CROISSANCE ET CARACTERISATIONS DE FILMS SUPRACONDUCTEURS DE BISRCACUO DEPOSES PAR ABLATION LASER PDF Download
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Author: Laurent Ranno
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Languages : fr
Pages : 126
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L'ETUDE PORTE SUR DES COUCHES MINCES DE BISRCACUO DEPOSEES PAR ABLATION LASER SUR UN SUBSTRAT DE MGO(001). LA CROISSANCE DE LA PHASE BI-2212 S'EFFECTUE IN SITU A 700C ET SOUS UNE ATMOSPHERE DE 0,1 MBAR D'OXYGENE. LA TEXTURE DES FILMS A ETE ETUDIEE PAR DIFFRACTION DE RAYONS X ET PAR CANALISATION D'IONS D'HE DE 2 MEV. DE TRES BONS TAUX DE CANALISATION DE 30% ONT ETE MESURES SUR DES FILMS D'EPAISSEUR INFERIEURE A 100 NM, MALGRE LE FORT DESACCORD DE MAILLE FILM-SUBSTRAT. L'IMPORTANCE DE L'INTERCROISSANCE DES PHASES BI-2201, BI-2212 ET BI-2223 EST MISE EN EVIDENCE ET SON INFLUENCE SUR LES SPECTRES DE DIFFRACTION X EST DEMONTREE. L'INTERCROISSANCE EST RELIEE AUX ECARTS DE STOECHIOMETRIE ET AUX CONDITIONS DE CROISSANCE. L'EPITAXIE DES FILMS EST VERIFIEE PAR DIFFRACTION RASANTE DE RAYONS X ET PAR CANALISATION PLANAIRE. OUTRE LES ORIENTATIONS A 0 ET 45, L'ORIGINE DE L'ORIENTATION A 13 EST DISCUTEE DANS LE CADRE DU MODELE N.C.S.L. L'HYPOTHESE D'UNE STRUCTURE PARTICULIERE A L'INTERFACE EST PROPOSEE. LA TEMPERATURE CRITIQUE DES FILMS SYNTHETISES A 700C NE DEPASSE PAS 50 K. APRES RECUIT A 870C LA TC ATTEINT 90 K. LES MODELES ASSOCIANT AUX FLUCTUATIONS DE CONDUCTIVITE DU TYPE ASLAMAZOV-LARKIN, LA GRANULARITE DES FILMS NE PERMETTENT PAS DE RENDRE COMPTE DE L'EXCES DE CONDUCTIVITE AU DESSUS DE LA TRANSITION. UNE MODELISATION RELAXANT L'HYPOTHESE D'HOMOGENEITE DE LA SUPRACONDUCTIVITE DES GRAINS EST PROPOSEE, ET PERMET D'OBTENIR LA DISTRIBUTION DE TEMPERATURES CRITIQUES DE CEUX-CI. L'UTILISATION D'OXYGENE 18 ET DE MICROANALYSES NUCLEAIRES PERMET DE RELEVER L'EFFET IMPORTANT DE L'OXYGENE DANS LA SYNTHESE. LE ROLE DU RECUIT A 870C EST DISCUTE
Author: Laurent Ranno
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Pages : 126
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L'ETUDE PORTE SUR DES COUCHES MINCES DE BISRCACUO DEPOSEES PAR ABLATION LASER SUR UN SUBSTRAT DE MGO(001). LA CROISSANCE DE LA PHASE BI-2212 S'EFFECTUE IN SITU A 700C ET SOUS UNE ATMOSPHERE DE 0,1 MBAR D'OXYGENE. LA TEXTURE DES FILMS A ETE ETUDIEE PAR DIFFRACTION DE RAYONS X ET PAR CANALISATION D'IONS D'HE DE 2 MEV. DE TRES BONS TAUX DE CANALISATION DE 30% ONT ETE MESURES SUR DES FILMS D'EPAISSEUR INFERIEURE A 100 NM, MALGRE LE FORT DESACCORD DE MAILLE FILM-SUBSTRAT. L'IMPORTANCE DE L'INTERCROISSANCE DES PHASES