Contributions à l'étude du bruit de phase dans les lasers à semiconducteur

Contributions à l'étude du bruit de phase dans les lasers à semiconducteur PDF Author: François Coste
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Languages : fr
Pages : 244

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Contributions à l'étude du bruit de phase dans les lasers à semiconducteur

Contributions à l'étude du bruit de phase dans les lasers à semiconducteur PDF Author: François Coste
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Languages : fr
Pages : 244

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Etude des états comprimés de la lumière générés par des lasers à semi-conducteurs

Etude des états comprimés de la lumière générés par des lasers à semi-conducteurs PDF Author: Jean-Luc Vey
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Languages : fr
Pages : 208

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Contribution à l'étude de bruit électrique en 1/f, en basse fréquence, des lasers à semiconducteurs

Contribution à l'étude de bruit électrique en 1/f, en basse fréquence, des lasers à semiconducteurs PDF Author: Abdelmounen Yarbou
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Languages : fr
Pages : 234

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ETUDE DU BRUIT QUANTIQUE DANS LES LASERS A SEMICONDUCTEUR ET A SOLIDE

ETUDE DU BRUIT QUANTIQUE DANS LES LASERS A SEMICONDUCTEUR ET A SOLIDE PDF Author: ALBERTO.. BRAMATI
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Languages : fr
Pages : 208

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LA THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DU BRUIT QUANTIQUE DANS LES LASERS A SEMICONDUCTEUR ET A SOLIDE. LE PRINCIPE DE LA SUPPRESSION DU BRUIT DE POMPE EST UTILISE AVEC DIFFERENTES METHODES POUR REDUIRE LE BRUIT D'INTENSITE. LES LASERS SEMICONDUCTEUR A RUBAN ONT ETE ETUDIES EN UTILISANT DIFFERENTS TYPES DE TECHNIQUES D'AFFINEMENT SPECTRAL A TEMPERATURE AMBIANTE : DIODE SUR RESEAU ET INJECTION OPTIQUE. LA COMPRESSION DE BRUIT MESUREE EST DE 1.6 DB ET 2.3 DB RESPECTIVEMENT. LA PRINCIPALE CONCLUSION DE CETTE ETUDE EST QUE LE BRUIT D'INTENSITE DES DIODES LASER RESULTE DE L'ANNULATION ENTRE LES FLUCTUATIONS FORTEMENT ANTICORRELEES DU MODE PRINCIPAL ET DES FAIBLES ET NOMBREUX MODES LONGITUDINAUX. LES MESURES EFFECTUEES A BASSE TEMPERATURE MONTRENT L'IMPORTANCE DES CORRELATIONS QUANTIQUES ENTRE MODES DE POLARISATION ORTHOGONALE. L'ETAPE SUIVANTE EST L'ETUDE DES LASERS SEMICONDUCTEUR A MICROCAVITE (VCSELS). UNE COMPRESSION DE BRUIT DE 0.7 DB SOUS LE BRUIT QUANTIQUE STANDARD, RESULTANT DE FORTES ANTICORRELATIONS ENTRE LES MODES TRANSVERSES, A ETE OBSERVEE DANS UN VCSEL MULTIMODE. UNE ETUDE APPROFONDIE DE CES ANTICORRELATIONS EST EFFECTUEE ANALYSANT LA DISTRIBUTION SPATIALE TRANSVERSE DU BRUIT D'INTENSITE. UN MICROLASER ND:YVO 4 POMPE PAR DIODE A BRUIT COMPRIME A AUSSI ETE ETUDIE. LES EFFETS DU BRUIT DE POMPE SUR LE BRUIT D'INTENSITE DU MICROLASER SONT CLAIREMENT MIS EN EVIDENCE. LA REALISATION D'UNE BOUCLE DE RETROACTION NON STANDARD SUR LA DIODE LASER DE POMPE REVELE L'EXISTENCE D'EFFETS NON LINEAIRES DANS LE SPECTRE DE BRUIT. LA TECHNIQUE DE L'INJECTION OPTIQUE A AUSSI ETE UTILISEE AVEC SUCCES POUR SUPPRIMER L'OSCILLATION DE RELAXATION. ENFIN, UNE APPLICATION DES DIODES LASER A BRUIT COMPRIME EST PRESENTEE. LA TECHNIQUE DE LA MODULATION DE FREQUENCE EST EMPLOYEE AVEC DES LASER A BRUIT D'INTENSITE SOUS LE BRUIT QUANTIQUE STANDARD POUR LA DETECTION DE SIGNAUX D'ABSORPTION DANS UNE EXPERIENCE DE SPECTROSCOPIE DE HAUTE SENSIBILITE.

