Author: Abdelhak Belaidi
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Languages : fr
Pages : 149
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LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N DANS DES SOLUTIONS DE HF A ETE ETUDIEE DANS L'OBSCURITE ET SOUS ECLAIREMENT. DANS L'OBSCURITE, UN FAIBLE COURANT ANODIQUE EST OBSERVE POUR DES POTENTIELS VARIANT ENTRE 0,37 ET 4V. LA VALEUR DE CE COURANT CHANGE AVEC LE PH, LA CONCENTRATION DE FLUOR ET LA NATURE DES CATIONS PRESENTS DANS LA SOLUTION. UN MODELE SIMPLE EST PROPOSE POUR EXPLIQUER LA DEPENDANCE DU COURANT ANODIQUE EN FONCTION DE CES PARAMETRES. SOUS FAIBLE INTENSITE LUMINEUSE, LA DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE N CONDUIT A LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. SOUS FORTE INTENSITE LUMINEUSE, LE COMPORTEMENT DU SILICIUM DE TYPE N EST SIMILAIRE A CELUI DU TYPE P. LES MESURES D'IMPEDANCES ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT PERMIS D'ETUDIER LA CHIMIE DE SURFACE. L'EFFET DU PH, DE LA CONCENTRATION DE FLUOR ET DE LA NATURE DES CATIONS ONT EGALEMENT FAIT L'OBJET D'UNE ANALYSE DANS CE CAS. LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N, EN PRESENCE DU COUPLE REDOX NO +/NO, A ETE DEMONTREE DANS L'OBSCURITE. LA CHIMIE DE SURFACE PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES PROCESSUS INTERFACIAUX. POUR CETTE ETUDE, LES COURBES COURANT-TEMPS ET LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE UTILISEES. ON A CONCLU QUE L'OXYDE EST PRESENT PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. EN MEME TEMPS, LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H AUGMENTE A LA SURFACE DU SILICIUM. UN MODELE BASE SUR L'EXISTENCE D'UNE SURFACE ACTIVE ELECTROCHIMIQUEMENT EST PROPOSE. CE MODELE PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H ET SI-O A LA SURFACE. PAR AILLEURS, L'EFFET DE L'HYDROGENE SUR LA SURFACE DU SILICIUM A ETE EXAMINE. DANS L'OBSCURITE, UNE FAIBLE DISSOLUTION DU SILICIUM S'ACCOMPAGNE DE LA FORMATION D'HYDROGENE. L'ETAT DE SURFACE OBTENU DEPEND DE LA DUREE D'IMMERSION DU SILICIUM DANS HF. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE DES ETATS DE SURFACE PEUT S'EXPLIQUER PAR LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LE SILICIUM.
Author: Christophe Serre
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Languages : fr
Pages : 116
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CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE. DANS UNE PREMIERE PARTIE BIBLIOGRAPHIQUE, NOUS DECRIVONS L'INTERFACE SILICIUM/ACIDE FLUORHYDRIQUE ET LES DIFFERENTS REGIMES DE DISSOLUTION ANODIQUE: SUIVANT LES CONDITIONS D'ANODISATION, LA DISSOLUTION PEUT SE PRODUIRE DE MANIERE LOCALISEE (SILICIUM POREUX) OU HOMOGENE (ELECTROPOLISSAGE). NOUS RAPPELONS ENSUITE LES MECANISMES PROPOSES DANS LA LITTERATURE, QUI SONT EXTREMEMENT COMPLEXES ET RESTENT TRES MAL CONNUS. NOUS PRESENTONS EN DEUXIEME PARTIE UNE ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA COMPOSITION DE L'ELECTROLYTE ET DE L'INFLUENCE DU REGIME HYDRODYNAMIQUE SUR LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION. CETTE ETUDE, RENDUE POSSIBLE GRACE A UNE ELECTRODE TOURNANTE ET UNE METHODE DE MESURE DE PH FIABLE, A PERMIS DE MONTRER LE ROLE PREPONDERANT MAIS INDIRECT DE L'ESPECE NON DISSOCIEE HF, ET NOUS A AMENE A SUSPECTER LA FORMATION D'UNE COUCHE D'OXYDE A LA SURFACE DE L'ELECTRODE EN COURS D'ELECTROPOLISSAGE. DANS UNE TROISIEME PARTIE, NOUS AVONS MENE UNE ETUDE ORIGINALE ET DETAILLEE BASEE SUR UN PHENOMENE DE COURANT TRANSITOIRE QUI APPARAIT A LA FIN DE LA DISSOLUTION SOUS FAIBLE POLARISATION DES OXYDES EN MILIEU HF. LES RESULTATS OBTENUS, APPLIQUES A L'ETUDE DE LA COUCHE D'ELECTROPOLISSAGE, NOUS ONT ALORS PERMIS DE CONFIRMER QUE L'ON AVAIT TRES VRAISEMBLABLEMENT AFFAIRE A UN OXYDE, ET LA VITESSE DE DISSOLUTION DE CETTE COUCHE. NOUS AVONS ENFIN PROPOSE UN MECANISME DE DISSOLUTION METTANT EN JEU UNE COMPETITION ENTRE LA CROISSANCE ELECTROCHIMIQUE DE L'OXYDE ET SA DISSOLUTION CHIMIQUE PAR HF
Author: AOMAR.. HALIMAOUI