BI-2201, BI-2212 ET BI-2223 EST MISE EN EVIDENCE ET SON INFLUENCE SUR LES SPECTRES DE DIFFRACTION X EST DEMONTREE. L'INTERCROISSANCE EST RELIEE AUX ECARTS DE STOECHIOMETRIE ET AUX CONDITIONS DE CROISSANCE. L'EPITAXIE DES FILMS EST VERIFIEE PAR DIFFRACTION RASANTE DE RAYONS X ET PAR CANALISATION PLANAIRE. OUTRE LES ORIENTATIONS A 0 ET 45, L'ORIGINE DE L'ORIENTATION A 13 EST DISCUTEE DANS LE CADRE DU MODELE N.C.S.L. L'HYPOTHESE D'UNE STRUCTURE PARTICULIERE A L'INTERFACE EST PROPOSEE. LA TEMPERATURE CRITIQUE DES FILMS SYNTHETISES A 700C NE DEPASSE PAS 50 K. APRES RECUIT A 870C LA TC ATTEINT 90 K. LES MODELES ASSOCIANT AUX FLUCTUATIONS DE CONDUCTIVITE DU TYPE ASLAMAZOV-LARKIN, LA GRANULARITE DES FILMS NE PERMETTENT PAS DE RENDRE COMPTE DE L'EXCES DE CONDUCTIVITE AU DESSUS DE LA TRANSITION. UNE MODELISATION RELAXANT L'HYPOTHESE D'HOMOGENEITE DE LA SUPRACONDUCTIVITE DES GRAINS EST PROPOSEE, ET PERMET D'OBTENIR LA DISTRIBUTION DE TEMPERATURES CRITIQUES DE CEUX-CI. L'UTILISATION D'OXYGENE 18 ET DE MICROANALYSES NUCLEAIRES PERMET DE RELEVER L'EFFET IMPORTANT DE L'OXYGENE DANS LA SYNTHESE. LE ROLE DU RECUIT A 870C EST DISCUTE
Author: Dominique Keller
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Languages : fr
Pages : 192
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CE TRAVAIL A PORTE SUR L'ETUDE DES PREMIERS STADES DE LA CROISSANCE DE FILMS MINCES D'OXYDE SUPRACONDUCTEUR YBA#2CU#3O#7#-#X (YBCO) DEPOSES SUR DES SUBSTRATS D'OXYDE DE MAGNESIUM PAR ABLATION LASER. NOUS AVONS ETUDIE D'UNE PART L'INFLUENCE DE LA PREPARATION DE LA SURFACE DU SUBSTRAT (MGO(001) OU SURFACE VICINALE DE MGO) ET D'AUTRE PART L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE DEPOT SUR LE MODE DE CROISSANCE ET SUR LA TEXTURE PLANAIRE DES FILMS. L'ASPECT MICROSCOPIQUE A ETE ABORDE PAR LE BIAIS DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ALORS QUE L'ETUDE DE LA MORPHOLOGIE, DE LA TEXTURE ET DE LA RUGOSITE DES FILMS MINCES A ETE MENEE PAR MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE ET PAR DIFFRACTION DE RAYONS X. A UNE TEMPERATURE DE DEPOT FIXEE, L'EVOLUTION DE LA CROISSANCE DU FILM AVEC L'AUGMENTATION DE L'EPAISSEUR DEPOSEE S'APPARENTE A UN MODE DE CROISSANCE STRANSKI-KRASTANOV, LA TRANSITION 2D-3D S'OPERANT POUR UNE EPAISSEUR COMPRISE ENTRE 4 ET 8 MAILLES CRISTALLINES. DANS LA GAMME DE TEMPERATURES 750-780C, LA CROISSANCE S'EFFECTUE EN SPIRALE AUTOUR D'UNE DISLOCATION VIS. HORS DE CET INTERVALLE, LE FILM EST CONSTITUE D'ILOTS. DE MEME, LA TEXTURE PLANAIRE ET LA RUGOSITE DES FILMS SONT CONDITIONNEES PAR LA TEMPERATURE DE DEPOT. PAR AILLEURS, LA NUCLEATION D'YBCO SUR UNE