Analyse du spectre, de la dynamique et du bruit des lasers à semi-conducteurs

Analyse du spectre, de la dynamique et du bruit des lasers à semi-conducteurs PDF Author: Christelle Birocheau
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Languages : fr
Pages : 498

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Cette thèse apporte une contribution à l'étude expérimentale approfondie et la modélisation du comportement spectral des lasers a semi-conducteurs, dans deux domaines particuliers de fonctionnement: au passage au seuil, et en présence de rétroaction optique, dans le régime de perte de cohérence. Nous exploitons nos résultats asymptotiques de largeur spectrale et puissance en fonction du courant d'injection, de part et d'autre du seuil, en proposant une détermination de quatre paramètres intrinsèques au laser: le facteur de couplage phase-amplitude (), le taux d'émission spontanée (r), le nombre de photons à saturation (s#s), et le temps de vie des porteurs (#p). Nous donnons leurs expressions analytiques en fonction de grandeurs directement mesurables, ceci ne dépendant pas de la structure du laser à semi-conducteur. Nous adaptons deux modèles (issus des théories de Landau et Fokker Planck), au cas du laser à semi-conducteur. Ils permettent de décrire continûment la transition qui a lieu au seuil. En présence de rétroaction optique, nous montrons que la transition vers les régimes chaotiques suit une route quasi-périodique et nous mesurons le taux de rétroaction critique correspondant à l'entrée en régime de perte de cohérence. Nos résultats expérimentaux nous permettent de montrer que la densité spectrale du champ optique perd simultanément son caractère lorentzien au profit d'un caractère gaussien. A l'aide du potentiel thermodynamique associé au système, nous interprétons qualitativement le rôle immunisant que joue le courant d'injection contre la rétroaction. Enfin, nous utilisons le régime de perte de cohérence pour déterminer la fréquence de relaxation et le gain différentiel du laser

Contribution à l'étude de la mise en phase de lasers à solide et à semiconducteur

Contribution à l'étude de la mise en phase de lasers à solide et à semiconducteur PDF Author: Hervé Tronche
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Languages : fr
Pages : 406

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Cette thèse porte sur l'étude de la mise en phase de réseaux linéaires de lasers faiblement couplés, appliquée aux réseaux de lasers à semiconducteur et de microlasers à solide. La mise en phase d'un réseau de lasers constitue unmoyen de dépasser les limitations actuelles des sources laser unitaires et de créer un faisceau de forte intensité lumineuse, à la fois cohérent spatialement (faible divergence) et spectralement (synchronisation de l'émission du réseau sur une seule fréquence). Après une rapide présentation de la définition de mise en phase et des différents modèles développés à cet effet, le premier chapitre est consacré à l'établissement d'une méthodologie générale d'analyse des effets temporels de la mise en phase d'un réseau de lasers faiblement couplés. cette méthodologie repose sur les équations d'évolution couplées qui sont démontrées à partir des équations de Maxwell et de la théorie semiclassique appliquée au couplage faible de lasers. Puis ces considérations théoriques sont appliquées à l'étude de deux cas particuliers : la mise en phase d'un réseau de lasers à semiconducteur par cavité externe dans le deuxième chapitre et la mise en phase d'un réseau de microlasers à solide par champ évanescent dans le troisième chapitre.

Contribution à l'étude du bruit d'amplitude de lasers dédiés aux télécommunications optiques

Contribution à l'étude du bruit d'amplitude de lasers dédiés aux télécommunications optiques PDF Author: Julien Poëtte
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Languages : fr
Pages : 270

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Ce manuscrit présente une étude du bruit d'amplitude des lasers à fibres et à semi-conducteurs émettant à 1550 nm. Les modèles théoriques permettant d'étudier le comportement des lasers solides à deux, trois et quatre niveaux ainsi que celui des lasers à semi-conducteurs sont présentés. Ils montrent comment, à partir des mesures du Rin des lasers il est possible de remonter aux caractéristiques fondamentales de ces derniers. La technique de mesure du bruit d'amplitude utilisée permet avec une très grande sensibilité de mesurer des bruits d'amplitude aussi faibles que -170 dB/Hz pour 1 mW détecté sur une plage de fréquences allant de 100 kHz à 22 GHz. Nous avons caractérisés différentes structures lasers, en particulier aux lasers à fibre DFB. Des structures originales fabriquées à l'Université Laval à Québec permettent un fonctionnement simultané de plusieurs canaux séparés de 50 GHz dans une structure ultra compacte. Nous avons montré que les différents modes longitudinaux de ces structures étaient indépendants et analogues aux modes de lasers à fibre monomodes. L'étude du transfert de bruit par injection optique a aussi été menée tant théoriquement qu'expérimentalement. Une étude des spectres optiques de laser à semi-conducteurs DFB à permis d'étudier le transfert d'impureté spectral, notamment du point de vue du bruit, pour les lasers soumis à injection optique. Nous avons mis en évidence la réduction expérimentale des bruits aux basses fréquences du laser esclave lorsque leurs origines n'étaient pas optiques et le transfert théorique du bruit d'amplitude aux fréquences correspondant à la fréquence de relaxation du laser maître.

CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA GENERATION DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE PAR LES LASERS SEMI-CONDUCTEURS

CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA GENERATION DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE PAR LES LASERS SEMI-CONDUCTEURS PDF Author: FRANCINE.. JEREMIE
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Languages : fr
Pages : 170

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DANS LA PLUPART DES SYSTEMES DE COMMUNICATIONS PAR FIBRE OPTIQUE ACTUELS, LES PERFORMANCES DE DETECTION SONT UNIQUEMENT LIMITEES PAR LE BRUIT QUANTIQUE DE LA LUMIERE. L'UTILISATION D'ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE QUI OFFRENT LA POSSIBILITE D'OBTENIR UN FAISCEAU LASER DONT LE BRUIT QUANTIQUE EST INFERIEUR AU BRUIT DE GRENAILLE PERMET DONC D'ENVISAGER, A LONG TERME, LE DEVELOPPEMENT D'UNE INSTRUMENTATION PLUS PERFORMANTE ET SUSCEPTIBLE DE REPONDRE AUX EXIGENCES DE NOUVEAUX PROTOCOLES DE TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. C'EST DANS CE CONTEXTE QUE S'INSCRIT CETTE THESE, ET ELLE CONTRIBUE A L'EFFORT ACTUEL VISANT A GENERER DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE AVEC DES LASERS SEMI-CONDUCTEURS COURAMMENT UTILISES DANS LES TELECOMMUNICATIONS. LES FLUCTUATIONS DE L'ENERGIE ET DE LA PUISSANCE EMISE PAR UNE DIODE LASER ONT ETE DETERMINEES PAR UN NOUVEAU FORMALISME CORPUSCULAIRE OPTIQUE. CERTAINS PARAMETRES LIMITANT LES CAPACITES DE COMPRESSION DES DIODES ONT ETE MIS EN EVIDENCE ; LES PERTES INTERNES IMPORTANTES DANS LES LASERS 1550 NM, UN ELARGISSEMENT DE GAIN FAIBLEMENT INHOMOGENE ASSOCIE A UN TAUX DE SUPPRESSION DES MODES SECONDAIRES INSUFFISANTS SONT AUTANT DE FACTEURS DEGRADANT LA COMPRESSION DU BRUIT D'AMPLITUDE. DE MEME LA SUPPRESSION DE GAIN NON NEGLIGEABLE DANS LES NOUVEAUX LASERS A PUITS QUANTIQUES APPARAIT NEFASTE A L'UTILISATION D'UNE SOURCE CALME. DES RECHERCHES EXPERIMENTALES MENEES SUR PLUSIEURS LASERS DFB 1550 NM ONT DEMONTRE QUE L'EXISTENCE DE BRUIT D'EXCES MASQUAIENT LA COMPRESSION. LE BRUIT D'EXCES D'ORIGINE MODALE A ETE REDUIT PAR L'UTILISATION D'UNE CAVITE ETENDUE. 0.7 DB DE COMPRESSION ONT AINSI PU ETRE OBTENU SUR UN PREMIER LASER. L'ASPECT DISPERSIF DE LA CONTRE-REACTION A ENSUITE ETE EXPLOITE AFIN DE REDUIRE PAR DECORRELATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE LE BRUIT D'EXCES D'UN SECOND LASER. 1,6 DB DE COMPRESSION ONT ALORS ETE REALISE.

Bruit relatif d'intensité des lasers à semiconducteur

Bruit relatif d'intensité des lasers à semiconducteur PDF Author: Irène Joindot
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Languages : fr
Pages : 384