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. LES PROPRIETES DES COUCHES D'OXYDE OBTENUES SONT ETUDIEES EN RELATION AVEC LES PARAMETRES PHYSICO-CHIMIQUES DE L'ELECTROLYSE ET EN VUE D'UNE APPLICATION EN MICROELECTRONIQUE. DANS LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL, CONSACREE A L'OXYDATION EN MILIEU ORGANIQUE, LE CHOIX DE L'ACETRONITRILE, QUI EST UN SOLVANT NON OXYGENE, A PERMIS DE DETERMINER SANS AMBIGUITE LA NATURE DE L'AGENT OXYDANT. NOUS AVONS MONTRE QUE LE TRANSPORT IONIC, PENDANT L'ELECTROLYSE, A TRAVERS LA COUCHE D'OXYDE S'EFFECTUE PAR UN MECANISME DE CONDUCTION PAR SAUTS. LES COUCHES D'OXYDE OBTENUES EN MILIEU ORGANIQUE SONT SOUS CERTAINS ASPECTS COMPARABLES A CELLES OBTENUES PAR OXYDATION THERMIQUE. CEPENDANT, IL A ETE MIS EN EVIDENCE UNE FORTE DENSITE DE CHARGES FIXES ATTRIBUEE A LA CONTAMINATION DE L'OXYDE PAR LES PRODUITS D'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SOLVANT. LES 2EME ET 3EME PARTIES SONT CONSACREES A L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. APRES UNE ETUDE DU SYSTEME SILICIUM/SOLUTION, NOUS DISCUTONS, DANS LA 2EME PARTIE, LES MECANISMES MIS EN JEU PENDANT L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. LA 3EME PARTIE EST CONSACREE A L'ELABORATION DE COUCHES D'OXYDE DANS L'EAU ULTRA PURE ET A LEUR CARACTERISATION. DES COUCHES TRES HOMOGENES, DANS LA GAMME 2 A 10 NM PEUVENT ETRE FACILEMENT OBTENUES. LEURS QUALITES SONT TOUT A FAIT CONFORMES A CELLES REQUISES PAR UN DIELECTRIQUE DE GRILLE EN MICROELECTRONIQUE
Author: Isabelle Ronga-Lefebvre (auteur en électrochimie).)
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Ce travail est consacré essentiellement à l'étude des transferts de charges à l'origine de la dissolution d'une anode de silicium en présence d'une solution électrolytique fortement concentrée en acide fluorhydrique. Les conditions de formation ainsi que les caractéristiques du silicium poreux sont données dans le premier chapitre. La seconde partie est constituée d'une présentation de l'interface semi-conducteur/électrolyte. Les trois chapitres suivants concernent les résultats expérimentaux et leurs interprétations dont nous donnerons les principales conclusions. Une étude détaillée du comportement électrique de l'interface silicium/électrolyte est présentée sur le silicium de type p. Ces investigations permettent de proposer un modèle qui repose sur le fait que la cinétique de dissolution du silicium est déterminée principalement par la densité de charges positives a l'interface silicium/électrolyte. Ces trous doivent franchir la barrière de Schottky correspondant à la zone de charge d'espace qui existe à l'interface. Un aspect particulièrement intéressant du modèle est qu'il permet de prévoir quantitativement la sélectivité de dissolution du matériau. Sur le silicium de type n l'analyse des caractéristiques i (v) et des mesures d'impédance a conduit à proposer un mécanisme diffèrent ou la cinétique de dissolution est limitée par le transfert d'électrons par effet tunnel à travers la barrière correspondant à la zone de charge d'espace. Enfin, la différence entre le comportement observe lors du premier balayage en potentiel et lors des balayages ultérieurs est étroitement liée à une adsorption de charges positives se produisant à la surface de l'électrode de silicium. Cette adsorption mise en évidence par les mesures d'impédance constitue vraisemblablement le phénomène déclenchant la réaction de dissolution du silicium en milieu acide fluorhydrique
Author: Isabelle Ronga-Lefebvre
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Pages : 119