SURFACE VICINALE DE MGO S'EFFECTUE SIMULTANEMENT SUR LES PLATEAUX (2D) ET SUR LE FLANC DES MARCHES (3D), LA CROISSANCE SE POURSUIVANT SOUS FORME D'ILOTS PLATS. POUR UNE TEMPERATURE DE DEPOT T#S=775C, L'UTILISATION D'UN SUBSTRAT DE MGO DESORIENTE ELIMINE COMPLETEMENT LES CROISSANCES SUR DISLOCATIONS VIS AU PROFIT D'UNE CROISSANCE EN ILOTS PLATS. UNE INTERPRETATION DES VARIATIONS DU MODE DE CROISSANCE D'YBCO SUR MGO (SURFACE VICINALE OU NON) EN TERME DE LONGUEURS CARACTERISTIQUES EST EXPLICITEE
Author: Maryline Guilloux-Viry
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Languages : fr
Pages : 174
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NOUS AVONS REALISE IN-SITU DES FILMS D'YBACUO SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE, EPITAXIES SUR DES SUBSTRATS MONOCRISTALLINS DE (100)MGO, (100)SRTIO#3 ET (110)SRTIO#3. LES DEPOTS ONT ETE EFFECTUES A ENVIRON 700#OC SOUS ATMOSPHERE OXYDANTE, SOIT PAR ABLATION LASER GRACE A UN MONTAGE QUE NOUS AVONS MIS AU POINT, SOIT PAR PULVERISATION CATHODIQUE DIODE CONTINUE. LES DEPOTS SUR SUBSTRATS ORIENTES (100), CARACTERISES PAR DIFFRACTION DE RAYONS X EN GEOMETRIE BRAGG-BRENTANO, PRESENTENT UNE ORIENTATION C. DES CLICHES DE DIFFRACTION X EN MODE DE CRISTAL OSCILLANT AINSI QUE DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE (RHEED) PROUVENT LEUR EPITAXIE, LES AXES A ET B DU FILM ETANT ALIGNES AVEC CEUX DU SUBSTRAT. LA QUALITE DE CETTE EPITAXIE A D'AILLEURS ETE CONFIRMEE PAR DES ETUDES DE SPECTROSCOPIE DE RETRODIFFUSION RUTHERFORD EN CANALISATION. L'OBSERVATION EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE MET EN EVIDENCE UNE FAIBLE RUGOSITE, ET LA PRESENCE DE LIGNES SUR LES DIAGRAMMES RHEED CONFIRME CETTE QUALITE DE SURFACE. LES MESURES RESISTIVES ET INDUCTIVES MONTRENT QUE LES FILMS PRESENTENT D'EXCELLENTES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES AVEC DES TRANSITIONS ETROITES; DES RESISTANCES NULLES ONT ETE OBSERVEES DE FACON REPRODUCTIBLE AU VOISINAGE DE 88 K SUR SRTIO#3 ET DE 85 K SUR MGO POUR LES FILMS DEPOSES PAR ABLATION LASER, CES VALEURS ETANT RESPECTIVEMENT DE 85 K ET 83 K DANS LE CAS DE LA PULVERISATION CATHODIQUE. LES MESURES INDUCTIVES METTENT EN EVIDENCE UNE EXCELLENTE HOMOGENEITE DES FILMS, EN PARTICULIER DANS LE CAS DES DEPOTS PAR PULVERISATION. DES DENSITES DE COURANT CRITIQUE ELEVEES, DE L'ORDRE DE 10#5 A.CM##2 A QUELQUES DEGRES DE LA FIN DE TRANSITION RESISTIVE ONT ETE MESUREES SUR DES FILMS PREALABLEMENT GRAVES
Author: Virginie Beaumont
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Languages : fr
Pages : 188
