT, ANALYSE IN-SITU D'ELLIPROMÉTRIE INFRAROUGE A ÉTÉ, POUR LA PREMIÈRE FOIS, APPLIQUÉE A LA CROISSANCE DES COUCHES PAR HWCVD: ÉVOLUTION DE LA CONFIGURATION DES LIAISONS Sl-H A ÉTÉ CORRELÉE AVEC LES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. MEILLEURE LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS A ÉTÉ OBTENUE POUR LES COUCHES EN "micro"C-SI:H PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES AMORPHE ET MICROCRISTALLINE: CECI PEUT ÉTRE DU AU RÉSEAU AMORPHE RELAXE QUI EST AMENÉ PAR RÉACTIONS DE RECONSTRUCTION INDUITES PAR DIFFUSION DES ATOMES H PENDANT LA CROISSANCE, ÉTANT SUGGÉRÉ PAR ANALYSES DES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. CEPENDANT, IL A ÉTÉ MONTRÉ QU'IL Y A UNE COUCHE D'INCUBATION AMORPHE ÉPAISSE FORMÉE AVANT LE NOYAUTAGE DES MICROCRISTAUX, QUI EMPÉCHE LE TRANSPORT ÉLECTRONIQUE DANS LA DIRECTION TRANSVERSALE DE CES COUCHES. DANS LE BUT D'AVOIR DES COUCHES EN "micro"C-Sl:H SANS COUCHE D'INCUBATION ET AVEC LES PROPRIÉTÉS FAVORABLES DE LA VOLUME ASSOCIÉES AUX COUCHES PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES, NOUS AVONS PROPOSE UN PROCÈDÉ DE DH VARIABLE TENANT COMPTE DES RÉSULTATS TRÉS POSITIFS GRÂCE AU PROCÉDÉ DE DH VARIABLE, DES COUCHES INTRINSÈQUES EN "micro"C-SI:H PRÉPARÉES PAR HWCVD ONT ÉTÉ APPLIQUÉES À LA FABRICATION DES CELLULES SOLAIRES. UN RENDEMENT DE 5,1 % OBTENU POUR DES CELLULES DE LA STRUCTURE N-l-P SUR SUBSTRAT EN VERRE A CONFIRMÉ UNE BONNE QUALITÉ DES COUCHES INTRINSÈQUES.LA VOIE POUR L'AMÉLIORATION DE LA PERFORMANCE DES CELLULES EST DlSCUTÉE EN CONSIDÉRATION DES RÉSULTATS.