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CE TRAVAIL EST CONSACRE ESSENTIELLEMENT A L'ETUDE DES TRANSFERTS DE CHARGES A L'ORIGINE DE LA DISSOLUTION D'UNE ANODE DE SILICIUM EN PRESENCE D'UNE SOLUTION ELECTROLYTIQUE FORTEMENT CONCENTREE EN ACIDE FLUORHYDRIQUE. LES CONDITIONS DE FORMATION AINSI QUE LES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM POREUX SONT DONNEES DANS LE PREMIER CHAPITRE. LA SECONDE PARTIE EST CONSTITUEE D'UNE PRESENTATION DE L'INTERFACE SEMI-CONDUCTEUR/ELECTROLYTE. LES TROIS CHAPITRES SUIVANTS CONCERNENT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LEURS INTERPRETATIONS DONT NOUS DONNERONS LES PRINCIPALES CONCLUSIONS. UNE ETUDE DETAILLEE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE EST PRESENTEE SUR LE SILICIUM DE TYPE P. CES INVESTIGATIONS PERMETTENT DE PROPOSER UN MODELE QUI REPOSE SUR LE FAIT QUE LA CINETIQUE DE DISSOLUTION DU SILICIUM EST DETERMINEE PRINCIPALEMENT PAR LA DENSITE DE CHARGES POSITIVES A L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE. CES TROUS DOIVENT FRANCHIR LA BARRIERE DE SCHOTTKY CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE QUI EXISTE A L'INTERFACE. UN ASPECT PARTICULIEREMENT INTERESSANT DU MODELE EST QU'IL PERMET DE PREVOIR QUANTITATIVEMENT LA SELECTIVITE DE DISSOLUTION DU MATERIAU. SUR LE SILICIUM DE TYPE N L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES I (V) ET DES MESURES D'IMPEDANCE A CONDUIT A PROPOSER UN MECANISME DIFFERENT OU LA CINETIQUE DE DISSOLUTION EST LIMITEE PAR LE TRANSFERT D'ELECTRONS PAR EFFET TUNNEL A TRAVERS LA BARRIERE CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE. ENFIN, LA DIFFERENCE ENTRE LE COMPORTEMENT OBSERVE LORS DU PREMIER BALAYAGE EN POTENTIEL ET LORS DES BALAYAGES ULTERIEURS EST ETROITEMENT LIEE A UNE ADSORPTION DE CHARGES POSITIVES SE PRODUISANT A LA SURFACE DE L'ELECTRODE DE SILICIUM. CETTE ADSORPTION MISE EN EVIDENCE PAR LES MESURES D'IMPEDANCE CONSTITUE VRAISEMBLABLEMENT LE PHENOMENE DECLENCHANT LA REACTION DE DISSOLUTION DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE
Author: STEPHANE.. BASTIDE
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Pages : 193
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LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE ET CHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE, CONDUIT SOUS CERTAINES CONDITIONS A LA FORMATION DE SILICIUM POREUX. L'ETUDE DES MECANISMES DE DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE P ET N#+, ET L'OBSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES DU SILICIUM POREUX, ONT ETE REALISEES. L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES DE CE MATERIAU ET DES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES DES JONCTIONS EN SILICIUM P-N#+ AVEC UN EMETTEUR PARTIELLEMENT POREUX, MONTRE QUE LA FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM POREUX EN FACE AVANT DES PHOTOPILES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN, PEUT CONSTITUER UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE DIMINUTION DES PERTES PAR REFLEXION DES PHOTONS
Author: ELIANE.. GOBERT RANCHOUX
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Languages : fr
Pages : 177
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LE ZIRCONIUM EST UN METAL-VALVE TYPIQUE: IL S'OXYDE SPONTANEMENT ET SE RECOUVRE D'UN FILM DE ZIRCONE QUI LE PROTEGE DANS LA PLUPART DES MILIEUX. CETTE ETUDE EST RELATIVE AU COMPORTEMENT ELECTROCHIMIQUE DU ZIRCONIUM DANS DIVERS MILIEUX ACIDES OU NEUTRES. ELLE DEBUTE PAR UN RAPPEL DE NOTIONS THEORIQUES D'ELECTROCHIMIE A LA BASE DES TECHNIQUES UTILISEES. PUIS EST ABORDEE L'ETUDE DU COMPORTEMENT ELECTROCHIMIQUE DU ZIRCONIUM EN MILIEU ACIDE: OXYDATION ANODIQUE ET REDUCTION DU PROTON SUR ELECTRODE ABRASEE OU OXYDEE. ENSUITE, L'UTILISATION DE LA VOLTAMPEROMETRIE CYCLIQUE PERMET DE SUIVRE LE DEPOT ET LA DISSOLUTION ELECTROLYTIQUES DE L'ARGENT, DU CUIVRE ET DU BISMUTH. IL S'AGIT DE PROCESSUS PEU REVERSIBLES. ENFIN, LA REDUCTION CATHODIQUE DES IONS DICHROMATE SUR ZIRCONIUM EST DECRITE EN MILIEU HCL 1M. ELLE CONDUIT AUX IONS CR#3#+ ET CR#2#+. LA REACTION REVERSIBLE CRII/ CRIII EST MISE EN EVIDENCE. LES RESULTATS DE CETTE ETUDE MONTRENT L'INTERET DU ZIRCONIUM EN TANT QU'ELECTRODE POUR LA RECUPERATION DE METAUX LOURDS OU L'ELIMINATION D'IONS COMPLEXES TOXIQUES, EN MILIEUX AGRESSIFS
Author: Jean-François Carle (auteur d'une thèse en chimie)
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Languages : fr
Pages : 58
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Author: Roger Caillat
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Author: Roger CAILLAT
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