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Des films minces supraconducteurs de NdBa2Cu3O7-delta (NBCO) ont été synthétisés par la méthode de l'ablation laser. Les conditions de croissance et les propriétés physiques ont été étudiées. Le choix de l'atmosphère de dépôt s'est avéré être un paramètre important pour la croissance de films minces orientés avec l'axe c perpendiculaire au plan de substrat. Les meilleurs films ont été obtenus dans une atmosphère mixte d'argon (97%) et d'oxygène (3%). Ces films présentent une température critique (Tc) de 94 K proche de la température critique maximale obtenue pour ce matériau. Pour optimiser davantage le comportement de nos films, l'influence des paramètres tels que la pression totale, la fréquence du laser, l'énergie du laser et les conditions de refroidissement (rampe de refroidissement et température d'introduction de l'oxygène après le dépôt) a aussi été étudiée. Les films déposés sous ces conditions ont une rugosité de surface plus faible que celle des films de YBa2Cu3O7-delta (YBCO) et une densité de courant critique d'un ordre de grandeur inférieur à celle obtenue pour les films YBCO. Ce résultat peut être attribué à la diminution de la concentration des défauts de croissance qui diminue le nombre de centre de piégeage des vortex [etc]
Author: ANNIE.. CHEENNE
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Languages : fr
Pages : 166
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NOUS PRESENTONS UNE ETUDE DE LA CROISSANCE DE COUCHES MINCES DE L'OXYDE SUPRACONDUCTEUR A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE BI#2SR#2CA#1CU#2O#8, DEPOSEES PAR ABLATION LASER, L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL ETANT UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES PROCESSUS DE DEPOT LASER ET DE CROISSANCE EX SITU. PARADOXALEMENT, LES PARAMETRES DU LASER INFLUENT PEU SUR LES CARACTERISTIQUES DES FILMS DEPOSES. LES LONGUEURS D'ONDE SUPERIEURES OU EGALES A 1.064 MICROMETRE SONT TOUTEFOIS A PROSCRIRE, AFIN D'EVITER L'EJECTION DE PARTICULES DE TAILLE MICRONIQUE. IN SITU, LA FORMATION DES FILMS EST GOUVERNEE PAR LA PRESSION D'OXYGENE ET LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. EX SITU, LA CROISSANCE EST INDISSOCIABLE D'UNE FORTE RUGOSITE DE SURFACE DES FILMS, DUE A UNE QUALITE CRISTALLINE MEDIOCRE ET A LA PRESENCE D'UNE IMPURETE ACICULAIRE. LORS DU RECUIT, UN REFROIDISSEMENT RAPIDE CONDUIT A LA FORMATION DE FILMS PRESENTANT UNE TEMPERATURE CRITIQUE ELEVEE ET UN ETAT DE SURFACE PERTURBE. LES COURBES DE RESISTIVITE DES FILMS DE BI#2SR#2CA#1CU#2O#8 ONT ETE ANALYSEES A L'AIDE D'UN MODELE GRANULAIRE. LES RESULTATS METTENT EN EVIDENCE LA QUASI-BIDIMENSIONNALITE DES SUPRACONDUCTEURS AU BISMUTH ET NOUS ONT PERMIS DE DEMONTRER LE ROLE CRITIQUE DE L'INCORPORATION EN OXYGENE. EN CONCLUSION, UN PROCESSUS DE FORMATION DES COUCHES QUI POURRA EGALEMENT ETRE APPLIQUE A LA REALISATION DE FILMS IN SITU EST PROPOSE