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L'ETUDE PORTE SUR DES MESURES DE BRUIT RELATIF D'INTENSITE DES LASERS A SEMICONDUCTEUR. ELLE DEBUTE PAR UNE MODELISATION DES FLUCTUATIONS DE LA PUISSANCE OPTIQUE EMISE, MODELISATION POUR LAQUELLE NOUS AVONS CHERCHE DES EXPRESSIONS ANALYTIQUES APPROCHEES LES PLUS SIMPLES POSSIBLES, FAISANT INTERVENIR UN NOMBRE REDUIT DE PARAMETRES AISEMENT MESURABLES. LES DISPOSITIFS EXPERIMENTAUX DECRITS PERMETTENT DE CONFRONTER THEORIE ET EXPERIENCE. LES FREQUENCES ONT ETE CHOISIES POUR OBSERVER D'UNE PART (30 MHZ) LA STABILISATION PROGRESSIVE DES LASERS ET LA FACON DONT ILS SE RAPPROCHENT D'UNE SOURCE PARFAITE, D'AUTRE PART (800 MHZ A 4 GHZ) LA FREQUENCE DE RESONANCE INTRINSEQUE. CHAQUE TYPE DE LASER A SA SIGNATURE EN BRUIT: LASERS A GUIDAGE PAR LE GAIN ET LASERS A GUIDAGE PAR L'INDICE, LASERS MONOMODAUX ET LASERS MUTIMODAUX. LORSQUE LES DIFFERENTS MODES SONT SEPARES PAR UN SYSTEME DISPERSIF, ON OBSERVE LE BRUIT DE PARTITION QUI RENSEIGNE SUR LES ECHANGES D'ENERGIE ENTRE LES DIFFERENTS MODES. NOUS AVONS PU MONTRER EXPERIMENTALEMENT (JUSQU'A VINGT POUR CENT AU-DESSUS DU SEUIL) ET THEORIQUEMENT (LORSQUE LE GAIN NE CONTIENT QUE SA PARTIE LINEAIRE) QUE LE MODE PRINCIPAL A LE BRUIT RELATIF LE PLUS FAIBLE ET ECHANGE DE L'ENERGIE AVEC TOUS LES AUTRES MODES EMPECHANT CEUX-CI D'ECHANGER ENTRE EUX. POUR TERMINER NOUS AVONS MONTRE QU'IL N'EXISTE PAS DE CORRELATION EVIDENTE ENTRE LE NIVEAU DE BRUIT ET LE TYPE DE STRUCTURE ENTERREE DEVELOPPEE A L'HEURE ACTUELLE ET QUE SEULE UNE AUGMENTATION DE LA LONGUEUR DU LASER PERMET DE DIMINUER LEGEREMENT CE NIVEAU DE BRUIT

RELATION PHASE-AMPLITUDE DANS UN LASER SEMICONDUCTEUR

RELATION PHASE-AMPLITUDE DANS UN LASER SEMICONDUCTEUR PDF Author: OWEN.. DOYLE
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Languages : fr
Pages : 140

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LE COUPLAGE ENTRE LA PHASE ET L'AMPLITUDE DU CHAMP DANS UN LASER SEMI-CONDUCTEUR EST ETUDIE THEORIQUEMENT ET EXPERIMENTALEMENT. CETTE ETUDE PORTE PLUS PARTICULIEREMENT SUR L'INFLUENCE DE LA STRUCTURE ET CONDUIT A LA DEFINITION D'UN PARAMETRE MODAL GENERALISANT LE PARAMETRE CONSTITUTIF DU COUPLAGE APPELE FACTEUR D'ELARGISSEMENT SPECTRAL. CE NOUVEAU PARAMETRE EST EXPRIME PAR DES RELATIONS INTEGRALES PERMETTANT DE DEDUIRE L'INFLUENCE DES CONFINEMENTS OPTIQUE ET ELECTRONIQUE. EN PARTICULIER LE ROLE DES VARIATIONS SPATIALES DU FACTEUR D'ELARGISSEMENT EST MIS EN EVIDENCE. LA DEPENDANCE TEMPORELLE DU COUPLAGE JOUE UN ROLE IMPORTANT BIEN QU'ELLE N'APPARAISSE PAS DANS LES MECANISMES DE BRUIT DETERMINANT LA LARGEUR SPECTRALE. ELLE APPARAIT PAR CONTRE, LORS D'UNE MODULATION SINUSOIDALE DU COURANT INJECTE, DANS LE RAPPORT DES EXCURSIONS SIMULTANEES EN FREQUENCE OPTIQUE ET EN PUISSANCE, APPELE CPR. UNE METHODE ORIGINALE PERMETTANT LA DETERMINATION DE LA PHASE ET DU MODULE DU CPR EST UTILISEE POUR L'ETUDE DYNAMIQUE DE LASERS DE DIFFERENTES STRUCTURES: HITACHI HLP1400 (0,85 MICRON) ET CNET DFB (1,5 MICRON). DANS LES DEUX CAS, LA PHASE DIFFERE DE CELLE PREVUE PAR UN MODELE SPATIALEMENT HOMOGENE.