Author: XAVIER.. CASTEL
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Languages : fr
Pages : 155
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DES FILMS SUPRACONDUCTEURS DE YBA#2CU#3O#7 ONT ETE ELABORES PAR ABLATION LASER EN VUE D'APPLICATIONS EN HYPERFREQUENCES. CELLES-CI NECESSITENT DES FILMS EPITAXIES ET IMPOSENT L'UTILISATION DE SUBSTRATS POSSEDANT DE TRES FAIBLES PERTES DIELECTRIQUES (TG) ET UNE PERMITTIVITE RELATIVE #R PEU ELEVEE (10). DEUX SUBSTRATS MONOCRISTALLINS POSSEDENT CES CARACTERISTIQUES : (100) MGO ET AL#2O#3 ORIENTE R. CEPENDANT, TOUS DEUX PRESENTENT DES CONTRAINTES SPECIFIQUES A LA CROISSANCE DU MATERIAU YBA#2CU#3O#7. LE FORT DESACCORD DE MAILLE ENTRE YBA#2CU#3O#7 ET MGO CONDUIT A UNE COMPETITION DANS LE PLAN ENTRE DEUX PRINCIPALES ORIENTATIONS NOTEES C##0 ET C##4#5 (L'AXE C RESTANT PARALLELE A L'AXE DE CROISSANCE). NOUS AVONS CORRELE LE TAUX DE MELANGE (C##4#5/C##0) AUX PERTES HYPERFREQUENCES MESUREES PAR LA RESISTANCE DE SURFACE R#S (10 GHZ ET 77 K) ET AUX PERTES INDUCTIVES A BASSE FREQUENCE CARACTERISEES PAR LA SURFACE DU PIC EN MESUREE PAR SUSCEPTIBILITE ALTERNATIVE. IL DECOULE DE CETTE ETUDE UNE CORRELATION DIRECTE ENTRE LES PERTES A HAUTE ET BASSE FREQUENCES. LA CROISSANCE DE YBA#2CU#3O#7 SUR SAPHIR NECESSITE LE DEPOT D'UNE COUCHE TAMPON AFIN DE STOPPER L'INTERDIFFUSION CHIMIQUE FILM/SUBSTRAT. NOUS AVONS DEPOSE UNE COUCHE TAMPON DE CEO#2 DE QUALITE EPITAXIALE QUASI-PARFAITE. DES COUCHES MINCES DE YBA#2CU#3O#7 ORIENTEES C ONT ETE EPITAXIEES IN SITU SUR CEO#2/AL#2O#3. CES FILMS POSSEDENT DE TRES BONNES CARACTERISTIQUES CRISTALLOGRAPHIQUES, SUPRACONDUCTRICES ET EN HYPERFREQUENCES (R#S HABITUELLEMENT DE L'ORDRE DE 0,5 M A 10 GHZ ET 77 K). DANS LE BUT D'EVALUER L'INTERET DE L'UTILISATION DE YB#2CU#3O#7 A FREQUENCE ELEVEE (38 GHZ), DEUX ANTENNES ONT ETE CONCUES ET REALISEES, L'UNE EN YBA#2CU#3O#7, L'AUTRE EN ARGENT, TOUTES DEUX DEPOSEES SUR MGO. LES PARAMETRES DE REPARTITION S#1#1 ET S#2#1 ONT ETE MESURES A 80 K DANS UN BANC DE MESURES CRYOGENIQUES QUE NOUS AVONS SPECIALEMENT CONCU. LE GAIN DE L'ANTENNE SUPRACONDUCTRICE A 80 K APPARAIT SUPERIEUR DE 2,2 DB A CELUI DE L'ANTENNE METALLIQUE MESURE A TEMPERATURE AMBIANTE ET DE 1,2 DB A 80 K. CES RESULTATS METTENT EN EVIDENCE L'INTERET DU CUPRATE SUPRACONDUCTEUR YB#2CU#3O#7 PAR RAPPORT A UN METAL CLASSIQUE, MEME A FREQUENCE TRES ELEVEE.
Author: CECILE.. PROUTEAU
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Languages : fr
Pages : 199
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UNE DES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DES OXYDES DE CUIVRE A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE EST LEUR ANISOTROPIE. LE COMPOSE YBA#2CU#3O#7#-#X, QUI PRESENTE UNE TEMPERATURE CRITIQUE DE 92 K, EST UN DES MATERIAUX LES PLUS ETUDIES A CE JOUR POUR LA CONCEPTION DE DISPOSITIFS REALISES A PARTIR DE FILMS MINCES. LE DEPOT DE CE MATERIAU SUIVANT UNE ORIENTATION PARTICULIERE, PERMET DE METTRE A PROFIT L'ANISTROPIE QUI EXISTE ENTRE LES PLANS A-B ET LA DIRECTION C. C'EST LA RAISON POUR LAQUELLE NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A LA SYNTHESE DE FILMS D'YBA#2CU#3O#7#-#X PAR ABLATION LASER SUIVANT DEUX ORIENTATIONS PARTICULIERES: L'AXE C PERPENDICULAIRE AU PLAN DU SUBSTRAT (C) ET L'AXE A PERPENDICULAIRE AU PLAN DU SUBSTRAT (A). LORS DE CE TRAVAIL, APRES AVOIR MIS AU POINT UNE METHODE DE SYNTHESE ADAPTEE A CHAQUE TYPE DE SUBSTRAT UTILISE, UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DES FILMS EN RELATION AVEC LEUR MICROSTRUCTURE A ETE EFFECTUEE. PLUS PARTICULIEREMENT, L'ACCENT A ETE MIS SUR L'AMELIORATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT DE FILMS ORIENTES C DEPOSES SUR SUBSTRAT DE MGO PAR DEPOT D'UNE COUCHE D'ADAPTATION DE SRTIO#3, ET SUR LES PROBLEMES LIES A LA SYNTHESE DE FILMS ORIENTES A SUR SUBSTRAT DE MGO AVEC COUCHE D'ADAPTATION DE PRBA#2CU#3O#7#-#X, SUR SUBSTRAT DE SRTIO#3 AVEC COUCHE D'ADAPTATION DE LA#4BACU#5O#1#3 ET SUR SUBSTRAT DE NDGAO#3. UNE ETUDE SUR LE PIEGEAGE DES VORTEX DANS DE TELS FILMS A ETE MENEE ET DES MESURES DE TRANSPORT SOUS CHAMP ONT ETE EFFECTUEES DE MANIERE A TENTER D'EXPLIQUER LA DIFFERENCE DE COMPORTEMENT ENTRE LES FILMS ORIENTES A ET LES FILMS ORIENTES C ET SURTOUT LA DIFFERENCE DE TEMPERATURE CRITIQUE
Author: NATHALIE.. LEMEE
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Languages : fr
Pages : 169
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DES FILMS CU#XMO#6S#8 ONT ETE SYNTHETISES, POUR LA PREMIERE FOIS, PAR ABLATION LASER. GRACE A UNE ETUDE APPROFONDIE DES CONDITIONS DE DEPOT ET MALGRE LA COMPLEXITE STRUCTURALE DU MATERIAU, NOUS SOMMES PARVENUS A MAITRISER LA CROISSANCE CRISTALLINE QUI VARIE SELON LES SUBSTRATS UTILISES. SUR DES SUBSTRATS MONOCRISTALLINS TELS QUE LE SAPHIR ORIENTE R OU C, CU#XMO#6S#8 PRESENTE UNE CROISSANCE EPITAXIALE, CE QUI N'AVAIT ENCORE JAMAIS ETE OBTENUE AUPARAVANT, SELON UNE ORIENTATION PREFERENTIELLE (100)#R#H. SUR SAPHIR R, L'ORIENTATION DANS LE PLAN SE CARACTERISE PAR L'EXISTENCE DE DEUX FAMILLES DE RHOMBOEDRES, TOURNEES A 180 L'UNE DE L'AUTRE. SUR DES SUBSTRATS DE SYMETRIE CUBIQUE TELS QUE MGO (100) OU Y : ZRO#2 (100), L'ORIENTATION EST TRES DIFFERENTE, EN EFFET LE MATERIAU SUIT UNE CROISSANCE EPITAXIALE COMPLEXE SELON (120)#R#H IMPLIQUANT LA COEXISTENCE DE PLUSIEURS FAMILLES DANS LE PLAN. SUR DES FILMS CU#2MO#6S#8 SUPRACONDUCTEURS DEPOSES SUR AL#2O#3-R, NOUS AVONS MONTRE QUE LA MICROSTRUCTURE N'INFLUENCE PAS LA TRANSITION QUI SE SITUE PRES DE 10 K, MAIS QU'ELLE JOUE UN ROLE IMPORTANT SUR LES DENSITES DE COURANT CRITIQUE, J#C, DANS LA MESURE OU J#C DIMINUE LORSQUE LA QUALITE CRISTALLINE AUGMENTE : SUR UN FILM SANS ORIENTATION PREFERENTIELLE J#C(4 T, 4,2 K) EST PROCHE DE 10#9 A.M##2 ALORS QUE POUR LE FILM PRESENTANT LA MEILLEURE CROISSANCE EPITAXIALE, J#C(4 T, 4,2 K) EST DE QUELQUES 10#5 A.M##2. CECI ILLUSTRE LE ROLE DES DEFAUTS CRISTALLINS SUR L'ANCRAGE DES VORTEX ET PERMET D'ENVISAGER DES ETUDES PLUS FINES DES RELATIONS ENTRE MICROSTRUCTURE ET PROPRIETES DE TRANSPORT. LE COMPOSE CU#XMO#6S#8 EST CONNU POUR SES PROPRIETES D'INTERCALATION-DESINTERCALATION. PAR VOIE CHIMIQUE, EN MILIEU ACIDE, NOUS AVONS REUSSI A DESINTERCALER LE CUIVRE DU FILM, ET PAR TRANSPORT EN PHASE GAZEUSE, NOUS AVONS REALISE L'INSERTION DE GROS CATIONS TELS QUE LE PLOMB OU L'ETAIN OBTENANT AINSI DES FILMS D'UNE PHASE DE CHEVREL A GROS CATIONS. UNE ETUDE COMPARATIVE PAR VOIE ELECTROCHIMIQUE A ETE MENEE.
Author: CLAIRE.. LE PAVEN-THIVET
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Languages : fr
Pages : 209
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CE TRAVAIL PORTE SUR LA CROISSANCE EPITAXIALE PAR ABLATION LASER DE FILMS MINCES D'YBA#2CU#3O#7 SUR DIVERS SUBSTRATS: DES FILMS ONT TOUT D'ABORD ETE DEPOSES SUR SRTIO#3(100) ET (110) AFIN D'OPTIMISER LES CONDITIONS DE CROISSANCE, PUIS SUR DIVERS SUBSTRATS SPECIFIQUES AU DOMAINE D'HYPERFREQUENCES: MGO, LAALO#3, SRLAALO#4 ET AL#2O#3. CETTE ETUDE A DEMONTRE L'IMPORTANCE DU CONTROLE DE LA QUALITE DE SURFACE DU SUBSTRAT ET A PERMIS L'OBTENTION DE FILMS D'EXCELLENTE QUALITE, MEME SUR SAPHIR SANS COUCHE TAMPON. LES FILMS ONT ETE SYSTEMATIQUEMENT CARACTERISES PAR DIVERSES METHODES DE DIFFRACTION ET DE CANALISATION AFIN D'EVALUER LEUR QUALITE CRISTALLINE ET DE DETERMINER LES RELATIONS D'EPITAXIE. LES CARACTERISTIQUES SUPRACONDUCTRICES ONT ETE MESUREES PAR METHODES RESISTIVE ET INDUCTIVE, MONTRANT UNE EXCELLENTE HOMOGENEITE DE L'ENSEMBLE DES FILMS ET DES TEMPERATURES CRITIQUES ELEVEES, COMPRISES ENTRE 85 ET 90 K. LA RESISTANCE DE SURFACE, PARAMETRE PERTINENT POUR LES APPLICATIONS HYPERFREQUENCES, A ETE MESUREE PAR LA METHODE DU RESONATEUR DIELECTRIQUE SUR DE NOMBREUX ECHANTILLONS ; LES VALEURS OBTENUES, INFERIEURES A 1 M (77 K, 10 GHZ) POUR LES MEILLEURS ECHANTILLONS, ONT ETE CORRELEES A DIVERSES CARACTERISTIQUES CRISTALLOGRAPHIQUES ET PHYSIQUES: IL APPARAIT QUE LE PARAMETRE PRIMORDIAL D'OBTENTION D'UNE FAIBLE RS EST LA QUALITE DE LA CRISTALLISATION, EN PARTICULIER L'ABSENCE DE JOINTS DE GRAINS A GRAND ANGLE. CES RESULTATS ONT ETE CONFIRMES PAR DE NOMBREUSES ETUDES COMPLEMENTAIRES EN OPTIQUE ET EN HYPERFREQUENCES, REALISEES EN COLLABORATION AVEC DIFFERENTS LABORATOIRES. LES POSSIBILITES D'APPLICATIONS DE FILMS YBA#2CU#3O#7 DE CETTE HAUTE QUALITE ONT ETE ILLUSTREES PAR LA REALISATION DE PREMIERS DISPOSITIFS TELS QU'UNE ANTENNE RMN BAS CHAMP ET DES RESONATEURS ET FILTRES PLANAIRES
Author: SANDRINE.. PESSAUD BEAUQUIS
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Languages : fr
Pages : 119
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CE TRAVAIL A EXPLORE LES CONDITIONS DE MISE UVRE ET TESTE DANS LE CAS DE DEUX CIBLES, L'UNE SUPRACONDUCTRICE, L'AUTRE ISOLANTE, UNE METHODE PEU EMPLOYEE JUSQU'A PRESENT DANS LE DOMAINE DES MATERIAUX OXYDES : LA CHIMIE COMBINATOIRE PAR ABLATION LASER MULTICIBLE. LES RESULTATS MONTRENT QUE LES MATERIAUX AINSI ELABORES SE DEMARQUENT DES MILIEUX CRISTALLISES ET DES SOLUTIONS SOLIDES. ILS SONT EN EFFET INTRINSEQUEMENT HETEROGENES A UNE ECHELLE DE QUELQUES MAILLES. L'UTILISATION DES METHODES DE CARACTERISATION ADAPTEE A DES STRUCTURES PERIODIQUES USUELLES POSE DES PROBLEMES. PAR EXEMPLE LES ILOTS ISOLES SE REPETANT DE FACON IRREGULIERE RISQUENT DE NE PAS ETRE DETECTES PAR DIFFRACTION DES RAYONS X. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE SPECIFIQUE DE SIMULATION DES SPECTRES DE REFLECTIVITE INFRAROUGE DE L'ENSEMBLE COUCHE-SUBSTRAT ET VERIFIE QU'UN MODELE DE DRUDE ETENDU PERMETTAIT DE SIMULER ASSEZ PRECISEMENT LES SPECTRES EXPERIMENTAUX. NOUS AVONS UTILISE CE MODELE POUR TENTER DE DOSER LA PROPORTION DE PHASE YBA#2CU#3O#7. SELON LES COMPOSITIONS, LES PROFILS DE CONDUCTIVITE OPTIQUE EGALEMENT DEDUITS DE CETTE ANALYSE, PASSENT PRESQUE CONTINUMENT DE PROFILS PROCHES DE DRUDE A DES PROFILS PLATS, VOIRE DECROISSANTS VERS LES BASSES FREQUENCES. CES DERNIERS TEMOIGNENT SANS DOUTE D'UNE CONDUCTIVITE PAR DIFFUSION INCOHERENTE DES PORTEURS. CET ETAT NORMAL TRES ELOIGNE DES CARACTERISTIQUES USUELLES D'UN METAL N'EMPECHE NULLEMENT UNE SUPRACONDUCTION A HAUT T#C. NOUS AVONS FORMULE LA CONJECTURE QUE CE RESULTAT INATTENDU POUVAIT S'EXPLIQUER A PARTIR DE MOTIFS STRUCTURAUX M#2(Y, CA)CU#2O#6 COMBINES A DES COUCHES RESERVOIR DONT LA NATURE ET LA COMPOSITION DOIVENT MODIFIER LA DISTANCE ENTRE LE CUIVRE DES PLANS CONDUCTEURS ET L'OXYGENE APICAL. OR CE CRITERE CONTRIBUE SENSIBLEMENT A DETERMINER LE T#C. SI CETTE CONJECTURE SE VERIFIE, ELLE SIGNIFIERAIT QUE LA SUPRACONDUCTIVITE DANS LES CUPRATES BI-DIMENSIONNELS S'ACCOMMODE D'UN DESORDRE STRUCTURAL DANS LA DIRECTION PERPENDICULAIRE AUX PLANS CONDUCTEURS.
